[发明专利]一种PEIE介入标准倒置QLED器件及其制备方法有效
| 申请号： | 201910284885.5 | 申请日： | 2019-04-10 |
| 公开（公告）号： | CN111816794B | 公开（公告）日： | 2022-05-13 |
| 发明（设计）人： | 杜祖亮;王书杰;张梦华;王啊强;方岩 | 申请（专利权）人： | 河南大学 |
| 主分类号： | H01L51/56 | 分类号： | H01L51/56;H01L51/50;H01L51/54 |
| 代理公司： | 郑州联科专利事务所(普通合伙) 41104 | 代理人： | 时立新;张丽 |
| 地址： | 475001*** | 国省代码： | 河南;41 |
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| 摘要： | 一种PEIE介入标准倒置QLED器件及其制备方法，包括如下步骤：（1）在柔性衬底上沉积ZnO电子注入层；（2）在ZnO电子注入层上旋涂PEIE溶液，制得界面修饰层A；（3）在界面修饰层A上沉积量子点发光层，所述量子点发光层的材料为ZnCdSeS/ZnS绿光量子点；（4）在量子点发光层上沉积PEIE溶液，制得界面修饰层B；（5）在界面修饰层B上沉积空穴传输层和空穴注入层，所述的空穴传输层为PVK、TFB、poly‑TPD、TCTA、CBP中的一种或多种，所述的空穴注入层为PEDOT:PSS；（5）蒸镀顶电极，所述顶电极为Al、Ag、Cu、Au或合金电极；待器件蒸镀完成后，对其进行封装即可。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 peie 介入 标准 倒置 qled 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
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