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[发明专利]半导体装置的制造方法-CN202310147709.3在审
发明人：立花文人;植茶雅史;南云裕司 -专利权人：株式会社电装;丰田自动车株式会社;未来瞻科技株式会社
申请日： 2023-02-22 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：在一种半导体装置的制造方法中，制备其中形成多个半导体元件(3)并且具有彼此相反的第一表面(2a)和第二表面(2b)的晶圆(2)，以及沿着所述多个半导体元件中相邻半导体元件之间的边界(4)在所述晶圆的所述第一表面上形成凹槽(11)。以所述晶圆的所述第一表面面向支撑板(31)的方式将所述晶圆附接到所述支撑板，以及沿着所述边界将刻划刀片(33)压靠所述晶圆的所述第二表面以沿着所述边界在所述晶圆内部形成竖直裂纹(5)。然后，沿着所述边界将分断刀片(34)压靠所述晶圆以沿着所述边界劈开所述晶圆。
半导体装置制造方法

[发明专利]半导体装置的制造方法-CN202310136493.0在审
发明人：高畑弘幸;南云裕司;植茶雅史 -专利权人：株式会社电装;丰田自动车株式会社;未来瞻科技株式会社
申请日： 2023-02-20 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： H01L21/78 文献下载
摘要：一种半导体装置的制造方法，包括：制备具有其上形成多个半导体元件(3)并且支撑板(12)通过粘合剂(11)附着到其上的第一表面(2a)的晶圆(2)；在所述支撑板附接至所述晶圆的第一表面的状态下，对所述晶圆的与所述第一表面相反的第二表面(2b)进行研磨；通过将刻划轮(32)沿着所述相邻半导体元件之间的边界压靠所述晶圆，在所述晶圆内部并沿着所述边界形成竖直裂纹；将所述支撑板与所述晶圆分离，同时将所述粘合剂留在所述晶圆的所述第一表面上；通过在所述粘合剂上方沿着所述边界将分断杆压靠所述晶圆，以沿着所述边界劈开所述晶圆；从已经通过所述劈开从所述晶圆分开的至少一个所述半导体元件去除所述粘合剂。
半导体装置制造方法

[发明专利]半导体器件的制造方法-CN202211607496.X在审
发明人：南云裕司;植茶雅史;津间博基;熊泽辉显 -专利权人：株式会社电装;丰田自动车株式会社;未来瞻科技株式会社
申请日： 2022-12-14 - 公布日： 2023-06-20 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：在半导体器件的制造方法中，制备由比硅硬的半导体材料制成的并且具有彼此相反的第一表面(30a)和第二表面(30b)的半导体晶圆，通过研磨半导体晶圆的第二表面形成粗化层(32)，将刀片按压粗化层以在半导体晶圆的表面层中形成竖直裂纹(C)，在形成竖直裂纹后去除粗化层，在半导体晶圆的形成竖直裂纹的后表面(30c)上形成后表面电极(33)，以及在形成后表面电极后，按压半导体晶圆的第一表面并以竖直裂纹为起始点将半导体晶圆裂开成多片。
半导体器件制造方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN202211540672.2在审
发明人： 植茶雅史;南云裕司;津间博基;熊泽辉显 -专利权人：株式会社电装;丰田自动车株式会社;未来瞻科技株式会社
申请日： 2022-12-02 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：一种半导体器件，包括半导体衬底(1)、端部区(130)和有源区(110)。所述端部区位于所述半导体衬底的上方，具有框架形状，并且在划线处理中与刀片接触。所述有源区被所述端部区包围并且被配置为用作主电流的路径。所述端部区在所述端部区的最外表面上具有应力松弛膜(20)。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]碳化硅半导体装置及其制造方法-CN202211382946.X在审
发明人：津间博基;南云裕司;植茶雅史;熊泽辉显 -专利权人：株式会社电装;丰田自动车株式会社;未来瞻科技株式会社
申请日： 2022-11-07 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： H01L21/78 文献下载
摘要：碳化硅半导体装置包括碳化硅半导体层(2)和侧硅化物层(42)。碳化硅半导体层包括碳化硅单晶，并且具有主表面(2a)、与主表面相反的后表面(2b)以及连接主表面与后表面并由解理面形成的侧表面(2c)。碳化硅半导体层还包括改性层(21)。改性层形成侧表面的位于后表面附近的一部分，并且具有与碳化硅单晶的原子排列结构不同的碳化硅原子排列结构。侧硅化物层包括金属硅化物，其是金属元素和硅的化合物。侧硅化物层设置在碳化硅半导体层的侧表面上并且与改性层相邻。
碳化硅半导体装置及其制造方法

[发明专利]制造碳化硅半导体器件的方法-CN202210786074.7在审
发明人：津间博基;岩桥洋平;植茶雅史 -专利权人：株式会社电装;丰田自动车株式会社;未来瞻科技株式会社
申请日： 2022-07-04 - 公布日： 2023-01-10 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种制造碳化硅半导体器件的方法，包括形成电极和形成栅极布线。所述电极形成为通过第一接触孔电连接到包括在半导体衬底中的基极层和杂质区。栅极布线形成为通过第二接触孔电连接到连接布线，并且由能够使氧化膜脱氧的材料制成。通过在栅极布线的形成中或在栅极布线的形成之后对栅极布线进行热处理，对连接布线上形成的氧化膜进行脱氧以将氧从氧化膜去除而进入栅极布线中以去除氧化膜。
制造碳化硅半导体器件方法