“独虎”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网_中国专利网

首页在售求购查询申请展会资讯专利榜企服商城升级VIP

立即登录免费注册

在售专利
求购专利
查询专利
新闻资讯
技术展会
招商加盟
专利榜

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

专利名称

专利名称
专利号码
专利分类
申请人
公布日期

农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

专利下载VIP

公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

钻瓜专利网为您找到相关结果6个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种有源区制备方法和有源区结构-CN202310208472.5在审
发明人：独虎;李乐;王峰;黄永彬 -专利权人：上海积塔半导体有限公司
申请日： 2023-03-06 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明公开了一种有源区制备方法和有源区结构，所述有源区制备方法包括获取设有浅沟槽的半导体衬底，其中，浅沟槽内设有沟槽氧化层和填充层；刻蚀去除部分填充层和部分沟槽氧化层，以露出浅沟槽的顶角；刻蚀浅沟槽的顶角，并使浅沟槽的顶角形成预设圆角；在预设圆角上重新敷设沟槽氧化层之后，在浅沟槽内重新形成填充层以形成有源区。本发明解决了使用现有方法形成的有源区实际效果不理想的问题，提高了影响了器件的性能和产品良率。
一种有源制备方法结构

[发明专利]介质膜层的制备方法以及半导体器件-CN202210971736.8在审
发明人：叶蕾;独虎;王峰 -专利权人：上海积塔半导体有限公司
申请日： 2022-08-12 - 公布日： 2022-11-04 - 主分类号： H01L21/3105 文献下载
摘要：本发明提供了一种介质膜层的制备方法以及半导体器件，属于半导体制造领域，方法包括在基底上设置金属电极；采用高压应力材料在所述基底及所述金属电极上形成第一氧化硅层，所述第一氧化硅层厚度大于所述金属电极的厚度；研磨所述第一氧化硅层，直至所述金属电极显露在所述第一氧化硅层的表面；在所述第一氧化硅层和所述金属电极表面通过低压应力材料沉积第二氧化硅层，所述第一氧化硅层和所述第二氧化硅层构成介质膜层，所述低压应力材料的压应力低于所述高压应力材料的压应力，所述高压应力材料的压应力取值范围不小于150MPa。通过本申请的处理方案，避免金属电极间漏电，提升了工艺的可靠性。
介质制备方法以及半导体器件

[发明专利]一种半导体器件及其制备方法-CN202210853909.6在审
发明人：独虎;叶蕾;黄永彬 -专利权人：上海积塔半导体有限公司
申请日： 2022-07-12 - 公布日： 2022-09-16 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件及其制备方法，该半导体器件的制备方法包括以下步骤：提供一包括半导体层、隔离结构、有源区及栅极结构的半导体结构；于半导体结构的上表面依次形成阻挡层及位于阻挡层上表面的光阻层；形成位于光阻层中的第一开口，第一开口的底部显露出阻挡层，基于第一开口于有源区的上表层形成阱区，并去除第一开口底部的阻挡层以形成位于阻挡层中的第二开口；去除光阻层，并基于第二开口形成源漏区，源漏区位于栅极结构与隔离层之间的阱区的上表层；去除阻挡层。本发明通过于半导体结构的上表面及光阻层之间形成一层阻挡层，避免了形成阱区过程中造成器件等离子体损伤及形成源漏区过程中工艺稳定性差的问题。
一种半导体器件及其制备方法

[发明专利]晶圆处理装置及晶圆缺陷评价方法-CN202110317141.6有效
发明人：蒲以松;独虎;其他发明人请求不公开姓名 -专利权人：西安奕斯伟硅片技术有限公司
申请日： 2021-03-25 - 公布日： 2021-10-22 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明公开了一种晶圆处理装置及晶圆缺陷评价方法，所述晶圆处理装置包括电解槽、电源、电解阴极、电解阳极和支架，所述电解阴极、电解阳极和支架设置在电解槽内，所述电源为所述电解阴极和电解阳极供电，所述电解阴极安装在所述支架上，所述支架上安装的所述电解阴极能够与至少两片晶圆接触，所述电解阳极与所述晶圆不接触，所述电解槽内能够容纳电解质溶液，所述电解阴极、电解阳极和晶圆位于所述电解质溶液内。本发明提供的晶圆处理装置及晶圆缺陷评价方法可以有效提高待测晶圆的处理数量，并且不会影响铜沉积效果和实验条件，能够保证实验结果的准确性。
处理装置缺陷评价方法

[实用新型]一种晶圆热处理装置-CN202023034108.2有效
发明人：蒲以松;独虎;米文献 -专利权人：西安奕斯伟硅片技术有限公司;西安奕斯伟材料技术有限公司
申请日： 2020-12-16 - 公布日： 2021-08-17 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种晶圆热处理装置，包括壳体、底座、加热器(2)和气体输送组件，在所述壳体的封闭端处安装有气体喷头(6)，所述气体输送组件与所述气体喷头(6)连接，所述壳体的开口端处安装有排气管(8)，所述晶舟(7)位于所述气体喷头(6)和排气管(8)之间，所述晶舟(7)包括第一连接环(73)、第二连接环(72)和连接所述第一连接环(73)和第二连接环(72)的多根支撑杆(71)，在所述支撑杆(71)上固定有用于放置晶圆的卡槽。本实用新型提供的晶圆热处理装置能够有效减少紊流，在降低挡片的使用数量的同时，可以提高产品的质量和良率。
一种热处理装置

[发明专利]炉管清洁方法及清洁设备-CN202011073112.1在审
发明人：衡鹏;李亮亮;独虎 -专利权人：西安奕斯伟硅片技术有限公司;西安奕斯伟材料技术有限公司
申请日： 2020-10-09 - 公布日： 2021-01-05 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明涉及一种炉管清洁方法，包括：将预设量的具有疏水性的硅片放入炉管中、并对炉管采用第一预设温度进行加热第一预设时间，使得硅片吸收炉管内的污染物。利用疏水性硅片对炉管进行清洗，去除炉管内的污染物，且不影响晶舟的寿命。本发明还涉及一种炉管清洁设备。
炉管清洁方法设备

1
共 6 条

友情链接：交换友情链接需要网站权重大于4，网站收录10W以上，如符合条件，请联系QQ：76009968。

关于我们寻求报道投稿须知广告合作版权声明网站地图友情链接企业标识联系我们

在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

版权所有钻瓜科技（天津）有限公司津ICP备15000985号津公网安备 12019202000206号http://www.vipzhuanli.com/公布日期

咨询在线客服

咨询在线客服

tel code back_top