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专利名称

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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN202310684230.3在审
发明人：陈思桦;林政明;尤韦翔;何韦德;温伟源;廖思雅 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2023-06-09 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：提供了半导体结构及其形成方法。在一个实施例中，一种示例性方法包括：在衬底上方形成与半导体鳍接合的伪栅极堆叠件，在衬底上方共形地沉积第一介电层，在第一介电层上方共形地沉积第二介电层，回蚀刻第一介电层和第二介电层，以形成沿着伪栅极堆叠件的侧壁表面延伸的栅极间隔件，栅极间隔件包括第一介电层和第二介电层，在半导体鳍中及半导体鳍上方并且邻近伪栅极堆叠件形成源极/漏极部件，并且用栅极结构替换伪栅极堆叠件，其中，第一介电层的介电常数小于氧化硅的介电常数，并且第二介电层比第一介电层更不容易被氧化。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]半导体器件及其形成方法-CN202310321302.8在审
发明人：石哲齐;锺政庭;林含谕;温伟源;廖思雅 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2023-03-29 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： H01L23/528 文献下载
摘要：本发明提供了半导体器件及其形成方法，其使用高kappa介电接合层而促进改进的热导率。在至少一个示例中，提供了包括第一衬底的器件。半导体器件层设置在第一衬底上，并且半导体器件层包括一个或多个半导体器件。前侧互连结构设置在半导体器件层上，并且接合层设置在前侧互连结构上。第二衬底设置在接合层上。接合层具有大于10W/m·K的热导率。
半导体器件及其形成方法

[发明专利]半导体结构的制造方法-CN202210178828.0在审
发明人：姆鲁尼尔·阿必吉斯·卡迪尔巴德;马哈维;温伟源 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-02-25 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： H01L29/10 文献下载
摘要：本公开描述一种具低接触电阻的二维通道场效晶体管及此结构的制造方法。方法包括于半导体基板上沉积介电层，于介电层上沉积金属层，且于金属层上沉积硬遮罩层。方法更包括借由移除部分硬遮罩层和部分金属层形成栅极开口。方法更包括于栅极开口的侧壁上沉积间隙壁材料层和形成通道，通道包括在栅极开口的底部的过渡金属硫属化合物(TMC)层。方法更包括于通道上和栅极开口中形成栅极结构以及移除硬遮罩层。
半导体结构制造方法

[发明专利]源/漏碳注入和RTA退火,预SiGe淀积-CN200810146814.0有效
发明人： 温伟源;聂俊峰;陈静怡;张绚;杨宗儒;林立德 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2008-08-25 - 公布日： 2009-11-04 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了源/漏碳注入和RTA退火，预SiGe淀积。还公开了一种阻挡掺杂杂质从应力结构向外扩散的半导体器件系统、结构和源/漏的制造方法。说明性实施例包括半导体衬底、器件、和阻挡源/漏区中掺杂杂质侧壁外扩散的方法。提供具有栅结构、和具有在所述栅结构相对两侧的源和漏的半导体衬底。在所述源和漏的一部分蚀刻凹槽区。在所述凹槽区埋植掺杂的应力结构。将阻挡掺杂杂质并入所述源和漏的其余部分。
注入 rta 退火 sige 淀积

[外观设计]茶几(C5型)-CN01320718.0无效
发明人： 温伟源 -专利权人： 温伟源
申请日： 2001-07-09 - 公布日： 2002-02-20 - 主分类号： 06-03-N0035 文献下载
摘要：后视图与主视图相对称，省略后视图；右视图与左视图相对称，省略右视图；产品底部为不常见部位，省略仰视图。
茶几 c5

[外观设计]茶几(C4型)-CN01320717.2无效
发明人： 温伟源 -专利权人： 温伟源
申请日： 2001-07-09 - 公布日： 2002-01-23 - 主分类号： 06-03-N0035 文献下载
摘要：后视图与主视图相同，省略后视图；右视图与左视图相同，省略右视图；产品底部为不常见部位，省略仰视图。
茶几 c4

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