[发明专利]半导体装置制造方法在审
申请号: | 201910818282.9 | 申请日: | 2019-08-30 |
公开(公告)号: | CN110875248A | 公开(公告)日: | 2020-03-10 |
发明(设计)人: | 比斯瓦思·希兰梅;王中兴;杨国男;林佳汉 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/82 | 分类号: | H01L21/82;H01L27/02 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国 |
地址: | 中国台湾新竹市*** | 国省代码: | 台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种半导体装置制造方法包括:产生储存在非暂态计算机可读取媒体上的一布局图,该布局图的产生方式包括:将多个单元所形成的一组单元填充在第一方向上延伸的行;每个单元表示一个电路;以及,每个单元的第一及第二侧边界是实质上平行的且在第二方向上延伸,此第二方向实质上垂直于第一方向。将多个单元相对于第一方向设置,使得此等单元中的相邻单元实质上邻接的;以及通过执行下列其中一种方式来减少该组单元的累积泄漏趋势:改变至少一个单元的定向,或对应地改变至少两个单元的位置。 | ||
搜索关键词: | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造