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[发明专利]基板处理方法、基板处理装置以及记录介质-CN202310855359.6在审
发明人：五师源太郎;清濑浩巳;清原康雄 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2017-09-28 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供一种基板处理方法、基板处理装置以及记录介质。基板处理方法包括以下工序：流体导入工序，向处理容器内导入超临界状态的处理流体；流体保持工序，将处理容器内维持为能够使处理流体维持超临界状态的压力；以及流体供给排出工序，重复地交替进行降压工序和升压工序，在降压工序中，使处理容器内的压力下降，直到处理容器内成为不引起超临界状态的处理流体的气化的排出到达压力为止，在升压工序中，使处理容器内的压力上升，直到处理容器内成为比排出到达压力高且不引起处理流体的气化的供给到达压力为止，在降压工序中，通过控制用于调整流体的排出量的排气调整阀的开度来将处理容器内的流体排出，直到处理容器内成为排出到达压力为止。
处理方法装置以及记录介质

[发明专利]基板处理装置、基板处理方法以及存储介质-CN201711142504.7有效
发明人：大野广基;江头佳祐;五师源太郎;川渕洋介;北山将太郎;丸本洋;增住拓朗;束野宪人;清濑浩巳 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2017-11-17 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供一种使附着于使用超临界流体进行处理后的基板的表面的微粒水平降低的基板处理装置、基板处理方法以及存储介质。在将处理容器(301)内的压力从比处理流体的临界压力低的压力(例如常压)升压到比临界压力高的处理压力的升压工序的至少一部分期间，一边使处理流体以被控制后的排出流量从处理容器排出，一边从流体供给源向处理容器供给处理流体，由此进行升压。附着于处理容器内的构件表面的微粒由于从流体供给源向处理容器供给处理流体而上扬。该微粒与处理流体一起从处理容器被排出。
处理装置方法以及存储介质

[发明专利]基板处理装置的清洗方法和基板处理装置的清洗系统-CN201711248022.X有效
发明人：北山将太郎;五师源太郎;大野广基;江头佳祐;川渕洋介;丸本洋;增住拓朗;束野宪人;清濑浩巳 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2017-12-01 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：提供一种基板处理装置的清洗方法和基板处理装置的清洗系统。在使用超临界流体来使晶圆干燥的情况下，抑制大量微粒附着于晶圆。实施方式所涉及的基板处理装置的清洗方法是使由于液体而表面湿润的状态的基板与超临界流体接触来进行使基板干燥的干燥处理的基板处理装置的清洗方法，包括清洗用气体填充工序和排气工序。在清洗用气体填充工序中，将含有异丙醇的清洗用气体填充于基板处理装置的内部。在排气工序中，在清洗用气体填充工序之后，将清洗用气体从基板处理装置的内部排出。
处理装置清洗方法系统

[发明专利]基板处理方法、基板处理装置以及记录介质-CN201710894040.9有效
发明人：五师源太郎;清濑浩巳;清原康雄 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2017-09-28 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供一种能够抑制处理流体的消耗量且在短时间内进行使用超临界状态的处理流体来将液体从基板除去的干燥处理的基板处理方法、基板处理装置以及记录介质。基板处理方法包括以下工序：第一处理工序，将处理容器内的流体排出，直到成为不引起处理容器内存在的超临界状态的处理流体的气化的第一排出到达压力为止，之后，向处理容器内供给处理流体，直到成为不引起处理容器内的处理流体的气化的第一供给到达压力为止；第二处理工序，将处理容器内的流体排出，直到成为不引起超临界状态的处理流体的气化的第二排出到达压力为止，之后，向处理容器内供给处理流体，直到成为不引起处理容器内的处理流体的气化的第二供给到达压力为止。
处理方法装置以及记录介质

[发明专利]基板处理装置、基板处理方法以及存储介质-CN201711066490.5有效
发明人：五师源太郎;江头佳祐;川渕洋介;清濑浩巳;增住拓朗;大野广基;束野宪人;丸本洋;北山将太郎 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2017-11-02 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供一种基板处理装置、基板处理方法以及存储介质。防止处于图案的凹部内的液体在被置换为超临界状态的处理流体之前蒸发。包括以下工序：升压工序，将表面附着有液体的基板容纳于处理容器后向处理容器供给被加压后的处理流体，来使处理容器内的压力上升至比处理流体的临界压力高的处理压力；流通工序，在处理容器内至少维持使处理流体维持超临界状态的压力，并一边向处理容器供给处理流体一边从处理容器排出处理流体。在升压工序中，停止从第二流体供给部供给所述处理流体，从第一流体供给部向处理容器内供给处理流体，直到至少处理容器内的压力达到处理流体的临界压力为止。在流通工序中，从第二流体供给部向处理容器内供给处理流体。
处理装置方法以及存储介质

[发明专利]基板处理方法及基板处理系统-CN201611185615.1有效
发明人：丸本洋;河野央;清濑浩巳;中森光则;光冈一行 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2016-12-20 - 公布日： 2021-10-29 - 主分类号： H01L21/30 文献下载
摘要：本发明提供一种基板处理方法及基板处理系统，能够使倒塌的图案复原。基板处理方法包括：向在表面形成了具有多个凸部(2)的图案的基板供给处理液的液处理工序；将存在于所述基板的表面的所述处理液除去、使基板干燥的干燥工序；在所述干燥工序之后、使彼此相邻的所述凸部的粘连部(2a)分离开的分离工序。
处理方法系统

[发明专利]基片处理方法、存储介质和基片处理系统-CN201810902225.4在审
发明人：束野宪人;五师源太郎;增住拓朗;清濑浩巳;福井祥吾 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2018-08-09 - 公布日： 2019-02-26 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供能够提高形成在基片的表面上的处理液的液膜的厚度的精度的基片处理方法。在本发明的基片处理方法中，首先，作为液膜形成步骤，使基片(W)以第一转速旋转并且向基片(W)的表面供给处理液，形成覆盖基片(W)的表面的处理液的液膜。在液膜形成步骤之后，作为供给停止步骤，使基片(W)的转速成为第一转速以下的转速，并且停止向基片(W)供给处理液。在供给停止步骤之后，作为液量调整步骤，使基片(W)的转速成为比第一转速大的转速，减少形成液膜的处理液的液量。
处理液液膜基片处理供给停止液量基片处理系统存储介质调整步骤覆盖

[发明专利]基板处理装置-CN201180036016.2有效
发明人： 清濑浩巳;平木哲;渡部博 -专利权人：仓敷纺织株式会社;株式会社化学工艺技术
申请日： 2011-07-21 - 公布日： 2013-06-12 - 主分类号： H01L21/306 文献下载
摘要：提供一种由于能够直接检测处理液的浓度，因而能够几乎不受处理液温度影响地进行独立的浓度控制，从而能够精度良好地对基板进行药液处理的基板处理装置。在将基板浸渍在将药液和稀释液混合而成的处理液中进行处理的基板处理装置中，包括：处理槽（1），贮留处理液；加热单元（2、3），加热处理液；温度检测单元（4），检测处理液的温度；温度控制单元（5），操作所述加热单元（2、3）以使检测温度接近设定温度；补充单元（6），将稀释液补充到处理液中；浓度检测单元（7），通过测量处理液的吸光特性来检测处理液的浓度；以及浓度控制单元（8），操作所述补充单元（6）以使检测浓度接近设定浓度。
处理装置

[发明专利]基板处理装置-CN201210311001.9有效
发明人：东昇;平木哲;清濑浩巳;佐藤秀明;小宫洋司 -专利权人：仓敷纺织株式会社;东京毅力科创株式会社
申请日： 2012-08-28 - 公布日： 2013-03-13 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供一种基板处理装置，由于可直接检测处理液的浓度，所以能够进行独立的浓度控制，且由于不易产生因透镜温度变化引起的测定误差，因此能够高精度地进行基板的药液处理。一种在由磷酸和稀释液混合而成的处理液中浸渍基板而进行处理的基板处理装置，具备通过测定处理液的吸光特性而检测处理液浓度的浓度检测单元，浓度检测单元具备：透光部，将处理液导入内部并使之在内部流通；发光部，向透光部照射规定波长的光；受光部，通过透光部接收来自发光部的光；第一透镜，将由发光部发出的光汇聚于透光部；第二透镜，将通过透光部的光汇聚于受光部；和冷却机构，冷却第一透镜和第二透镜中的至少任一个。
处理装置

[发明专利]基板处理装置-CN200810145403.X有效
发明人： 清濑浩巳 -专利权人：大日本网屏制造株式会社
申请日： 2008-08-05 - 公布日： 2009-03-25 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：本发明提供一种能够长时间地将磷酸水溶液的蚀刻特性维持在规定水平的基板处理装置。添加剂投入机构(30)向贮留在浸渍处理槽(10)内的磷酸水溶液中，逐次投入含有六氟硅酸水溶液(H₂SiF₆+H₂O)的添加剂。而且，捕集剂投入机构(40)向磷酸水溶液中，投入含有氟硼酸水溶液(HBF₄+H₂O)的捕集剂。通过逐次投入添加剂，能够适当补充促进氮化硅膜的蚀刻的F^-，并且，通过氟硼酸分解的氢氟酸蚀刻因逐次投入该添加剂而增加的硅氧烷，能够抑制硅氧烷的浓度显著升高。由此，对于氮化硅膜以及氧化硅膜两者，能够维持在初始的蚀刻速度。
处理装置

[发明专利]基板处理装置-CN200710153485.8无效
发明人： 清濑浩巳;小林照幸 -专利权人：大日本网目版制造株式会社
申请日： 2007-09-20 - 公布日： 2008-03-26 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：本发明提供能将形成在基板上的氮化硅膜的蚀刻速率维持恒定的基板处理装置。贮存于浸渍处理槽(10)的磷酸水溶液通过循环管线(20)循环。通过将形成有氧化硅膜以及氮化硅膜的基板(W)浸渍在浸渍处理槽(10)的磷酸水溶液中，进行氮化硅膜的选择性蚀刻处理。再生管线(30)，将通过循环管线(20)循环的磷酸水溶液中的一部分取出，并通过再生装置(31)回收、排出硅氧烷而再生磷酸水溶液。控制部(40)根据出口侧浓度计(24)及入口侧浓度计(32)的测定结果，控制流量调节阀(33)来调整回流至浸渍处理槽(10)的磷酸水溶液的流量，以使贮存在所述浸渍处理槽(10)的磷酸水溶液中含有的硅氧烷浓度为恒定值。
处理装置

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