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[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN200810128189.7有效
发明人：北川胜彦;篠木裕之 -专利权人：三洋电机株式会社;三洋半导体株式会社
申请日： 2008-07-21 - 公布日： 2009-01-28 - 主分类号： H01L23/00 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供一种可靠性高的半导体装置及其制造方法。该半导体装置具有：与半导体芯片(2a)内的电路元件连接且形成于该半导体芯片(2a)上的侧面部附近的焊盘电极(4)；形成于所述焊盘电极(4)上的支承体(7)；形成于所述半导体芯片(2a)的侧面部和背面部的绝缘膜(9)；与所述焊盘电极(4)的背面连接、从所述半导体芯片(2a)的侧面部向背面部延伸而与所述绝缘膜相接的配线层(10)；形成于所述支承体(7)的侧面部的第二保护膜(15a)。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN200810088783.8有效
发明人：野间崇;篠木裕之;大久保登 -专利权人：三洋电机株式会社;三洋半导体株式会社
申请日： 2008-05-07 - 公布日： 2008-11-12 - 主分类号： H01L23/485 文献下载
摘要：本发明提供一种耐湿性提高的半导体装置及其制造方法，且提供一种能将制造工序简略化、提高生产性的半导体装置的制造方法。本发明通过将半导体芯片等的侧面部等由厚的保护层覆盖而提供一种能防止水分等侵入的、可靠性高的CSP结构等的半导体装置及其制造方法。提供这样的生产性高的半导体装置的制造方法，通过从贴附在半导体芯片上的支承体背面侧来蚀刻支承体，能不经过切割工序而分割半导体装置。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN200810092336.X有效
发明人：冈田和央;篠木裕之;关嘉则;山田紘士 -专利权人：三洋电机株式会社;三洋半导体株式会社
申请日： 2008-04-22 - 公布日： 2008-10-29 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体装置及其制造方法，通过提高支承体和粘接层间的耐湿性，从而提高半导体装置的可靠性。本发明的半导体装置具有：在半导体元件上形成的第一绝缘膜(2)、在所述第一绝缘膜(2)上形成的第一配线(3)、在所述半导体元件上经由粘接层(7)粘接的支承体(8)、覆盖从所述半导体元件的背面到侧面的部分及所述粘接层(7)侧面的第三绝缘膜(11)、与所述第一配线(3)连接且经由所述第三绝缘膜(11)在所述半导体元件的背面延伸的第二配线(12)、在所述第二配线(12)上形成的保护膜(13)。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]半导体装置-CN200810092627.9有效
发明人：堀越胜;内山久嘉;野间崇;关嘉则;山田紘士;石部真三;篠木裕之 -专利权人：三洋电机株式会社;三洋半导体株式会社
申请日： 2008-04-16 - 公布日： 2008-10-22 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供一种半导体装置，其在同一半导体装置内具备电容元件，以实现装置整体的小型化，且与现有的半导体装置相比具备大静电电容的电容元件。该半导体装置在半导体基板(2)的表面上形成有半导体集成电路(1)及焊盘电极(4)。在半导体基板(2)的侧面及背面上形成第二绝缘膜(10)，在半导体基板(2)的背面与第二绝缘膜(10)之间形成有与半导体基板(2)的背面接触的电容电极(9)。第二绝缘膜(10)由与焊盘电极(4)电连接的配线层(11)覆盖，配线层(11)和电容电极(9)这两者经由第二绝缘膜(10)重叠。因此，由电容电极(9)、第二绝缘膜(10)及配线层(11)形成电容(16)。
半导体装置

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN200710128252.2有效
发明人：野间崇;大塚茂树;森田佑一;冈田和央;山田纮士;北川胜彦;大久保登;石部真三;篠木裕之 -专利权人：三洋电机株式会社;三洋半导体株式会社
申请日： 2007-03-07 - 公布日： 2007-12-05 - 主分类号： H01L23/485 文献下载
摘要：本发明涉及一种封装型半导体装置及其制造方法，可实现简化制造工序、降低成本、薄型化、小型化。在半导体基板(2)上形成器件(1)，形成与该器件(1)电连接的焊盘电极(4)。在半导体基板(2)的表面，通过粘接层(6)粘贴支承体(7)。而且，在与焊盘电极(4)对应的位置开设开口，形成覆盖半导体基板(2)的侧面及背面的保护层(11)。在保护层(11)上形成有该开口位置的焊盘电极(4)上，形成导电端子(12)。在半导体基板2的背面上不形成布线层或导电端子，形成导电端子(12)，使其与支承体(7)的外周部上，即半导体基板(2)的侧壁的外侧邻接。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]半导体装置-CN200610166970.4有效
发明人：冈田和央;北川胜彦;野间崇;大塚茂树;山田纮士;石部真三;森田佑一;大久保登;篠木裕之;沖川满 -专利权人：三洋电机株式会社;三洋半导体株式会社
申请日： 2006-12-15 - 公布日： 2007-09-19 - 主分类号： H01L27/14 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体装置，其消除了形成在半导体基板反面上的配线图案被映入到输出图像中的问题。在受光元件(1)与配线层(10)之间形成有反射层(8)，其使从光透射性基板(6)通过半导体基板(2)而向配线层(10)方向射入的红外线不到达配线层(10)而被反射到受光元件(1)侧。反射层(8)被至少均匀地形成在受光元件(1)区域的下方，或是也可以仅形成在受光元件(1)区域的下方。并且，也可以不形成反射层(8)而是形成具有吸收射入的红外线而防止其透射的功能的反射防止层(30)。
半导体装置

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN200610166709.4有效
发明人：野间崇;冈田和央;石部真三;北川胜彦;森田佑一;大塚茂树;山田纮士;大久保登;篠木裕之;沖川满 -专利权人：三洋电机株式会社
申请日： 2006-12-08 - 公布日： 2007-06-20 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：一种半导体装置，在半导体基板(2)的表面上形成有光接收元件(1)(例如CCD、红外线传感器、CMOS传感器、照度传感器等光接收元件)。半导体基板(2)的背面配置多个球状的导电端子(11)。各个导电端子(11)经由配线层(9)而与半导体基板(2)的表面的焊盘电极(4)电气连接。在此，配线层(9)和导电端子(11)在所述半导体基板(2)的背面上、在垂直方向上看时除与光接收元件(1)的形成区域重叠的区域以外的区域上，在与所述光接收元件(1)的形成区域重叠的区域上不配置配线层(9)、导电端子(11)。从而能够解决输出图像上映入形成在半导体基板的背面上的配线图案这样的问题。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN200610074701.5有效
发明人：野间崇;篠木裕之;高井信行;北川胜彦;德重利洋智;太田垣贵康;安藤达也;沖川满 -专利权人：三洋电机株式会社
申请日： 2003-04-23 - 公布日： 2006-11-01 - 主分类号： H01L23/485 文献下载
摘要：一种半导体装置及其制造方法，在半导体芯片(2)的表面上形成绝缘膜(6a)，在其绝缘膜(6a)上形成第1布线(5a)。在半导体芯片(2)的表面上粘接玻璃基板(3)，在半导体芯片(3)的侧面以及背面覆盖绝缘膜(16a)。然后，设置与第1布线(5a)的侧面连接、并在半导体芯片(2)的背面上延伸的第2布线(9a)。并且，在第2布线(9a)上形成凸点焊盘等导电端子(8)。从而，可以降低具有球状导电端子的BGA(ball Grid Array)型的半导体装置的成本并提高其可靠性。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN200610075271.9有效
发明人：野间崇;篠木裕之;高尾幸弘 -专利权人：三洋电机株式会社
申请日： 2003-06-18 - 公布日： 2006-11-01 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：一种削减制造工序数量，实现低成本化的半导体装置及其制造方法。本发明的半导体装置，包括：形成于半导体衬底的上表面侧的金属焊盘；与所述金属焊盘电连接，并且形成于所述半导体衬底的上表面侧的电极连接部；形成于所述半导体衬底的侧面部及下表面部的第一绝缘膜；与所述金属焊盘连接，并且沿所述半导体衬底的侧面部及下表面部延伸的金属配线。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]半导体装置的制造方法-CN200410006626.X有效
发明人：铃木彰;野间崇;篠木裕之;高尾幸弘;石部真三;大塚茂树;山口惠一 -专利权人：三洋电机株式会社
申请日： 2004-02-25 - 公布日： 2005-03-09 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：一种半导体装置的制造方法。其在形成有第一配线(3)的半导体晶片(1a)的表面上介由树脂(5)粘接成为支撑板的玻璃基板(4)。背研磨与粘接有该基板(4)的面相对的面，使半导体晶片(1a)的厚度变薄。这时，为除去由背研磨处理产生的划痕带来的半导体晶片(1a)面内的凹凸进行湿蚀刻处理。然后对与粘接有玻璃基板(4)的面相对的面进行蚀刻，使沿着边界S的区域形成带有锥度的槽。为了圆滑该蚀刻形成的槽的表面的凹凸或形成棱角的部分的尖端部进行湿蚀刻。通过上述湿蚀刻处理，背研磨后，提高形成蚀刻后形成的绝缘膜、配线、保护膜的包覆性，从而提高半导体装置的有效利用率和可靠性。
半导体装置制造方法

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN200410038457.8有效
发明人：野间崇;铃木彰;篠木裕之 -专利权人：三洋电机株式会社
申请日： 2004-04-26 - 公布日： 2004-12-01 - 主分类号： H01L23/52 文献下载
摘要：一种半导体装置及其制造方法，不使用昂贵的装置，以低的制造成本制造层积型MCM。介由绝缘膜2在第一半导体装置100a的半导体芯片1的表面形成第一配线3A及第二配线3B。在形成有这些第一配线3A及第二配线3B的半导体芯片1的表面粘接具有露出第二配线3B的开口部12的玻璃衬底4。另外，第三配线9自半导体芯片1的背面介由绝缘膜7向半导体芯片1的侧面延伸，连接到第一配线3A上。然后，介由开口部12将另一半导体装置100b的导电端子11B连接到第二配线3B。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]半导体装置的制造方法-CN03143065.1有效
发明人：野间崇;篠木裕之;高尾幸弘 -专利权人：三洋电机株式会社
申请日： 2003-06-18 - 公布日： 2004-01-21 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：一种削减制造工序数量，并实现低成本化的半导体装置制造方法。本发明的半导体装置制造方法包括：在Si衬底1上介由第一氧化膜3形成金属焊盘2a、2b的工序；介由粘接薄膜7粘合所述Si衬底1和支承该Si衬底1的支承衬底8的工序；腐蚀所述Si衬底1形成开口部后，在所述Si衬底1的背面和所述开口部内形成第二氧化膜10的工序；腐蚀所述第二氧化膜10后形成连接在所述焊盘的配线12并在该配线12上形成导电端子14的工序；由所述Si衬底1的背面至所述粘接薄膜7进行切割的工序；分离所述这Si衬底1和所述支承衬底8的工序。
半导体装置制造方法

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN03122991.3有效
发明人：野间崇;篠木裕之;高井信行;北川胜彦;德重利洋智;太田垣贵康;安藤达也;沖川满 -专利权人：三洋电机株式会社
申请日： 2003-04-23 - 公布日： 2003-11-05 - 主分类号： H01L23/52 文献下载
摘要：一种半导体装置及其制造方法，在半导体芯片(2)的表面上形成绝缘膜(6a)，在其绝缘膜(6a)上形成第1布线(5a)。在半导体芯片(2)的表面上粘接玻璃基板(3)，在半导体芯片(3)的侧面以及背面覆盖绝缘膜(16a)。然后，设置与第1布线(5a)的侧面连接、并在半导体芯片(2)的背面上延伸的第2布线(9a)。并且，在第2布线(9a)上形成凸点焊盘等导电端子(8)。从而，可以降低具有球状导电端子的BGA(ballGridArray)型的半导体装置的成本并提高其可靠性。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN02125145.2无效
发明人： 篠木裕之;谷口敏光 -专利权人：三洋电机株式会社
申请日： 2002-06-28 - 公布日： 2003-02-05 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种半导体装置及其制造方法，谋求凸出电极表面的平坦化。在形成于半导体基板21上的接点部53上形成金凸出电极5而构成的半导体装置中，所述金凸出电极56比钝化膜52的开口部更靠内侧形成。
半导体装置及其制造方法

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