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[发明专利]一种大功率芯片封装键合的方法及芯片封装件-CN202311016586.6在审
发明人：申凤仪;申广;祁山;何懿德 -专利权人： 深圳瑞沃微半导体科技有限公司
申请日： 2023-08-11 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H01L21/50 文献下载
摘要：本申请提供了一种大功率芯片封装键合的方法及芯片封装件，相对于现有芯片封装技术存在焊接面空洞、虚焊、假焊和散热性能低等问题，本申请提供了使芯片电极与基板金属层在常温下结合生长在一起的解决方案，具体为：将芯片与封装基板固定；其中，芯片的电极朝向封装基板并与通孔的位置对应；通过增材制造方式在通孔内使金属层进行生长，并使生长的金属层与电极形成电连接；对芯片和封装基板的表面进行灌胶封装。本发明在常温下操作，完全避免了高温、高压对芯片的伤害；采用蒸发、溅射、沉铜、电镀或化学镀等方法或之一，使芯片电极与基板金属层在常温下结合生长在一起，避免了空洞、虚焊等缺陷，表面接触良好，大幅度提高了芯片的散热性能。
一种大功率芯片封装方法

[发明专利]一种LED芯片巨量转移的方法及发光模组-CN202310908944.8在审
发明人：申凤仪;申广;祁山;何懿德 -专利权人： 深圳瑞沃微半导体科技有限公司
申请日： 2023-07-21 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H01L33/48 文献下载
摘要：本申请提供了一种LED芯片巨量转移的方法及发光模组，相对于现有技术中的难以将大量不同发光颜色的LED芯片又快又准地转移到目标基板上，本申请提供了将LED芯片批量转移的解决方案，具体为：将所述LED芯片的第一目标阵列转移至第一目标载板的第一目标区域；将所述第一目标载板旋转指定角度，并将所述LED芯片的第二目标阵列转移至第二目标载板的第二目标区域。本申请的巨量转移方法具有高一致性和高重复性的特点，提高转移效率，降低成本。
一种 led 芯片巨量转移方法发光模组

[发明专利]一种芯片重构方法及重构芯片-CN202310257791.5在审
发明人：申广;祁山;何懿德 -专利权人： 深圳瑞沃微半导体科技有限公司
申请日： 2023-03-07 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本申请提供了一种芯片重构方法，本申请提供了“通过增材制造方式将所述芯片电极区域增高至第二预设高度”的解决方案，具体为：将晶圆的芯片电极朝上，并将所述晶圆的非芯片电极区域制作金属层至第一预设高度；其中，所述第二预设高度为芯片电极需要增高的高度；通过增材制造方式将所述芯片电极区域增高至第二预设高度，得到重构电极晶圆；将所述重构电极晶圆的所述金属层去除，并进行分割得到重构电极芯片。本申请提高了芯片电极的强度，同时芯片电极高度的增加也起到了一定的缓冲作用，有效地化解了芯片电极与封装基板之间的热应力，避免出现芯片电极脱落或分层的失效故障的问题。
一种芯片方法

[发明专利]一种基于芯片电极重构的扇出型封装方法及芯片封装件-CN202211729711.3在审
发明人：申广;祁山;何懿德 -专利权人： 深圳瑞沃微半导体科技有限公司
申请日： 2022-12-30 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： H01L33/48 文献下载
摘要：本申请提供了一种基于芯片电极重构的扇出型封装方法及芯片封装件，通过增材制造方式使所述电极沿竖直方向生长至预设高度，得到电极延长柱；通过增材制造方式使所述电极延长柱远离所述电极的一端往所述电极的方向向外延伸，得到两个相对设置的电极延长面；通过增材制造方式在所述电极延长面远离所述芯片的一端制备金属柱，得到扇出电极件；其中，所述金属柱高于所述电极延长柱；对所述扇出电极件进行灌胶封装，得到芯片封装件。通过在电子芯片的电极重构过程中，在芯片周围形成了环绕的电极，可以起到反射杯的作用，同时，由于其电极上下起伏形式的扇出型封装，很好地起到了热应力缓冲的作用，解决了电子芯片工作中热应力冲击的难题。
一种基于芯片电极扇出型封装方法

[发明专利]一种芯片重构方法及重构芯片-CN202310256315.1在审
发明人：申广;祁山;何懿德 -专利权人： 深圳瑞沃微半导体科技有限公司
申请日： 2023-03-07 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本申请提供了一种芯片重构方法，本申请提供了“通过增材制造方式将所述芯片电极区域增高至第二预设高度”的解决方案，具体为：将晶圆的芯片电极朝上，并将所述晶圆的非芯片电极区域制作金属层至第一预设高度；其中，所述第二预设高度为芯片电极需要增高的高度；通过增材制造方式将所述芯片电极区域增高至第二预设高度，得到重构电极晶圆；将所述重构电极晶圆的所述金属层去除，并进行分割得到重构电极芯片。本申请提高了芯片电极的强度，同时芯片电极高度的增加也起到了一定的缓冲作用，有效地化解了芯片电极与封装基板之间的热应力，避免出现芯片电极脱落或分层的失效故障的问题。
一种芯片方法

[发明专利]一种芯片的扇出型封装方法及芯片封装件-CN202211537324.X在审
发明人：祁山;申广;何懿德 -专利权人： 深圳瑞沃微半导体科技有限公司
申请日： 2022-12-02 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L21/56 文献下载
摘要：本申请提供了一种芯片的扇出型封装方法及芯片封装件。所述扇出型封装方法用于对包括由内至外依次设置的至少两圈电极的芯片进行封装，包括：将所述芯片放置在第一载板的表面；其中，所述电极朝上；按照由外圈至内圈的顺序，依次通过增材制造方式分别使对应圈的所述电极沿径向向外延伸和使全部所述电极的端部沿通孔向上延伸；将所述芯片翻转至第二载板的表面，并对所述芯片灌胶封装，得到芯片封装件。本申请通过直接在芯片电极上生长扇出线路，避免了传统焊接工艺造成焊点品质难以控制的问题，提高了产品的可靠性，并且免除了重布线层载板，适合批量生产，大幅降低了封装成本，同时提高了产品的散热性能。
一种芯片扇出型封装方法

[发明专利]一种芯片堆叠封装的方法及芯片封装件-CN202310019019.X在审
发明人：祁山;申广;何懿德 -专利权人： 深圳瑞沃微半导体科技有限公司
申请日： 2023-01-06 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L21/48 文献下载
摘要：本申请提供了一种芯片堆叠封装的方法及芯片封装件，通过在芯片的周侧铺设封装胶层；其中，封装胶层的内部设有纵向延伸的通孔；通过增材制造方式将芯片的目标电极沿封装胶层的表面从通孔的内壁延伸至芯片的底部；通过增材制造方式沿通孔内壁的方向延长得到空心导电通路，并对空心导电通路的周侧进行灌胶封装，得到预制封装件；将若干预制封装件叠放，通过增材制造方式将对应位置的空心导电通路连接并导通，得到芯片封装件。通过金属化互连做重新分布层，空心通孔将多层对接和金属化，实现电路互连和上下层连接，提高生产效率和工艺质量，降低工艺难度和制作成本，保证产品的可靠性。
一种芯片堆叠封装方法

[发明专利]一种光电耦合器制造方法及光电耦合器-CN202211556729.8在审
发明人：祁山;申广;何懿德 -专利权人： 深圳瑞沃微半导体科技有限公司
申请日： 2022-12-06 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： H01L21/56 文献下载
摘要：本申请提供了一种光电耦合器制造方法及光电耦合器，本申请提供了通过增材制造方式将所述第一芯片的底部电极进行生长，得到第一底部延长面，并在所述第一底部延长面的同一平面设置第一顶部延长面、第二底部延长面和第二顶部延长面；通过增材制造方式将所述第一芯片的顶部电极与所述第一顶部延长面进行连接，得到第一导电通路；通过增材制造方式将所述第二顶部延长面和所述第二芯片的顶部电极进行连接，得到第二导电通路；通过增材制造方式将所述第二底部延长面和所述第二芯片的底部电极进行连接，得到第三导电通路。实现了发射芯片和接收芯片的最佳反应效果，提高了产品的一致性和稳定性，免基板封装，实现了小型化、超薄化封装形式。
一种光电耦合器制造方法

[发明专利]一种被动式LED模组的层叠封装方法及层叠封装模组-CN202211638421.8在审
发明人：祁山;申广;何懿德 -专利权人： 深圳瑞沃微半导体科技有限公司
申请日： 2022-12-19 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： H01L25/075 文献下载
摘要：本申请提供了一种被动式LED模组的层叠封装方法及层叠封装模组。层叠封装方法包括分别对各光色的LED单体进行封装，得到对应光色的LED封装模组；LED封装模组包括按照预设阵列排列的LED芯片，相同行的LED芯片互相连接，相同列的LED芯片互相连接；将各光色的LED封装模组依次层叠设置，得到层叠封装模组。本申请通过将至少两种光色的LED单体层叠封装，实现了不同光色的LED芯片发光方向一致，混光效果较好，并且，每种光色的LED芯片单独排列，大幅提高了生产效率，降低了生产成本。
一种被动式 led 模组层叠封装方法

[发明专利]一种LED模组的面板级封装方法及LED封装模组-CN202211633156.4在审
发明人：申广;祁山;何懿德 -专利权人： 深圳瑞沃微半导体科技有限公司
申请日： 2022-12-19 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： H01L33/62 文献下载
摘要：本申请提供了一种LED模组的面板级封装方法及LED封装模组。面板级封装方法用于对一种或几种光色的LED芯片进行封装，包括通过增材制造方式使各芯片电极向上延伸至预设平面；将电路基板放置在预设平面；其中，电路基板包括绝缘层、导电层和驱动电路；电路基板设有基板通孔，基板通孔与芯片电极的位置相对应；通过增材制造方式使各芯片电极沿基板通孔延伸并与导电层连接；对各LED芯片和电路基板灌胶封装，得到LED封装模组。本申请通过增材制造方式实现了LED芯片与电路基板的电性互连，解决了传统焊接工艺造成焊点品质难以保证的问题，提高了产品的质量和可靠性，并且可以对多个LED芯片批量进行封装，提高了生产效率。
一种 led 模组面板封装方法

[发明专利]一种芯片的互连封装方法及芯片封装件-CN202211537338.1在审
发明人：祁山;申广;何懿德 -专利权人： 深圳瑞沃微半导体科技有限公司
申请日： 2022-12-02 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本申请提供了一种芯片的互连封装方法及芯片封装件。互连封装方法用于对至少两个上下电极芯片进行封装，包括：通过增材制造方式使各个第一电极互相连接形成第一互连通路，并使第一互连通路向上延伸至第一预设平面；通过增材制造方式在第一预设平面制备第二互连通路，并使第一互连通路和第二互连通路分别向上延伸至第二预设平面；通过增材制造方式使各个第二电极分别与第二互连通路连接，并对芯片灌胶封装，得到芯片封装件。本申请通过直接在芯片的电极上生长互连线路，避免了传统焊接工艺造成焊点品质难以控制的问题，提高了产品的可靠性，可以对多个芯片批量进行封装，大幅提高了封装效率，并且免除了封装基板，降低了生产成本。
一种芯片互连封装方法

[发明专利]一种三基色LED阵列制作方法及三基色LED阵列-CN202211122102.1在审
发明人：祁山;申广;何懿德 -专利权人： 深圳瑞沃微半导体科技有限公司
申请日： 2022-09-15 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： H01L33/48 文献下载
摘要：本申请提供了一种三基色LED阵列制作方法及三基色LED阵列，所述发光芯片包括第一电极和第二电极；所述三基色LED阵列制作方法包括：在每列的所述发光芯片的一侧分别设置相对应的驱动芯片，并通过增材制造方式将所述发光芯片的第一电极分别与相对应的驱动芯片的第二电极连接并导通，得到第一导电通路；通过增材制造方式将所述红光芯片的第二电极、所述绿光芯片的第二电极和所述蓝光芯片的第二电极电极连接并导通，得到第二导电通路；将所述驱动芯片的第一电极通过增材制造方式进行生长并延长，得到第三导电通路。通过在芯片上形成第一导电通路和第二导电通路以及第三导通电路，能够有效减小尺寸，提升产品可靠性，降低生产制作成本。
一种基色 led 阵列制作方法

[发明专利]一种芯片CSP封装方法及芯片封装件-CN202211619066.X在审
发明人：申广;祁山;何懿德 -专利权人： 深圳瑞沃微半导体科技有限公司
申请日： 2022-12-13 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： H01L21/56 文献下载
摘要：本申请提供了一种芯片CSP封装方法及芯片封装件，通过增材制造方式在封装基板的表面制备金属种子层；通过增材制造方式在金属种子层的表面制备第一导电通路；将芯片放置在封装基板的表面，并对芯片和第一导电通路进行灌胶封装；通过增材制造方式在预制封装件的表面制备第二导电通路，并对第二导电通路进行灌胶封装；第二导电通路的端部分别与第二电极和第一导电通路靠近第二电极的端部连接；通过增材制造方式分别制备对应于第一电极的第一拓展通路和对应于第一导电通路靠近第一电极端部的第二拓展通路，得到芯片封装件。通过将芯片的第一电极和第二电极转换到同一面上，实现上下电极的芯片CSP形式的封装，免除了封装基板，降低封装成本。
一种芯片 csp 封装方法

[发明专利]一种大功率器件封装方法及大功率器件-CN202211102217.4在审
发明人：祁山;申广;何懿德 -专利权人： 深圳瑞沃微半导体科技有限公司
申请日： 2022-09-09 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： H01L21/50 文献下载
摘要：本申请提供了一种大功率器件封装方法及大功率器件，通过增材制造方式将所述底面电极的引脚沿第一预设轨迹进行生长，并灌胶封装至露出所述底面电极的引脚，得到至少两个第一延长柱通过增材制造方式在预设平面将所述第一延长柱进行连接生成底面电极延长面，并在一侧通过增材制造方式在所述预设平面设置顶面电极延长面；通过底面电极延长柱面和顶面延长面从而使得大功率器件电极与封装基板的互连形成一种柔性互连，有效地降低了热应力对芯片电极的直接作用力，大幅提高了器件的可靠性，延长器件的使用寿命。同时由于采用芯片电极直接增材制造方式生长，降低了焊接热阻，大幅提高了芯片的散热能力。
一种大功率器件封装方法

[发明专利]一种芯片封装方法及芯片封装件-CN202211053955.4在审
发明人：申广;祁山;何懿德 -专利权人： 深圳瑞沃微半导体科技有限公司
申请日： 2022-08-31 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： H01L21/50 文献下载
摘要：本申请提供了一种芯片封装方法及芯片封装件，芯片封装方法用于将芯片封装至封装基板的表面，其中，芯片包括相对设置的第一电极和第二电极，第一电极朝向封装基板；芯片封装方法包括：将芯片放置在封装基板的表面，并在芯片的周侧铺设导电过渡层；其中，导电过渡层的内部设有纵向延伸的通孔；通过增材制造方式使第二电极沿导电过渡层的表面和通孔延伸至封装基板的表面；将导电过渡层蚀刻去除，并对芯片进行灌胶封装，得到芯片封装件。本申请将芯片的第一电极和第二电极转换到芯片的同一面上，以便对芯片进行CSP封装，有效减少了封装尺寸，提升了封装效率，降低了封装成本。
一种芯片封装方法

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