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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]溅射靶及溅射靶的制造方法-CN202080016713.0有效
发明人：和田优;斋藤胜仁;川越裕;武末健太郎;高桥一寿 -专利权人：株式会社爱发科
申请日： 2020-04-27 - 公布日： 2022-07-12 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明实施例涉及抑制遮挡部件脱落。在溅射靶中，靶主体具有包围筒状衬管的外周面的圆筒状的多个靶部件，多个靶部件的分别以在衬管的中心轴方向上分离的方式排列设置，通过在中心轴方向排列多个靶部件而在相邻的靶部件之间形成的间隙环绕衬管的中心轴周围，在上述衬管侧形成有与间隙连通的凹部。接合材料设置在衬管与上述靶主体之间，将多个靶部件分别与衬管接合。遮挡部件配置在接合材料与靶主体之间，被容纳在凹部，从上述接合材料侧遮挡间隙。
溅射制造方法

[发明专利]溅射靶及溅射靶的制造方法-CN202080044257.0在审
发明人： 武末健太郎;和田优;松本浩一;川越裕;西村元秀 -专利权人：株式会社爱发科
申请日： 2020-04-27 - 公布日： 2022-02-01 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明提供了一种代替IGZO的高特性的氧化物半导体薄膜制造用的溅射靶及其制造方法。为了达成上述目的，本发明的一个方式的溅射靶由包含铟、锡以及锗的氧化物烧结体构成，锗相对于铟、锡及锗的总和的原子比为0.07以上且0.40以下，锡相对于铟、锡及锗的总和的原子比为0.04以上且0.60以下。由此，能够得到具有10cm2/Vs以上的迁移率的晶体管特性。
溅射制造方法

[发明专利]溅射靶及溅射靶的制造方法-CN202080016634.X在审
发明人：和田优;斋藤胜仁;川越裕;武末健太郎;高桥一寿 -专利权人：株式会社爱发科
申请日： 2020-04-27 - 公布日： 2021-10-15 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明提供一种即使是长的圆筒型，也能够抑制微粒、异常放电的溅射靶。在本发明的溅射靶中，靶主体包括沿着筒状衬管的外周面排列设置且具有圆弧状剖面的多个靶构件。多个靶构件以彼此分开的方式围绕衬管的中心轴配置。围绕中心轴排列的靶构件间形成的间隙在衬管的中心轴方向延伸。接合材料设置在衬管与靶主体之间，将衬管和多个靶构件中的每一个接合。遮挡构件设置在接合材料与靶主体之间，从接合材料侧遮挡间隙。
溅射制造方法

[发明专利]薄膜晶体管、氧化物半导体膜以及溅射靶材-CN201680063644.2有效
发明人：上野充;清田淳也;小林大士;武井应树;高桥一寿;日高浩二;川越裕;武末健太郎;和田优 -专利权人：株式会社爱发科
申请日： 2016-11-22 - 公布日： 2021-06-29 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明的一种方式涉及的薄膜晶体管，其具有：栅电极；活性层，其由含有铟、锌以及钛的氧化物构成；栅极绝缘膜，其形成在上述栅电极与上述活性层之间；以及源电极和漏电极，其与上述活性层电连接。在构成上述氧化物的铟、锌以及钛的总量中所占的各元素的原子比是，铟为24原子％以上且80原子％以下，锌为16原子％以上且70原子％以下，钛为0.1原子％以上且20原子％以下。
薄膜晶体管氧化物半导体以及溅射

[发明专利]氧化物烧结体溅射靶及其制造方法-CN201680063587.8有效
发明人：高桥一寿;日高浩二;川越裕;武末健太郎;和田优;上野充;清田淳也;小林大士;武井应树 -专利权人：株式会社爱发科
申请日： 2016-12-21 - 公布日： 2020-05-15 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明的一个方式所涉及的氧化物烧结体溅射靶由含有氧化铟、氧化锌、氧化钛和氧化锆的烧结体构成，钛相对于铟、锌以及钛的总和的原子比为0.1％以上且20％以下，锆相对于氧化铟、氧化锌、氧化钛以及氧化锆的总和的重量比为10ppm以上且2000ppm以下。
氧化物烧结溅射及其制造方法

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