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[发明专利]电平移位电路-CN201310009294.X有效
发明人： 權彛振;杨家奇;赵子鉴;郁红 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2013-01-10 - 公布日： 2017-09-22 - 主分类号： H03K19/0185 文献下载
摘要：一种电平移位电路，包括第一电平移位电路，用于根据输入信号输出第一电平信号，所述第一电平移位电路的第一输入端连接所述输入信号，所述第一电平移位电路的第二输入端连接反相的输入信号，所述第一电平移位电路输出的第一电平信号的电平翻转速度小于所述输入信号的电平翻转速度；反相器，用于将所述第一电平信号反相；第二电平移位电路，用于根据所述第一电平信号输出第二电平信号，所述第二电平移位电路的第一输入端连接所述第一电平信号，所述第二电平移位电路的第二输入端连接经所述反相器反相的第一电平信号，所述第二电平移位电路输出的第二电平信号的电平翻转速度小于所述第一电平信号的电平翻转速度。本发明的电平移位电路功耗低。
电平移位电路

[发明专利]非易失性存储器及其数据读取方法-CN201010612649.0有效
发明人： 權彛振;杨家奇;葛本龙;赖宇维 -专利权人：中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2010-12-29 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： G11C16/26 文献下载
摘要：本发明提供了一种非易失性存储器及其数据读取方法，所述存储器包括：第一位线、第二位线；与所述第一位线以及第二位线电连接的预充电单元，用于向第一位线以及第二位线预充电；与所述第一位线电连接的存储单元，与所述第二位线电连接的参考单元；与所述存储单元以及参考单元电连接的字线，用于选中存储单元以及参考单元；与所述第一位线以及第二位线电连接的比较单元，用于比较第一位线以及第二位线的电位高低，并根据比较结果输出存储器数据；所述存储单元包括存储器件，所述参考单元包括多个串联的参考器件，所述参考器件与存储器件的器件参数以及规格尺寸相同。本发明无需对参考器件的器件参数进行调节，简化了电路设计以及工艺实现的工作。
非易失性存储器及其数据读取方法

[实用新型]晶圆级别的应用与可靠性测试装置-CN200920208082.3有效
发明人： 權彛振;柯罗特;董智刚;邱雷 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2009-08-18 - 公布日： 2010-05-19 - 主分类号： G01R31/00 文献下载
摘要：本实用新型揭露了一种晶圆级别的应用与可靠性测试装置，该测试装置包括：测试板，其包括测试机构以及探针接口；设置于该探针接口上的探针卡，其用于电性连接该测试机构与被测晶圆；设置于该测试板中的晶圆测试优化机构，其用于控制该测试机构输出测试信号至被测晶圆。该测试装置可以较低的成本测试未封装的芯片，解决了现有的测试装置测试周期长，测试成本高的问题，极大的提高了测试效率。
级别应用可靠性测试装置