专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]含不饱和键的硅烷化合物的精制方法和制造方法-CN202110901549.8在审
  • 矶野芳美;近藤良介;三浦雅大;森高;高桥干弘 - 中央硝子株式会社
  • 2017-09-27 - 2021-11-30 - C07F7/08
  • 本发明为含不饱和键的硅烷化合物的精制方法和制造方法及其组合物。目的在于提供能够由包含四氢呋喃和含不饱和键的硅烷化合物的混合物获得高纯度的含不饱和键的硅烷化合物的精制方法。使用含不饱和键的硅烷化合物的精制方法,其特征在于,对下述通式(1)所示的至少1种含不饱和键的硅烷化合物与四氢呋喃与沸点高于前述含不饱和键的硅烷化合物和四氢呋喃的高沸点溶剂的混合物进行蒸馏。Si(R1)x(R2)4‑x(1)〔通式(1)中,R1分别相互独立地表示具有碳‑碳不饱和键的基团。R2分别相互独立地选自氟基、碳数为1以上且10以下的直链或支链状的烷基,前述烷基任选具有氟原子和/或氧原子。x为2以上且4以下的整数。〕。
  • 不饱和硅烷化合物精制方法制造
  • [发明专利]含不饱和键的硅烷化合物的精制方法和制造方法-CN201710892548.5有效
  • 矶野芳美;近藤良介;三浦雅大;森高;高桥干弘 - 中央硝子株式会社
  • 2017-09-27 - 2021-07-09 - C07F7/08
  • 本发明为含不饱和键的硅烷化合物的精制方法和制造方法及其组合物。目的在于提供能够由包含四氢呋喃和含不饱和键的硅烷化合物的混合物获得高纯度的含不饱和键的硅烷化合物的精制方法。使用含不饱和键的硅烷化合物的精制方法,其特征在于,对下述通式(1)所示的至少1种含不饱和键的硅烷化合物与四氢呋喃与沸点高于前述含不饱和键的硅烷化合物和四氢呋喃的高沸点溶剂的混合物进行蒸馏。Si(R1)x(R2)4‑x(1)〔通式(1)中,R1分别相互独立地表示具有碳‑碳不饱和键的基团。R2分别相互独立地选自氟基、碳数为1以上且10以下的直链或支链状的烷基,前述烷基任选具有氟原子和/或氧原子。x为2以上且4以下的整数。〕。
  • 不饱和硅烷化合物精制方法制造

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