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[实用新型]半导体元件、半导体元件的封装结构-CN202223101806.9有效
发明人： 王鑫琴 -专利权人：苏州晶方半导体科技股份有限公司
申请日： 2022-11-22 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种半导体元件，半导体元件的封装结构，半导体元件包括衬底、形成于所述衬底内的功能结构以及与所述功能结构连接的焊垫，所述功能结构包括具有网孔结构的浅槽隔离层，所述浅槽隔离层未延伸至所述焊垫，或所述浅槽隔离层延伸至所述焊垫并属于所述焊垫的一部分，其中，所述浅槽隔离层的网孔满足：网孔宽度范围为2.29μm～2.49μm。本实用新型的半导体元件，其能够解决由于STI(浅槽隔离)的存在导致在后续封装过程中STI(浅槽隔离)分层的问题。
半导体元件封装结构

[实用新型]晶圆键合结构-CN202223070273.2有效
发明人： 王鑫琴 -专利权人：苏州晶方半导体科技股份有限公司
申请日： 2022-11-18 - 公布日： 2023-04-11 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种晶圆键合结构，包括：第一晶圆，包括若干第一芯片单元，每个所述第一芯片单元包含若干第一焊垫；第二晶圆，包括若干第二芯片单元，每个所述第二芯片单元包含若干第二焊垫，所述第二焊垫与所述第一焊垫之间通过焊接凸起电性连接。本实用新型的晶圆键合结构，其具有尺寸小、稳定性能高，信耐性更好的优点。
晶圆键合结构

[发明专利]半导体元件、半导体元件的封装结构及其封装方法-CN202211467740.7在审
发明人： 王鑫琴 -专利权人：苏州晶方半导体科技股份有限公司
申请日： 2022-11-22 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体元件，半导体元件的封装结构以及该封装结构的封装方法，半导体元件包括衬底、形成于所述衬底内的功能结构以及与所述功能结构连接的焊垫，所述功能结构包括具有网孔结构的浅槽隔离层，所述浅槽隔离层未延伸至所述焊垫，或所述浅槽隔离层延伸至所述焊垫并属于所述焊垫的一部分，其中，所述浅槽隔离层的网孔满足：网孔宽度范围为2.29μm～2.49μm。本发明的半导体元件，其能够解决由于STI(浅槽隔离)的存在导致在后续封装过程中STI(浅槽隔离)分层的问题。
半导体元件封装结构及其方法

[实用新型]封装结构-CN202222980493.2有效
发明人：汤杰夫;王鑫琴;王蔚 -专利权人：苏州晶方半导体科技股份有限公司
申请日： 2022-11-09 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种封装结构，所述封装结构包括芯片、透光的保护基板以及至少一透光组件。所述芯片包括多个芯片单元，所述芯片具有相对设置的第一表面和第二表面，所述第一表面上形成有感应层；所述透光的保护基板遮盖于所述芯片的第一表面；至少一透光组件设置于所述保护基板和所述芯片的第一表面之间，每一所述透光组件分别包括一透光基板、以及分布于所述透光基板至少一个表面上的至少一个透镜单元，每个所述透镜单元分别对应一个所述芯片单元。本实用新型封装结构，其能够大大缩短镜头模组的制作流程，降低镜头模组的整体厚度，且镜头模组中的多个镜头厚度一致。
封装结构

[发明专利]晶圆键合方法及晶圆键合结构-CN202211447734.5在审
发明人： 王鑫琴 -专利权人：苏州晶方半导体科技股份有限公司
申请日： 2022-11-18 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明公开了一种晶圆键合方法及晶圆键合结构，晶圆键合方法包括：提供第一晶圆，所述第一晶圆包括若干第一芯片单元，每个所述第一芯片单元包含若干第一焊垫；于所述第一焊垫上形成焊接凸起；提供第二晶圆，所述第二晶圆包括若干第二芯片单元，每个所述第二芯片单元包含若干第二焊垫；采用热压焊或超声焊技术将所述第一晶圆压合于所述第二晶圆上，所述焊接凸起与所述第二焊垫之间电性连接。本发明的晶圆键合方法以及晶圆键合结构，其能够提高集成度，且键合工艺简单，不会对晶圆造成损坏，降底了封装结构的尺寸以及封装成本。
晶圆键合方法结构

[发明专利]封装结构及晶圆级封装方法-CN202211399086.0在审
发明人：汤杰夫;王鑫琴;王蔚 -专利权人：苏州晶方半导体科技股份有限公司
申请日： 2022-11-09 - 公布日： 2022-12-27 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明公开了一种封装结构以及晶圆级封装方法，所述封装结构包括芯片、透光的保护基板以及至少一透光组件。所述芯片包括多个芯片单元，所述芯片具有相对设置的第一表面和第二表面，所述第一表面上形成有感应层；所述透光的保护基板遮盖于所述芯片的第一表面；至少一透光组件设置于所述保护基板和所述芯片的第一表面之间，每一所述透光组件分别包括一透光基板、以及分布于所述透光基板至少一个表面上的至少一个透镜单元，每个所述透镜单元分别对应一个所述芯片单元。本发明封装结构以及晶圆级封装方法，其能够大大缩短镜头模组的制作流程，降低镜头模组的整体厚度，且镜头模组中的多个镜头厚度一致。
封装结构晶圆级方法

[实用新型]超声波芯片封装结构及封装模组-CN202221893014.7有效
发明人：王凯厚;杨剑宏;王鑫琴;袁文杰;王蔚 -专利权人：苏州晶方半导体科技股份有限公司
申请日： 2022-07-21 - 公布日： 2022-12-27 - 主分类号： H01L41/053 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种超声波芯片封装结构及封装模组。封装结构包括衬底、压电薄膜层、焊垫以及金属凸起。所述衬底具有相对设置的第一表面和第二表面，所述第一表面上形成有若干空腔；所述压电薄膜层置于所述衬底的第一表面上，且覆盖所有的所述空腔，以使所述空腔形成真空密闭腔；所述焊垫置于所述衬底的第一表面上，且位于所述压电薄膜层的外侧，所述焊垫与所述压电薄膜层耦合；所述金属凸起置于所述衬底的第二表面一侧，且与所述焊垫之间电性连接。本实用新型的超声波芯片封装结构，提高了超声波芯片的转换率。
超声波芯片封装结构模组

[发明专利]超声波芯片封装结构、封装模组及封装方法-CN202210864917.0在审
发明人：王凯厚;杨剑宏;王鑫琴;袁文杰;王蔚 -专利权人：苏州晶方半导体科技股份有限公司
申请日： 2022-07-21 - 公布日： 2022-11-25 - 主分类号： H01L41/053 文献下载
摘要：本发明公开了一种超声波芯片封装结构、封装模组以及封装方法。封装结构包括衬底、压电薄膜层、焊垫以及金属凸起。所述衬底具有相对设置的第一表面和第二表面，所述第一表面上形成有若干空腔；所述压电薄膜层置于所述衬底的第一表面上，且覆盖所有的所述空腔，以使所述空腔形成真空密闭腔；所述焊垫置于所述衬底的第一表面上，且位于所述压电薄膜层的外侧，所述焊垫与所述压电薄膜层耦合；所述金属凸起置于所述衬底的第二表面一侧，且与所述焊垫之间电性连接。本发明的超声波芯片封装结构，提高了超声波芯片的转换率。
超声波芯片封装结构模组方法

[实用新型]芯片焊垫、芯片和芯片的封装结构-CN202221224195.4有效
发明人： 王鑫琴;谢国梁 -专利权人：苏州晶方半导体科技股份有限公司
申请日： 2022-05-19 - 公布日： 2022-10-14 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种芯片焊垫、芯片和芯片的封装结构，所述焊垫具有相对的第一表面和第二表面，所述焊垫包括间隔设置的多层金属层、位于金属层之间的介质层以及电性连接于相邻所述金属层之间的金属塞；其中，所述焊垫具有孔刻蚀区域，自所述第一表面开始的第一个金属层、或自所述第一表面开始的连续的多个金属层，其对应所述刻蚀孔区域形成有开孔，所述介质层填充于所述开孔内。本实用新型的封装结构中，再布线层与焊垫中厚度较大的金属层电性连接，连接位置不容易发生裂缝、稳定性高。
芯片封装结构

[实用新型]压电微机械超声换能器-CN202121381594.7有效
发明人：王凯厚;杨剑宏;王鑫琴;王蔚 -专利权人：苏州晶方半导体科技股份有限公司
申请日： 2021-06-21 - 公布日： 2022-09-09 - 主分类号： B06B1/06 文献下载
摘要：本实用新型提供一种压电微机械超声换能器，所述压电微机械超声换能器包括：衬底；设置于衬底上支撑层，其形成有至少一个开口朝向衬底的空腔，空腔侧壁、空腔顶壁与衬底围设形成真空密闭腔；设置于支撑层上的压电薄膜，其至少位于空腔上方，并直接受空腔顶壁支承，空腔顶壁直接起到支承压电薄膜的作用，省略常规PMUT结构中的沉积形成的薄膜支撑层等结构，能够显著降低PMUT的制造成本。
压电微机超声换能器

[实用新型]TOF芯片封装结构-CN202122942804.1有效
发明人：熊学飞;周正伟;王鑫琴 -专利权人：苏州晶方半导体科技股份有限公司
申请日： 2021-11-26 - 公布日： 2022-08-12 - 主分类号： G01S17/894 文献下载
摘要：本实用新型揭示了一种TOF芯片封装结构，所述封装结构包括：基板、光接收芯片、光发射芯片、第一透光层、第一红外滤光片、第二红外滤光片和塑封体，光接收芯片顶部两侧分别设有测量探测装置和参考探测装置，光发射芯片顶部设有光发射装置，第一透光层设于参考探测装置和光发射装置上，并连通光接收芯片和光发射芯片，第一红外滤光片设于第一透光层上方，至少部分正对于光发射装置，第二红外滤光片设于测量探测装置上，最后再以塑封材料包裹整体结构表面，并至少暴露第一红外滤光片和第二红外滤光片的部分上表面。本实用新型提出的TOF芯片封装结构，相比内含腔体结构更为稳固，提高产品可靠性，且所涉及的封装工艺简单。
tof 芯片封装结构

[发明专利]芯片焊垫、芯片、芯片的封装结构和方法-CN202210556724.9在审
发明人： 王鑫琴;谢国梁 -专利权人：苏州晶方半导体科技股份有限公司
申请日： 2022-05-19 - 公布日： 2022-07-22 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本发明公开了一种芯片焊垫、芯片、芯片的封装结构和方法，所述焊垫具有相对的第一表面和第二表面，所述焊垫包括间隔设置的多层金属层、位于金属层之间的介质层以及电性连接于相邻所述金属层之间的金属塞；其中，所述焊垫具有孔刻蚀区域，自所述第一表面开始的第一个金属层、或自所述第一表面开始的连续的多个金属层，其对应所述刻蚀孔区域形成有开孔，所述介质层填充于所述开孔内。本发明的封装结构中，再布线层与焊垫中厚度较大的金属层电性连接，连接位置不容易发生裂缝、稳定性高。
芯片封装结构方法

[实用新型]压电微机械超声换能器封装结构-CN202123173519.4有效
发明人：王凯厚;杨剑宏;王鑫琴;沈戌霖;王蔚 -专利权人：苏州晶方半导体科技股份有限公司
申请日： 2021-12-16 - 公布日： 2022-07-19 - 主分类号： H01L41/053 文献下载
摘要：本实用新型提供一种压电微机械超声换能器封装结构，所述压电微机械超声换能器封装结构包括：衬底，所述衬底包括相背的第一表面和第二表面；支撑层，其设置于所述第一表面上，形成有至少一个开口朝向所述第一表面的空腔，所述空腔的侧壁、所述空腔的顶壁与所述第一表面围设形成真空密闭腔；压电薄膜，其设置于所述支撑层上，且至少位于所述空腔上方，并直接受所述空腔的顶壁支承；焊垫，所述焊垫设置于所述支撑层上，且位于所述压电薄膜外侧；金属凸起，其设置于所述第二表面一侧；连接结构，所述连接结构电性连接所述金属凸起和所述焊垫；以及隔离层，所述隔离层设置于所述连接结构和所述支撑层之间，以使所述连接结构和所述支撑层不直接接触。
压电微机超声换能器封装结构

[发明专利]影像传感芯片的封装结构及封装方法-CN202210260164.2在审
发明人： 王鑫琴;沈戌霖;张晓东;汤杰夫 -专利权人：苏州晶方半导体科技股份有限公司
申请日： 2022-03-16 - 公布日： 2022-06-17 - 主分类号： H01L31/0203 文献下载
摘要：本发明公开了一种影像传感芯片的封装结构和方法，该方法包括：提供一晶圆，所述晶圆包括阵列分布的多个待封装芯片，每一个所述待封装芯片分别具有相对的第一表面和第二表面，所述第一表面具有感应区以及焊垫，所述焊垫与所述感应区电耦合；提供一透明盖板，所述透明盖板具有相对的第三表面和第四表面；在透明盖板的第三表面形成滤光涂层；将透明盖板的第四表面和待封装芯片的第一表面相对结合，所述透明盖板覆盖所有的所述待封装芯片；切割所述的晶圆、透明盖板和滤光涂层，形成多个独立的封装结构。本发明采用晶圆级封装方法，技术难度低、成本低，而且未采用蓝玻璃，不会发生因热膨胀系数不一致导致的翘曲的问题。
影像传感芯片封装结构方法

[实用新型]芯片的封装结构-CN202122988514.0有效
发明人：汤杰夫;王鑫琴;杨剑宏;王蔚 -专利权人：苏州晶方半导体科技股份有限公司
申请日： 2021-12-01 - 公布日： 2022-06-14 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种芯片的封装结构，该封装结构包括：待封装芯片，包括相对的第一表面和第二表面，所述第一表面具有感应区以及与所述感应区耦合的焊垫；光学涂层，形成于所述第一表面并覆盖所述的感应区；保护薄膜，形成于所述光学涂层背离所述待封装芯片的表面，所述保护薄膜的材质为有机物，所述有机物的透光率大于95％，折射率在1.5～1.52，肖尔硬度为70～80HD，其中，在所述保护薄膜和所述感应区之间不存在间隙。本实用新型在光学涂层的表面直接形成一透光率极高、硬度足够硬的保护薄膜，工艺简单，厚度小。
芯片封装结构

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