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专利名称

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申请人
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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]距离图像拍摄装置及距离图像拍摄方法-CN202180036313.0在审
发明人： 永濑正规;矶部圭吾 -专利权人：布鲁克曼科技株式会社
申请日： 2021-05-21 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： G01S7/497 文献下载
摘要：本发明的距离图像拍摄装置包括光源部、距离图像传感器和距离图像处理部，所述光源部用于将照射光照射到作为测量对象的空间的测量空间，所述距离图像传感器用于将包括来自测量空间中的对象物的反射光的光作为入射光进行受光，在每个像素中蓄积由该入射光生成的电荷，并生成由在每个像素中蓄积的电荷的电荷量构成的距离图像，所述距离图像处理部用于从距离图像中的电荷量中，不依赖于距离图像传感器中用于蓄积电荷的控制而存储基于非控制电荷的信号值，并使用存储的信号值来校正并获取与空间中的对象物的距离。
距离图像拍摄装置方法

[发明专利]测距装置、摄像头以及测距装置的驱动调整方法-CN201980067602.X在审
发明人： 永濑正规 -专利权人：布鲁克曼科技株式会社
申请日： 2019-09-27 - 公布日： 2021-06-01 - 主分类号： G01S7/4865 文献下载
摘要：提供一种改善远景的线性并扩大测距范围的测距装置。测距装置具备：N个电荷分配栅极，将在受光区域进行光电转换而得的信号电荷依次进行分配传输；电荷排出栅极，从受光区域排出电荷；N个电荷蓄积区域，分别蓄积信号电荷；驱动电路(94)，向N个电荷分配栅极和电荷排出栅极依次提供驱动信号；读取放大电路，读取蓄积在N个电荷蓄积区域中的信号电荷；逻辑运算电路(71)，输入经由读取放大电路的信号来实施运算，该运算包括计算到目标物(92)的距离；以及控制运算电路(74)，根据逻辑运算电路(71)所输出的值，生成使N个电荷分配栅极内的特定的电荷蓄积时间扩展的信号。
测距装置摄像头以及驱动调整方法

[发明专利]测距装置、照相机、检查调整装置、测距装置的驱动调整方法及检查调整方法-CN201980056057.4在审
发明人： 永濑正规 -专利权人：布鲁克曼科技株式会社
申请日： 2019-06-25 - 公布日： 2021-04-09 - 主分类号： G01S7/481 文献下载
摘要：具备：发光部(91)；多个电荷蓄积区域，配置在接收来自对象物(92)的反射光的受光区域的周围；驱动电路(94)，在隔着偏移时间的不同的定时向分送在受光区域进行光电转换而得到的信号电荷的分配栅极结构供给传输信号；距离运算电路(71)，将蓄积在多个电荷蓄积区域中的信号电荷作为信号输入，并计算到对象物(92)的距离；以及控制运算电路(73a)，根据距离运算电路(71)输出的运算结果，生成对驱动电路(94)的动作进行控制的信号并供给到驱动电路(94)。
测距装置照相机检查调整驱动方法

[发明专利]背面照明成像器件及其制造方法、半导体基片和成像设备-CN200910140704.8有效
发明人：宇家真司;永濑正规;中桥洋介;蜂谷透 -专利权人：富士胶片株式会社
申请日： 2007-09-20 - 公布日： 2009-10-07 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明提供背面照明成像器件及其制造方法、半导体基片和成像设备。一种背面照明成像器件通过从p型基片的背面照射光以基于光而在基片中产生电荷、并且从所述基片的正面读取电荷来进行成像。该器件包括：半导体基片中的第一半导体层，所述第一半导体层具有第一电导率并且累积电荷；处在半导体基片背面内侧并且具有与第一电导率类型相反的第二电导率的第二半导体层；以及处在第一半导体层和第二半导体层之间的第三半导体层，所述第三半导体层具有1.0×10¹⁴/cm³或更低的杂质浓度。
背面照明成像器件及其制造方法半导体设备

[发明专利]背面照明成像器件及其制造方法、半导体基片和成像设备-CN200710153052.2有效
发明人：宇家真司;永濑正规;中桥洋介;蜂谷透 -专利权人：富士胶片株式会社
申请日： 2007-09-20 - 公布日： 2008-03-26 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明提供背面照明成像器件及其制造方法、半导体基片和成像设备。一种背面照明成像器件通过从p型基片的背面照射光以基于光而在基片中产生电荷、并且从所述基片的正面读取电荷来进行成像。该器件包括位于基片中以及靠近基片正面表面的同一平面上的用于累积电荷的n层；处在各个n层和基片正面表面之间的n⁺层，该n⁺层具有暴露在基片正面上的暴露表面，并且起到释放n层中所累积的多余电荷的溢漏作用；处在各个n⁺层和n层之间的p⁺层，其起到溢漏的溢垒作用；以及连接到每个n⁺层的暴露表面的电极。
背面照明成像器件及其制造方法半导体设备

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