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[发明专利]包含六氟异丙醇基的硅化合物、硅化合物的制造方法、聚硅氧烷和聚硅氧烷的制造方法-CN202280011656.6在审
发明人：片村友大;中辻惇也;杉田丰;及川祐梨;山中一广 -专利权人：中央硝子株式会社
申请日： 2022-01-27 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： C07F7/18 文献下载
摘要：提供特定的卤代硅烷化合物的含量得以降低的含有HFIP基的硅化合物(含HFIP基的芳香族烷氧基硅烷)及其制造方法、将含有HFIP基的硅化合物聚合而成的聚硅氧烷及其制造方法。提供一种硅化合物，其包含下述式(1)所示的硅化合物和下述式(2)所示的卤代硅烷化合物，式(2)所示的卤代硅烷化合物的含量多于0质量ppm且为1000质量ppm以下。#imgabs0#
包含异丙醇化合物制造方法聚硅氧烷

[发明专利]树脂组合物、固化膜、固化膜的制造方法、带有多层膜的基板、带有图案的基板的制造方法、感光性树脂组合物、图案固化膜的制造方法、聚合物的制造方法和树脂组合物的制造方法-CN202180081688.9在审
发明人：增渕毅;及川祐梨;山中一广 -专利权人：中央硝子株式会社
申请日： 2021-12-15 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： C08G77/58 文献下载
摘要：本发明的课题是提供一种树脂组合物，其为包含聚合物的均匀液，所述聚合物即便导入EUV吸光度高的金属种类，在溶胶凝胶反应中也不会发生析出，所述聚合物是进行水解/缩聚而得到的。树脂组合物包含具有(A下述通式(1)所示结构单元和(B)下述通式(1‑A)所示结构单元的聚合物。通式(1)中，R2为下述通式(1a)所示的基团。[(R2)d(R3)e(OR4)fSiOg/2] (1)；[(R1)bMOc/2] (1‑A)；
树脂组合固化制造方法带有多层图案感光性聚合物

[发明专利]光学构件用涂布液、聚合物、固化膜、感光性涂布液、图案固化膜、光学构件、固体摄像元件、显示装置、聚硅氧烷化合物、涂布液中使用的稳定剂、固化膜的制造方法、图案固化膜的制造方法和聚合物的制造方法-CN202180081882.7在审
发明人：及川祐梨;增渕毅;山中一广;四元理香子 -专利权人：中央硝子株式会社
申请日： 2021-12-15 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： C09D7/61 文献下载
摘要：本发明的课题在于，提供在涂布液中稳定分散有金属细颗粒、金属化合物的光学构件用涂布液、感光性涂布液、可用于光学构件用涂布液的聚合物、使用了光学构件用涂布液的固化膜、感光性涂布液、图案固化膜、光学构件、固体摄像元件、显示装置、聚硅氧烷化合物、涂布液中使用的稳定剂。或者，本发明的课题在于，提供涂布液中使用的稳定剂的制造方法或者光学特性优异的固化膜、图案固化膜或聚合物的制造方法。光学构件用涂布液包含成分(A)、稳定剂(B)和溶剂(C)，所述成分(A)是金属细颗粒(A‑1)和/或包含下述通式(1‑A)所示结构单元的金属化合物(A‑2)，所述稳定剂(B)含有包含下述通式(1)所示结构单元的聚硅氧烷化合物。[(R1)bMOc/2] (1‑A)；[(R2)d(R3)e(OR4)fSiOg/2] (1)。
光学构件用涂布液聚合物固化感光性涂布液图案固体摄像元件显示装置聚硅氧烷

[发明专利]含硅单体、混合物、聚硅氧烷和它们的制造方法-CN202180078224.2在审
发明人：增渕毅;片村友大;山中一广 -专利权人：中央硝子株式会社
申请日： 2021-11-09 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： C07F7/18 文献下载
摘要：一种含硅单体，其用式(1)表示。另外，一种混合物，其包含：(I)至少一种式(1)所示的含硅单体；和，(II)选自由式(2‑1)所示的含硅单体和式(2‑2)所示的含硅单体组成的组中的至少一种。
单体混合物聚硅氧烷它们制造方法

[发明专利]含氟二胺或其盐、含氟二胺或其盐的制造方法、聚酰胺、聚酰胺的制造方法、聚酰胺溶液、聚酰胺环化体、聚酰胺环化体的制造方法、高频电子部件用绝缘材料、高频电子部件用绝缘材料的制造方法、高频电子部件、高频机器和高频电子部件制造用绝缘材料-CN202180057839.7在审
发明人：江口弘;萩原祐树;山田真辉;山中一广;村上洋介;细井健史 -专利权人：中央硝子株式会社
申请日： 2021-08-02 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： C07C213/00 文献下载
摘要：下述通式[1A]所示的含氟二胺或其盐、包含源自该二胺或其盐的结构单元的聚酰胺、聚酰胺环化体等。通式[1A]中，在存在多个R1的情况下，R1各自独立地为选自由烷基、烷氧基、卤素原子、卤代烷基和卤代烷氧基组成的组中的至少任一者，两个n各自独立地为0～3的整数。
含氟二胺制造方法聚酰胺溶液环化高频电子部件绝缘材料机器

[发明专利]聚苯并恶唑、聚酰胺、聚酰胺溶液、高频电子部件用绝缘材料、高频电子部件、高频设备、高频电子部件制造用绝缘材料、聚酰胺的制造方法、聚苯并恶唑的制造方法、高频电子部件用绝缘材料的制造方法、及二胺或其盐-CN202180049034.8在审
发明人：村上洋介;细井健史;江口弘;萩原祐树;山田真辉;山中一广 -专利权人：中央硝子株式会社
申请日： 2021-07-01 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： B32B27/00 文献下载
摘要：具有通式[1]所示的结构单元的聚苯并恶唑。通式[1]中，R1为通式[2]所示的4价有机基团，R2为2价有机基团，通式[2]中，2个n分别独立为0～3的整数，R3存在多个的情况下分别独立表示1价取代基，*1、*2、*3及*4分别独立表示原子键，*1及*2中的一者与通式[1]中的氧原子键合，另一者与通式[1]中的氮原子键合，*3及*4的中一者与通式[1]中的氧原子键合，另一者与通式[1]中的氮原子键合。
聚酰胺溶液高频电子部件绝缘材料设备制造方法

[发明专利]含硅单体混合物、聚硅氧烷、树脂组合物、感光性树脂组合物、固化膜、固化膜的制造方法、图案固化膜和图案固化膜的制造方法-CN202180054622.0在审
发明人：增渕毅;片村友大;山中一广 -专利权人：中央硝子株式会社
申请日： 2021-09-02 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： C08G77/24 文献下载
摘要：提供一种聚合反应速度快、具有良好贮藏稳定性的聚硅氧烷。或者，提供包含该聚硅氧烷的混合物、树脂组合物、感光性树脂组合物、固化膜或图案固化膜。或者，提供包含该聚硅氧烷的混合物、树脂组合物、感光性树脂组合物、固化膜或图案固化膜的制造方法。提供一种混合物，其包含下述通式(X)所示的第一含硅单体和下述通式(Y)所示的第二含硅单体。将A设为第一含硅单体的含量，且将B定义为第二含硅单体的含量时，满足B/(A+B)0.04的关系。
单体混合物聚硅氧烷树脂组合感光性固化制造方法图案

[发明专利]负型感光性树脂组合物、图案结构和图案固化膜的制造方法-CN202180018686.5在审
发明人：增渕毅;及川祐梨;山中一广;四元理香子 -专利权人：中央硝子株式会社
申请日： 2021-03-11 - 公布日： 2022-10-25 - 主分类号： G03F7/075 文献下载
摘要：提供：基于聚硅氧烷的、新的感光性树脂组合物、即负型感光性树脂组合物。负型感光性树脂组合物含有：(A)包含通式(1)所示的第一结构单元的聚硅氧烷化合物；(B)光诱导性固化促进剂；(C)溶剂。[(Rx)bR1mSiOn/2] (1)(通式(1)中，Rx为通式(1a)所示的一价基团，R1为选自由氢原子、碳数1以上且3以下的烷基、苯基、羟基、碳数1以上且3以下的烷氧基和碳数1以上且3以下的氟烷基组成的组中的取代基，b为1以上且3以下的数，m为0以上且低于3的数，n超过0且为3以下的数，为b+m+n＝4，Rx、R1有多个时各自独立地地选择取代基中的任意者，通式(1a)中，X为氢原子，a为1以上且5以下的数，虚线表示原子键。)
感光性树脂组合图案结构固化制造方法

[发明专利]组合物、组合物前体的溶液、组合物的制造方法、基板和带有图案的基板的制造方法-CN202180019261.6在审
发明人：及川祐梨;增渕毅;山中一广 -专利权人：中央硝子株式会社
申请日： 2021-02-17 - 公布日： 2022-10-25 - 主分类号： G03F7/11 文献下载
摘要：一种组合物，其包含聚硅氧烷化合物(A)和溶剂(B)，所述聚硅氧烷化合物(A)包含式(1)所示的结构单元和式(2)所示的结构单元，全部Si结构单元中的用Q单元/(Q单元+T单元)表示的硅氧烷结构单元比为0.60以上且小于1.00。[(R1)b(R2)m(OR3)lSiOn/2](1)。式中，R1为下式所示的基团。[(R4)pSiOq/2](2)。
组合物前体溶液制造方法带有图案

[发明专利]硅化合物、反应性材料、树脂组合物、感光性树脂组合物、固化膜、固化膜的制造方法、图案固化膜及图案固化膜的制造方法-CN202080073947.9在审
发明人：增渕毅;及川祐梨;山中一广 -专利权人：中央硝子株式会社
申请日： 2020-10-21 - 公布日： 2022-06-03 - 主分类号： C07F7/18 文献下载
摘要：本发明为一种由下述通式(x)表示的硅化合物。另外，本发明为一种包含由下述通式(x)表示的硅化合物的反应性材料。通式(x)中，R1为多个的情况下，分别独立地为碳数1～10的直链状、碳数3～10的支链状或者碳数3～10的环状的烷基、碳数2～10的直链状、碳数3～10的支链状或者碳数3～10的环状的烯基，烷基或烯基中的氢原子的全部或一部分任选由氟原子取代，R2为多个的情况下，分别独立地为碳数1～4的直链状或碳数3～4的支链状的烷基，烷基中的氢原子的全部或一部分任选由氟原子取代，RA为酸不稳定性基团，a为1～3的整数，b为0～2的整数，c为1～3的整数，a+b+c＝4，n为1～5的整数。
化合物反应材料树脂组合感光性固化制造方法图案

[发明专利]树脂组合物、感光性树脂组合物、固化膜、固化膜的制造方法、图案固化膜和图案固化膜的制造方法-CN201980071895.9在审
发明人：杉田丰;片村友大;中辻惇也;山中一广;增渕毅 -专利权人：中央硝子株式会社
申请日： 2019-10-28 - 公布日： 2021-07-23 - 主分类号： C08L83/08 文献下载
摘要：一种聚硅氧烷组合物，其包含：含有式(1)所示的结构单元且含有式(2)和式(3)中的至少一个结构单元的聚硅氧烷化合物；和，溶剂。[(Rx)bR1mSiOn/2](1)[(Ry)cR2pSiOq/2](2)[SiO4/2](3)此处，Rx为式(1a)所示的一价的基团(X为氢原子或酸不稳定性基团，a为1～5的整数，虚线表示原子键)，Ry为包含环氧基、氧杂环丁烷基、丙烯酰基、甲基丙烯酰基中的任意者的碳数1～30的一价的有机基团。
树脂组合感光性固化制造方法图案

[发明专利]包含六氟异丙醇基的硅化合物及其制造方法-CN201980015727.8在审
发明人：中辻惇也;片村友大;杉田丰;山中一广 -专利权人：中央硝子株式会社
申请日： 2019-02-21 - 公布日： 2020-10-23 - 主分类号： C07F7/12 文献下载
摘要：本发明提供一种由廉价的起始原料以高的反应转化率和选择率制造含六氟丙醇基(‑C(CF3)2OH、HFIP基)的芳香族烷氧基硅烷(4)的方法。该制造方法如下所述包括：使芳香族卤代硅烷(1)在路易斯酸的存在下与六氟丙酮反应，得到含HFIP基的芳香族卤代硅烷(2)的第一工序；以及使该含HFIP基的芳香族卤代硅烷(2)与醇反应，得到含HFIP基的芳香族烷氧基硅烷(4)的第二工序。
包含异丙醇化合物及其制造方法

[发明专利]含硅层形成组合物和使用其制造带图案的基板的方法-CN201980015743.7在审
发明人：中辻惇也;山中一广 -专利权人：中央硝子株式会社
申请日： 2019-02-21 - 公布日： 2020-10-20 - 主分类号： G03F7/11 文献下载
摘要：本发明提供一种含硅层形成组合物，其用于形成在多层抗蚀法中的曝光时具有防反射功能，在干蚀刻时对于氟系气体的等离子体的蚀刻速度快且对于氧系气体的等离子体的蚀刻速度慢的含硅层。一种含硅层形成组合物，其包含：含有式(1)所示结构单元的聚硅氧烷化合物(A)以及溶剂(B)。[(R1)bR2mSiOn/2n/2](1)[式中，R1为下式所示的基团。(a为1～5的整数。波浪线表示交叉的线段为结合键。)R2各自独立地为氢原子、碳原子数1以上且3以下的烷基、苯基、羟基、碳原子数1以上且3以下的烷氧基、或者碳原子数1以上且3以下的氟烷基，b为1～3的整数，m为0～2的整数，n为1～3的整数，b+m+n＝4。]
含硅层形成组合使用制造图案方法

[发明专利]正型感光性树脂组合物、使用了它的膜的制造方法以及电子部件-CN201480060038.6有效
发明人：情野真;山中一广;小田雅文;中辻惇也 -专利权人：中央硝子株式会社
申请日： 2014-10-24 - 公布日： 2019-09-27 - 主分类号： G03F7/075 文献下载
摘要：本发明的正型感光性树脂组合物至少包含：(A)至少包含通式(1)表示的结构单元的聚硅氧烷化合物、(B)光产酸剂或醌二叠氮化合物、以及(C)溶剂。[式中，R^X为下述式表示的基团，R¹各自独立地为氢原子、碳数1以上且3以下的烷基、苯基、羟基、碳数1以上且3以下的烷氧基或碳数1以上且3以下的氟代烷基，b为1～3的整数、m为0～2的整数、n为1～3的整数，且b+m+n＝4。(X各自独立地表示氢原子或酸不稳定性基团，a为1～5的整数。)]通过该正型感光性树脂组合物的使用，能够提供具有高耐热性和耐热透明性的膜以及具有该膜的电子部件。[(R^X)_bR¹_mSiO_n/2] (1)
感光性树脂组合使用制造方法以及电子部件

[发明专利]包含聚硅氧烷的固化性组合物及其固化物-CN201480005966.2有效
发明人：秋山胜宏;松野佑;江口弘;山中一广;中辻惇也;河合亘;小川毅 -专利权人：中央硝子株式会社
申请日： 2014-01-22 - 公布日： 2017-03-15 - 主分类号： C08L83/07 文献下载
摘要：本发明公开一种固化性组合物，其包含具有Si‑OH基和Si‑H基的特定结构和组成的聚硅氧烷(A)；具有Si‑OH基和Si‑CH＝CH2基的特定结构和组成的聚硅氧烷(B)；以及含有选自由铂化合物、钯化合物和铑化合物组成的组中的至少1种金属化合物的催化剂量的氢化硅烷化催化剂。该固化性组合物中，由于调整了各聚硅氧烷的种类以及Si‑OH基的含量，因此在聚硅氧烷固化时，相对于Si‑CH＝CH2基与Si‑H基进行反应的氢化硅烷化反应，可以抑制Si‑OH基之间发生的脱水缩合反应，能够抑制固化体中的发泡。进而，在形成固化膜时，能够提供与半导体基板等基体的优异的密合性。
包含聚硅氧烷固化组合及其

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