“稻见修一”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网_中国专利网

首页在售求购查询申请展会资讯专利榜企服商城升级VIP

立即登录免费注册

在售专利
求购专利
查询专利
新闻资讯
技术展会
招商加盟
专利榜

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

专利名称

专利名称
专利号码
专利分类
申请人
公布日期

农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

专利下载VIP

公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

钻瓜专利网为您找到相关结果6个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]单晶硅片的COP评价方法-CN200780021544.4有效
发明人： 稻见修一 -专利权人：上睦可株式会社
申请日： 2007-05-22 - 公布日： 2009-06-24 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：将作为评价对象的晶片的评价区域沿半径方向以同心圆状分割，设定各分割而成的评价区域的COP个数的上限值，以该上限值为基准进行单晶硅片的合格与否的判定，从而能定量并客观地评价COP，能在明确的基准下给予正确的判定。通过使用该评价方法，能充分适应COP评价(检检测)的自动化、未来晶片的高品质化，能在单晶硅片的制造、半导体器件的制造中得到广泛应用。
单晶硅 cop 评价方法

[发明专利]单晶硅片的COP产生原因的判定方法-CN200780020983.3无效
发明人： 稻见修一 -专利权人：上睦可株式会社
申请日： 2007-05-22 - 公布日： 2009-06-17 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：将对象晶片的判定区域沿半径方向以同心圆状分割，求出各分割而成的判定区域的COP密度，将其中的最大值作为COP密度_半径MAX，最小值作为COP密度_半径MIN，将由“(COP密度_半径MAX-COP密度_半径MIN)/COP密度_半径MAX”算得的值与预定的设定值比较，根据明确的基准来区分非结晶引起的COP和结晶引起的COP，可进行COP产生原因的判定。由此，能挽救是非结晶引起的COP却被判定为结晶引起的COP而成为不合格的晶片，能提高晶片的生产合格率。
单晶硅 cop 产生原因判定方法

[发明专利]单晶硅的生长方法-CN200580050178.6有效
发明人： 稻见修一;高濑伸光;小暮康弘;滨田建;中村刚 -专利权人：胜高股份有限公司
申请日： 2005-12-01 - 公布日： 2008-06-18 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本发明涉及单晶硅的生长方法。在生长中的单晶硅侧面部负荷有热应力的条件下通过卓克拉尔斯基法生长单晶硅。使生长单晶的气氛气体为惰性气体和含氢原子物质气体的混合气体。
单晶硅生长方法

[发明专利]硅单晶的生长方法及硅晶片的制造方法-CN200580050122.0有效
发明人： 稻见修一;高濑伸光;小暮康弘;滨田建;中村刚 -专利权人：胜高股份有限公司
申请日： 2005-11-08 - 公布日： 2008-06-11 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本发明的硅单晶的生长方法，其为通过直拉法生长根据ASTM－F121 1979测得的氧浓度为12×10¹⁷～18×10¹⁷个原子/cm³的硅单晶的方法。生长单晶的环境气体为惰性气体和含氢原子的物质的气体的混合气体。对生长中的硅单晶的温度进行控制，以使从熔点到1350℃的结晶中心部的轴向温度梯度Gc和从熔点到1350℃的结晶外周部的轴向温度梯度Ge之比Gc/Ge为1.1～1.4、所述结晶中心部的轴向温度梯度Gc为3.0～3.5℃/mm。
硅单晶生长方法晶片制造

[发明专利]硅单晶的培育方法和采用该方法培育的硅单晶-CN200580049778.0有效
发明人： 稻见修一;村上浩纪;高濑伸光;滨田建;中村刚 -专利权人：胜高股份有限公司
申请日： 2005-09-12 - 公布日： 2008-05-07 - 主分类号： C30B15/20 文献下载
摘要：该硅单晶的培育方法是一边采用围绕在培育中的硅单晶周围且其内侧圆周表面和提拉轴同轴的冷却用构件对硅单晶的至少一部分进行冷却，一边采用切克劳斯基法培育硅单晶，培育上述单晶的介质气体包括含氢原子物质的气体。
硅单晶培育方法采用

[发明专利]硅单晶的制造方法及硅片的制造方法-CN200710148262.2有效
发明人： 稻见修一;井上邦春;诸石学;深川嗣也;草场伸博 -专利权人：株式会社SUMCO
申请日： 2007-09-04 - 公布日： 2008-04-30 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本发明提供能够获得晶轴方位为[110]的硅片、且位错被完全除去的电阻率低的硅单晶的制造方法以及由通过该方法获得的硅单晶制造晶轴方位为[110]的低电阻硅片的方法。为利用CZ法的硅单晶制造方法，在作为掺杂剂添加有硼且其浓度达到6.25×10¹⁷～2.5×10²⁰原子/cm³的硅熔融液中，浸渍中心轴相对于[110]晶轴倾斜0.6°～10°、且与在由所述硅熔融液培育的单晶上形成的颈部的硼浓度大致相同浓度的硅晶种，从而培育中心轴相对于[110]晶轴倾斜0.6°～10°的硅单晶。
硅单晶制造方法硅片

1
共 6 条

友情链接：交换友情链接需要网站权重大于4，网站收录10W以上，如符合条件，请联系QQ：76009968。

关于我们寻求报道投稿须知广告合作版权声明网站地图友情链接企业标识联系我们

在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

版权所有钻瓜科技（天津）有限公司津ICP备15000985号津公网安备 12019202000206号http://www.vipzhuanli.com/公布日期

咨询在线客服

咨询在线客服

tel code back_top