[发明专利]用于制造光电子半导体组件的方法和光电子半导体组件有效
| 申请号： | 201880069141.5 | 申请日： | 2018-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN111630734B | 公开（公告）日： | 2023-01-06 |
| 发明（设计）人： | 延斯·穆勒 | 申请（专利权）人： | 欧司朗OLED股份有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/02 | 分类号： | H01S5/02;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京柏杉松知识产权代理事务所(普通合伙) 11413 | 代理人： | 谢攀;刘继富 |
| 地址： | 德国雷*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种用于制造光电子半导体组件(1)的方法，其具有如下步骤：A)使用于产生辐射的半导体层序列(3)生长在生长衬底(2)上，B)将半导体层序列(3)结构化为发射支路(11)，使得相邻的发射支路(11)之间的空隙(12)中的半导体层序列(3)被移除，C)施加钝化层(4)，其中半导体层序列(3)在背离生长衬底(2)的波导触点(51)处至少部分地保持露出并且空隙(12)至少部分地保持露出，D)产生至少一个金属层(50)，所述至少一个金属层从波导触点(51)延伸进入空隙(12)中，E)通过载体(6)代替生长衬底(2)，F)在载体(6)中创建通孔(53)，使得金属层(50)和半导体层序列(3)的朝向载体(6)的下侧触点(52)电接触，以及移除在发射支路(11)的至少一些之间和在沿着发射支路(11)彼此相随的发射单元(13)之间的载体(6)，并且G)折断在发射单元(13)之间的半导体层序列(3)，使得形成棱面(31)。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 制造 光电子 半导体 组件 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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