专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]精密转台误差测量装置-CN202210381695.7在审
  • 王国名;王博;程智;石俊凯;崔成君;董登峰;朱志忠;周维虎;梅东滨 - 中国科学院微电子研究所
  • 2022-04-12 - 2023-10-24 - G01C25/00
  • 本发明提供一种精密转台误差测量装置,包括:两个复合靶标,用于分别设置在待测转台的两个旋转轴上;每个所述复合靶标能对第一波长激光进行镜面反射和对第二波长激光进行角锥反射器反射;两个测量组件,用于分别对应两个复合靶标设置;所述测量组件能向对应的复合靶标发射具有第一波长激光和第二波长激光的测量光束,接收对应复合靶标反射的第一波长激光并标定对应旋转轴的角度,接收对应复合靶标反射的第二波长激光并标定对应旋转轴的位移。本发明提供的精密转台误差测量装置,采用双站基准,由两个测量组件搭建垂直度和相交度测量基准,能够实现待测二维转台垂直度和相交度误差的一站式高精度检测,解决垂直度和相交度分离测量时过程误差不可控难题。
  • 精密转台误差测量装置
  • [发明专利]用于位移测量系统的电光相位调制器及位移测量系统-CN202310304061.6在审
  • 高超;董登峰;周维虎;纪荣祎;石俊凯;潘映伶 - 中国科学院微电子研究所
  • 2023-03-27 - 2023-06-30 - G02F1/03
  • 本公开提出了一种用于位移测量系统的电光相位调制器及位移测量系统。该电光相位调制器,包括:壳体,内置有容纳空间,壳体上开设有入射口和出射口,偏振测量光由入射口射入容纳空间;调制晶体,设置在容纳空间内,被配置为调制来自入射口的偏振测量光,偏振测量光的偏振方向与调制晶体的调制电场方向成45°;以及四分之一波片,位于调制晶体和出射口之间,四分之一波片的光轴与调制晶体的调制电场方向成45°,偏振测量光经四分之一波片后由出射口射出至待测物上,待测物将偏振测量光经由四分之一波片反射回调制晶体,使得反射回调制晶体的偏振测量光与由入射口射入调制晶体的偏振测量光的偏振分量方向变化90°。
  • 用于位移测量系统电光相位调制器
  • [发明专利]显微视觉入射光角度标定方法-CN202111617952.4在审
  • 张滋黎;孟繁昌;纪荣祎;崔成君;王国名;石俊凯;潘映伶;王博;董登峰;周维虎 - 中国科学院微电子研究所
  • 2021-12-27 - 2023-06-30 - G01B11/26
  • 本发明提供一种显微视觉入射光角度标定方法,包括固定线结构光光源与显微图像采集单元,二者相对位置固定;计算显微图像采集单元放大倍率;设置标定块使线结构光光源发射的线结构光经标定块反射后被显微图像采集单元采集;移动标定块使线结构光投射到第一平面,第一平面反射后被显微图像采集单元采集,在显微图像采集单元像平面上得到第一线结构光像;在同一水平面内移动标定块,使得线结构光投射到第二平面,第二平面反射后被显微图像采集单元采集,在显微图像采集单元像平面上得到第二线结构光像;计算第一线结构光像与第二线结构光像的像间距;计算显微视觉入射光角度。本发明装置制备简单,标定流程简单,可快速完成结构光入射角度的标定。
  • 显微视觉入射角度标定方法
  • [发明专利]定位装置及方法-CN202111297141.0在审
  • 霍树春;石俊凯;高超;陈晓梅;李冠楠;姜行健;刘立拓;董登峰;周维虎 - 中国科学院微电子研究所
  • 2021-11-03 - 2023-05-05 - G01B11/00
  • 本公开提供一种定位装置及方法,装置包括:采集模块(A),用于产生照明光;调光模块(B),用于对照明光进行分束,产生基准光和测量光;传感模块(C),包括参考反射器(4)和测量反射器(5),参考反射器(4)被配置成设于待测装置的固定基座上,以用于反射基准光,得到基准反射光,测量反射器(5)被配置成设于待测装置的移动部件上,以用于反射测量光,得到测量反射光;其中,调光模块(B)还用于对基准反射光与测量反射光进行合束,得到合束光;采集模块(A)还用于测量合束光的光谱数据,并输出光谱数据来定位移动部件。本公开的定位装置,测量分辨力可达埃米,系统结构简单,组装、操作方便,适用于多种测量场景。
  • 定位装置方法
  • [发明专利]凸点高度测量装置及测量方法-CN202211703732.8在审
  • 张滋黎;孟繁昌;石俊凯;程智;王博;张佳;朱志忠;董登峰;周维虎 - 中国科学院微电子研究所
  • 2022-12-28 - 2023-04-07 - G01B11/02
  • 本发明提供一种凸点高度测量装置及测量方法,涉及光学测量技术领域。该装置包括:光源模块,用于输出光条并将光条从‑45°方向倾斜照射至球形微凸点和相邻基底面,照射至球形微凸点和相邻基底面上的光条被球形微凸点顶部部分区域和相邻基底面反射;接收器,用于接收被相邻基底面反射后的第一光束,以及由球形微凸点顶部部分区域反射后的第二光束;设置于接收器的成像平面上的图像探测器,用于对第一光束和第二光束进行成像,第一光束和第二光束在图像探测器上分别形成长条形亮斑和圆形光斑。本发明可以计算出凸点顶部距离基底面的高度值,实现凸点高度的精确测量。
  • 高度测量装置测量方法
  • [发明专利]硅穿孔内衬层厚度测量方法-CN202210495702.6在审
  • 霍树春;石俊凯;陈晓梅;李冠楠;姜行健;董登峰;周维虎 - 中国科学院微电子研究所
  • 2022-04-29 - 2022-08-30 - G01B11/06
  • 本公开提供了一种硅穿孔内衬层厚度测量方法,包括:步骤1,向待测硅穿孔的侧壁斜向入射一光波,获取待测硅穿孔内返回的回归光波;步骤2,根据光波的入射位置、入射角度与待测硅穿孔的几何结构参数,建立不同厚度内衬层的硅穿孔的光学传播模型;步骤3,获取回归光波的反射率;步骤4,根据回归光波的反射率、入射光波的波长和硅穿孔的光学传播模型得到硅穿孔内衬层的厚度。本公开通过使用光束测量硅穿孔内衬层,可以灵活地测量所有几何结构的硅穿孔,同时通过测量回归光波的反射率测量内衬层厚度具有高精度,从而本公开可用于导体、半导体、绝缘体等材料构成的微孔、微槽的内壁粗糙度。
  • 穿孔内衬厚度测量方法
  • [发明专利]一种过硅孔钝化层的厚度测量装置-CN202210478408.4在审
  • 霍树春;石俊凯;陈晓梅;李冠楠;姜行健;董登峰;周维虎 - 中国科学院微电子研究所
  • 2022-04-29 - 2022-08-05 - G01B11/06
  • 本公开提供了一种过硅孔钝化层的厚度测量装置,包括入射光调控装置,用于调整原始光束,使其形成环形的入射光;凸透镜,用于调整入射光的角度,使其斜向入射过硅孔钝化层,并接收过硅孔钝化层反射的反射光;光谱/光强测量装置,用于接收反射光,并测量反射光的光谱/光强,根据入射光的光谱/光强与反射光的光谱/光强,计算过硅孔钝化层的反射率,并根据反射率计算过硅孔的钝化层的厚度。本公开通过设置入射光调控装置、凸透镜和光谱/光强测量装置,使得本公开可以调控测量光束的截面形状,从而灵活地测量多种形状的过硅孔,通过测量回归光波的反射率测量钝化层厚度使得测量结果具有高精度,具有广泛的应用场景。
  • 一种钝化厚度测量装置

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