[发明专利]薄膜晶体管、氧化物半导体膜以及溅射靶材有效
| 申请号： | 201680063644.2 | 申请日： | 2016-11-22 |
| 公开（公告）号： | CN108352410B | 公开（公告）日： | 2021-06-29 |
| 发明（设计）人： | 上野充;清田淳也;小林大士;武井应树;高桥一寿;日高浩二;川越裕;武末健太郎;和田优 | 申请（专利权）人： | 株式会社爱发科 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;C23C14/08;C23C14/34;H01L21/203;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京柏杉松知识产权代理事务所(普通合伙) 11413 | 代理人： | 袁波;刘继富 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的一种方式涉及的薄膜晶体管，其具有：栅电极；活性层，其由含有铟、锌以及钛的氧化物构成；栅极绝缘膜，其形成在上述栅电极与上述活性层之间；以及源电极和漏电极，其与上述活性层电连接。在构成上述氧化物的铟、锌以及钛的总量中所占的各元素的原子比是，铟为24原子％以上且80原子％以下，锌为16原子％以上且70原子％以下，钛为0.1原子％以上且20原子％以下。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 氧化物 半导体 以及 溅射 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜晶体管，其具有：栅电极；活性层，其由含有铟、锌以及钛的氧化物半导体膜构成，在构成所述氧化物半导体膜的铟、锌以及钛的总量中所占的各元素的原子比是，铟为24原子％以上且80原子％以下，锌为16原子％以上且70原子％以下，钛为0.1原子％以上且20原子％以下；栅极绝缘膜，其形成在所述栅电极与所述活性层之间；以及源电极和漏电极，其与所述活性层电连接。
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