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- [发明专利]扩展方法-CN202310264958.0在审
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植木笃;政田孝行
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株式会社迪思科
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2023-03-13
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2023-09-19
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H01L21/683
- 本发明提供扩展方法，能够使扩展后的片加热收缩。扩展方法包含如下的步骤：扩展步骤，将晶片单元的晶片的外周与环状框架的内周之间的片进行扩展；以及加热步骤，在实施了扩展步骤之后，利用对片进行加热的加热单元对晶片的外侧与环状框架的内周之间的该片的区域进行加热而使在扩展步骤中产生的片的松弛收缩。该片的区域包含第1区域以及与该第1区域相比不容易通过加热而收缩的第2区域，利用从加热单元向片放射的热，在片上形成温度比周围的片高的热点，在加热步骤中按照至少在整个第2区域定位热点的方式使加热单元移动。
- 扩展方法
- [发明专利]晶片的加工方法-CN201811404214.X有效
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植木笃
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株式会社迪思科
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2018-11-23
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2023-05-26
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H01L21/78
- 提供晶片的加工方法，能够防止在晶片的内部发生了反射、散射的激光束对器件造成破坏。该晶片的加工方法包含如下的步骤：改质层形成步骤，在晶片的内部形成沿着分割预定线的改质层；以及分割步骤，对晶片赋予力而以改质层为起点沿着分割预定线对晶片进行分割，改质层形成步骤包含：往路改质层形成步骤；返路改质层形成步骤；以及相移掩模反转步骤，在往路改质层形成步骤之后且在返路改质层形成步骤之前，或者在返路改质层形成步骤之后且在往路改质层形成步骤之前，使该相移掩模反转，以使得向晶片照射的该激光束的相位的分布在X轴方向上反转。
- 晶片加工方法
- [发明专利]激光加工装置-CN202010645562.7有效
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植木笃;小林豊
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株式会社迪思科
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2020-07-07
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2022-12-06
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B23K26/53
- 提供激光加工装置，计算与改质层的高度位置对应的聚光透镜的适当的高度位置。控制单元的计算部使用设定部所设定的改质层的高度值(H1)和以下的(1)式来计算聚光透镜(183)的高度位置(Defocus)。Defocus＝(晶片1的厚度T1‑高度值H1‑b)/a▪▪(1)，即，根据设定部所设定的改质层的高度值(H1)，计算部能够使用(1)式来计算聚光透镜(183)的适当的高度位置。因此，不需要实施首先根据空气与晶片(1)的折射率之比来大致求出聚光透镜的高度位置，之后根据预先实施的实验结果对该高度位置进行微调整这两个阶段的调整。因此，能够更容易地决定聚光透镜的高度位置。并且，不需要实施用于微调整的麻烦的实验。
- 激光加工装置
- [发明专利]扩展装置-CN201710197604.3有效
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服部笃;植木笃;武藤荣
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株式会社迪思科
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2017-03-29
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2022-02-22
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H01L21/67
- 提供一种扩展装置，使粘合带均匀地收缩。扩展装置具有：框架保持构件(32)；保持工作台(33)，其具有对粘合带(110)的粘贴有晶片(10)的晶片保持区域(111)进行吸引保持的保持面(332a)，粘合带安装在框架(100)上；进退构件(34)，其使框架保持构件和保持工作台在基准位置与扩展位置之间相对移动；以及加热构件(35)，其使通过进退构件而在晶片保持区域与框架之间发生了扩展的粘合带收缩，保持工作台在保持面的外周具有扩展辅助辊(334)，扩展辅助辊对晶片保持区域与框架之间的粘合带起作用，扩展辅助辊是仅按照与粘合带在保持面的径向上扩展时所移动的方向一致的朝向旋转的单向辊。
- 扩展装置
- [发明专利]分割装置以及晶片的分割方法-CN201610827456.4有效
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植木笃
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株式会社迪思科
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2016-09-14
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2021-08-17
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H01L21/304
- 提供分割装置以及晶片的分割方法，利用简易的装置结构将褶皱从带去除而适当地维持芯片间隔。该晶片的分割方法使用了分割装置，该分割装置将隔着带(T)被环状框架(F)支承的晶片(W)在沿着分割预定线的分割起点分割成各个芯片(C)，该晶片的分割方法具有如下的工序：保持工序，将环状框架保持在环状框架保持部(20)上，并将环状框架的内侧的晶片保持在保持工作台(10)上；分割工序，通过保持工作台与环状框架保持部的分离将带拉伸而在分割起点将晶片分割；以及芯片分离工序，在圆周方向或径向上按照规定的加热范围对使被拉伸的带热收缩的加热器(51)针对晶片的外周与环状框架的内周之间的加热范围进行加热而使芯片分离。
- 分割装置以及晶片方法
- [发明专利]激光束的光斑形状的校正方法-CN202011398871.5在审
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植木笃;野村哲平
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株式会社迪思科
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2020-12-04
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2021-06-11
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B23K26/064
- 本发明提供激光束的光斑形状的校正方法，能够抑制激光束的光斑形状的校正所需的工时，能够降低向被加工物照射的激光束的加工装置间的机械误差。激光束的光斑形状的校正方法包含如下步骤：激光束照射步骤，将激光束照射到凹面镜；拍摄步骤，通过光束分析仪对反射光进行拍摄；图像形成步骤，根据通过拍摄步骤而拍摄的XY平面像而形成XZ平面像或YZ平面像；以及比较步骤，将通过图像形成步骤而形成的图像与理想的激光束的XZ平面像或YZ平面像进行比较，该方法中，变更空间光调制器的显示部上所显示的相位图案，以使得通过图像形成步骤而形成的XZ平面像或YZ平面像与理想的激光束的XZ平面像或YZ平面像一致。
- 激光束光斑形状校正方法
- [发明专利]晶片的加工方法-CN201510408612.9有效
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服部笃;植木笃
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株式会社迪思科
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2015-07-13
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2020-01-31
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H01L21/687
- 提供晶片的加工方法，抑制扩展带因隆起而引起的从卡盘工作台的翻卷。晶片的加工方法具有：改质层形成步骤，在晶片(11)上形成改质层(25)；晶片单元准备步骤，准备借助于扩展带(21)利用框架(23)支承晶片的晶片单元(1)；扩张步骤，以将载置有晶片的卡盘工作台(14)相对于框架保持构件(32)顶起的方式扩张扩展带，以改质层为起点将晶片分割成芯片(27a、27b)并扩张芯片的间隔；顶起解除步骤，维持芯片的间隔并解除顶起状态；去除松弛的松弛去除步骤，在改质层形成步骤中，借助规定的分割预定线(17)以除了外周剩余区域(15)以外的方式形成改质层。
- 晶片加工方法
- [发明专利]芯片间隔维持装置-CN201510363748.2有效
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服部笃;植木笃
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株式会社迪思科
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2015-06-26
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2019-09-06
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H01L21/78
- 本发明提供芯片间隔维持装置，其能够抑制使芯片间隔维持在扩大状态时的芯片的污染。芯片间隔维持装置(2)使多个芯片(27)的间隔维持在扩张的状态，多个芯片(27)是将贴附在扩展片材(23)上的被加工物(11)分割而形成的多个芯片，芯片间隔维持装置(2)构成为具备：远红外线照射构件(42)，其朝向被加工物的外周缘与环状框架(25)的内周之间的被扩张的扩展片材照射远红外线(A)，使扩展片材收缩；以及空气层形成构件(44)，其与远红外线照射构件相邻地配设，具有喷射口(44a)，在被加工物的上方形成空气层，其中在远红外线照射构件向扩展片材照射远红外线时，该喷射口(44a)向被加工物喷射气体(B)。
- 芯片间隔维持装置
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