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[发明专利]测试方法与系统-CN202111336415.2在审
发明人： 林佳汉;郭孟安;黄棕达 -专利权人：瑞昱半导体股份有限公司
申请日： 2021-11-12 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： G01R31/28 文献下载
摘要：本公开涉及测试方法与系统。一种测试方法，用以测试待测电路上的芯片，其中待测电路还包含直流电源转换器。测试方法包含：产生测试脉冲讯号；滤波测试脉冲讯号以产生第一测试直流电压至直流电源转换器，其中直流电源转换器将第一测试直流电压转换成第二测试直流电压并传输至芯片；及撷取芯片的输出讯号以判断芯片的效能，其中芯片依据第二测试直流电压产生输出讯号。
测试方法系统

[发明专利]集成电路及其形成方法-CN201910639715.4有效
发明人： 林佳汉;王中兴;林晋申;杨国男 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-07-16 - 公布日： 2022-06-24 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：集成电路包括第一器件组、金属层组和头部电路。第一器件组配置为在第一电源电压上工作，并且位于集成电路的第一层上。金属层组位于第一层之上，并且包括第一金属层和第二金属层。第一金属层在至少第一方向和第二方向上延伸。头部电路位于第一器件组之上。头部电路的至少部分位于第一金属层和第二金属层之间。头部电路配置为向第一器件组提供第一电源电压，并且配置为耦合到具有不同于第一电源电压的第二电源电压的第二电压电源。本发明的实施例还涉及集成电路的形成方法。
集成电路及其形成方法

[发明专利]容器运送方法及仓储-CN201810596818.2有效
发明人：黄奕棠;冯元瑜;林佳汉;李建法 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-06-11 - 公布日： 2021-09-03 - 主分类号： H01L21/677 文献下载
摘要：本申请提供一种半导体制造中运送用于夹持至少一物品的一容器的方法。上述方法包括通过一运送机构运送容器至一相邻于一终点空间的位置。上述方法也包括在容器放置于终点空间之前，记录终点空间的一第一影像。上述方法还包括对第一影像实施一影像分析。并且，上述方法包括根据第一影像的影像分析的结果判断是否将容器放置至终点空间。
容器运送方法仓储

[发明专利]信号处理模块、氮化镓三倍频电路及电路的设计方法-CN202011490168.7在审
发明人： 林佳汉;王祥骏;游家豪;邱显钦;敖金平 -专利权人：宁波铼微半导体有限公司
申请日： 2020-12-16 - 公布日： 2021-04-16 - 主分类号： H03B19/14 文献下载
摘要：本发明涉及氮化镓高载子迁移率晶体管技术领域，具体涉及一种信号处理模块、氮化镓三倍频电路及电路的设计方法，氮化镓三倍频电路包括输入组件、输出组件，以及，氮化镓半导体器件，输入组件与氮化镓半导体器件的输入端相连，输出组件与氮化镓半导体器件的输出端相连，其中，输入组件和输出组件均包括双带阻滤波，能够有效避免微波与毫米波频段时相位噪声不良，增强输出功率。
信号处理模块氮化倍频电路设计方法

[发明专利]宽带功率放大器及其构造方法-CN202011485962.2在审
发明人：游家豪;王祥骏;林佳汉;邱显钦;敖金平 -专利权人：宁波铼微半导体有限公司
申请日： 2020-12-16 - 公布日： 2021-04-13 - 主分类号： H03F3/213 文献下载
摘要：本发明涉及氮化镓高载子迁移率晶体管技术领域，具体涉及一种宽带功率放大器及其构造方法，宽带功率放大器的米勒达灵顿电路包括第一和第二氮化镓半导体开关，迭接电路包括第三和第四氮化镓半导体开关；第一氮化镓半导体开关的第二端与第三氮化镓半导体开关的第二端相连，第一氮化镓半导体开关的第三端同时与第二氮化镓半导体开关的第一端、第二氮化镓半导体开关的第二端相连；第三氮化镓半导体开关的第三端与第四氮化镓半导体开关的第二端相连；第四氮化镓半导体开关的第一端与第一氮化镓半导体开关的第三端相连。迭接电路能够提高系统稳定性、高频小信号增益以及最大输出功率，此外第三氮化镓半导体开关可提供适当的输出阻抗以提升整体效率。
宽带功率放大器及其构造方法

[发明专利]处理工具、自动检测工具及其使用方法-CN201810797093.3有效
发明人： 林佳汉;李建法;刘旭水;白峻荣;庄胜翔;苏伦德拉·库马尔·索尼;郭守文;翁武安;蔡元诚;廖建科;薛雅熏;廖姣柔;余承霏;蔡明吉;刘国义 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-07-19 - 公布日： 2021-02-26 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明的一些实施例涉及一种处理工具。该工具包括围绕工艺处理室的外壳、以及配置为通过外壳将晶圆传送进入工艺处理室和传送出工艺处理室之外的输入/输出端口。后侧宏观检测系统设置在工艺处理室内部并且配置为使晶圆的后侧成像。前侧宏观检测系统设置在工艺处理室内部并且配置为根据第一图像分辨率使晶圆的前侧成像。前侧微观检测系统设置在工艺处理室内部并且配置为根据高于第一图像分辨率的第二图像分辨率使晶圆的前侧成像。本发明还提供了自动检测工具及其使用方法。
处理工具自动检测工具及其使用方法

[发明专利]半导体装置制造方法-CN201910818282.9在审
发明人：比斯瓦思·希兰梅;王中兴;杨国男;林佳汉 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-08-30 - 公布日： 2020-03-10 - 主分类号： H01L21/82 文献下载
摘要：一种半导体装置制造方法包括：产生储存在非暂态计算机可读取媒体上的一布局图，该布局图的产生方式包括：将多个单元所形成的一组单元填充在第一方向上延伸的行；每个单元表示一个电路；以及，每个单元的第一及第二侧边界是实质上平行的且在第二方向上延伸，此第二方向实质上垂直于第一方向。将多个单元相对于第一方向设置，使得此等单元中的相邻单元实质上邻接的；以及通过执行下列其中一种方式来减少该组单元的累积泄漏趋势：改变至少一个单元的定向，或对应地改变至少两个单元的位置。
半导体装置制造方法