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[发明专利]一种晶圆解键合辅助载盘、解键合机及解键合方法-CN202010066736.4有效
发明人：司庆玲;左亚丽;黄建华;程岸;王彦硕;汪耀祖 -专利权人：杭州立昂东芯微电子有限公司
申请日： 2020-01-20 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本发明涉及一种晶圆解键合辅助载盘、解键合机及解键合方法。本发明解键合辅助载盘包括一层以上的载片，载片有空隙，下层载片的孔隙孔径大于上层载片，各层载片可以将解键合机形成的真空吸力和热量逐层均匀化，大大的提高了晶圆的破片率，同时只要更换被键合胶污染的上层载片即可进行一个解键合操作，而不需要更换下层载片。本发明提高了晶圆解键合过程中的破片率，降低了企业的成本，提高了工作效率，设计巧妙，操作方便，经济实用。
一种晶圆解键合辅助解键合机解键合方法

[发明专利]一种砷化镓器件金属保护环-CN202010110737.4在审
发明人：沈留明;程岸;王彦硕;汪耀祖 -专利权人：杭州立昂东芯微电子有限公司
申请日： 2020-02-24 - 公布日： 2020-05-15 - 主分类号： H01L23/60 文献下载
摘要：本发明涉及一种砷化镓器件金属保护环。本发明砷化镓器件金属保护环围绕管芯设置并包括至少三层金属层，第一层金属层设置在衬底上，第二层以上金属层包括连接在一起的连续部和断开部，连续部围绕管芯，连续部的上方和上一层金属层连接，断开部分段设置，断开部下方和下一层金属层连接，第二层以上相邻两层金属层的断开部互相错开设置，金属保护环两侧及相邻的两个断开部之间为介电材料。本发明使得第二、第三层金属层之间不容易残留BCB有机介电材料，提高了器件可靠性。由于金属层连续部和断开部形成类似桥墩型结构，使得器件在保护环处更加稳定，提供器件良率，也使得电镀金使用量减少，降低了成本，本发明设计巧妙，加工方便，具有极好的效果。
一种砷化镓器件金属保护环

[发明专利]一种化合物半导体层间介电导线及其制备方法-CN201710345312.X在审
发明人：任华;程岸;汪耀祖 -专利权人：杭州立昂东芯微电子有限公司
申请日： 2017-05-16 - 公布日： 2017-12-01 - 主分类号： H01L23/532 文献下载
摘要：本发明属于半导体技术领域。本发明公开了一种化合物半导体层间介电导线，其包括由SiNx介电层、BCB有机介电层和金属导电层组成的导线层，其中根据具体需求由一个或多个导线层组成；本发明还公开了一种化合物半导体层间介电导线的制备方法，包括SiNx介电层沉积、BCB有机介电层沉积、SiO2硬掩膜沉积、光刻显影金属导线连接孔槽图形、刻蚀接线柱、溅射金属导线种子层、光刻显影金属导线图形、电镀金属导线和除去金属导线种子层等步骤。本发明中的化合物半导体层间介电导线架构更稳定、电容更低、电延迟更小、集成度高并能够保证高频高功率工作状态下具有更优表现；本发明中的制备方法工艺成熟、可以实现大规模产业化生产制造。
一种化合物半导体层间介电导线及其制备方法

[发明专利]一种化合物半导体金属接触电极-CN201710266352.5在审
发明人：任华;程岸;汪耀祖;杨斌 -专利权人：杭州立昂东芯微电子有限公司
申请日： 2017-04-21 - 公布日： 2017-11-28 - 主分类号： H01L29/49 文献下载
摘要：本发明属于半导体技术领域。本发明公开了一种化合物半导体金属接触电极，将传统的非合金类金属电极Ti/Pt/Au、Pt/Ti/Pt/Au和合金类金属电极AuGe/Ni/Au中的铂Pt和金锗AuGe用钯Pd或钯锗Pd/Ge替代，并将顶层贵重金属Au用铜Cu或者银Ag代替，获得包含金属导电层、粘结层和包含金属导电层、扩散阻隔层、粘接层的两种金属接触电极，其中金属导电层为Cu或Ag层，扩散阻隔层为Pd或Ti/Pd层，粘接层为Ti、Pd或Pd/Ge层。本发明中的化合物半导体金属接触电极具有接触电阻低、本征电导率高、热稳定性好、与半导体连接的粘合力强且生产制造成本低等优点。
一种化合物半导体金属接触电极