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[发明专利]喷嘴装置-CN200910131593.4无效
发明人： 李钟镐 -专利权人： TSM有限公司
申请日： 2009-04-08 - 公布日： 2009-10-21 - 主分类号： B23K3/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种安装在回流焊接机的喷嘴装置。根据本发明的回流焊接机喷嘴装置，包括：鼓风机，依靠鼓风机叶片的旋转吸入外部空气且向上送风；加热器，加热被所述鼓风机吸入且向上部输送的流动空气；喷嘴支承本体，被所述加热器加热的空气分配到左、右侧的同时向上排出而流动的空气被吸入；喷嘴，与所述喷嘴支承本体的上部相结合且其内部安装有锯齿状弯曲的喷嘴插件。它具有能够减小喷嘴不同部位上的热空气温度偏差的优点，并产生如下效果：使得喷嘴整个面上的温度偏差变得均匀，减小锡焊不良率，同时防止电子部件受损。
喷嘴装置

[发明专利]管子专用复合原料和利用该复合原料制造的排水管-CN200710109296.0无效
发明人： 李钟镐 -专利权人： 李钟镐
申请日： 2007-05-29 - 公布日： 2007-11-21 - 主分类号： C08L27/06 文献下载
摘要：本发明提供一种管子专用复合原料和利用该复合原料制造的排水管，为解决从高层落下的水容易在PVC材质排水管中产生严重噪音等问题，提供解决方案为：管子专用复合原料，主要原料以硫酸钡100％为基准，加入混合剂PVC 5－500％、稳定剂2－5％及增强剂5－10％，将上述原料用超大型混合机搅拌并用复合式挤出机挤成颗粒制成高刚性硫酸钡复合原料；将高刚性硫酸钡复合原料颗粒进行熔化后挤出成型为管子形态排水管；将管子形态排水管作为内层部分(10)和用PVC材质制成的包裹内层部分(10)的外层部分(20)结合成一个管子专用复合原料排水管。有益效果：价格低廉，体积轻，高层排水无噪音；制作方法简单，易于实施；并具有较高的耐久性和强度；排水管间连接非常方便，从而具有安装时间更短和更经济的优点。
管子专用复合原料利用制造排水管

[发明专利]无毒性和耐冲击自来水管-CN200710109297.5有效
发明人： 李钟镐 -专利权人： 李钟镐
申请日： 2007-05-29 - 公布日： 2007-10-24 - 主分类号： F16L9/133 文献下载
摘要：为克服PVC材质对人体有害和PE材质软性导致自来水管复原能力和挺直性差及水管间难以用粘接剂连接问题，提供了无毒性和耐冲击自来水管。在自来水管按照重量比以PE树脂作为100添加125－145％纳米碳酸钙进行挤出成型的内部层(10)和利用所述PVC树脂挤出成型的外部层(20)形成为一个自来水管(100)的方法中，上述纳米碳酸钙能够消除PE树脂和PVC树脂之间的热收缩率之差而达到紧密成型。特点：PE内部层不产生任何二恶英等有害物质对人体无害；所采用的纳米碳酸钙增加了管子的耐久性和抗弯曲强度及抗扭曲强度，克服两种材质之间热收缩之差导致不能压缩成型的问题，达到了无毒性和耐冲击的效果。
毒性冲击自来水管

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN200710006116.6无效
发明人：丁炯硕;李钟镐;韩成基;金柱然;朴廷珉 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2007-01-31 - 公布日： 2007-08-08 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：本发明涉及半导体器件及其制造方法。本发明提供一种CMOS半导体器件，该器件具有双功函数金属栅极结构，所述结构利用能够实现对PMOS和NMOS器件的独立功函数控制并且显著降低或消除对栅极电介质可靠性的影响的制造技术形成。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN200710001445.1无效
发明人：丁炯硕;李钟镐;林夏珍;俞美英 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2007-01-08 - 公布日： 2007-07-11 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体装置及其制造方法。该半导体装置包括：其中形成第一导电沟道的有源层，形成于在半导体基底上形成的有源区上的栅极、夹在所述有源区和栅极之间的栅极介电层。该半导体装置还包括沿半导体基底上的有源区和栅极介电层之间界面形成的电荷产生层，使得在该界面周围产生固定电荷。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]双功函数金属栅极结构及其制造方法-CN200510129719.6有效
发明人：金旼炷;李钟镐;韩成基;丁炯硕 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2005-12-01 - 公布日： 2006-08-02 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体器件及其相关制造方法，其中通过用碳和/或氟掺杂金属层，由单个金属层形成双功函数金属栅极电极。
函数金属栅极结构及其制造方法

[发明专利]微电子器件的电介质多层及其制造方法-CN200510113817.0无效
发明人：元皙俊;权大振;李钟镐 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2005-10-17 - 公布日： 2006-05-31 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：本发明提供一种适合于改善微电子器件性能的电介质多层和制造电介质多层的方法。微电子器件的电介质多层包括：由两种或更多不同元素的氧化物形成并且其中不形成层状结构的复合层，以及形成在复合层的至少一个表面上并由单一元素的氧化物形成的单层。
微电子器件电介质多层及其制造方法

[实用新型]防音三通-CN200520090034.0无效
发明人： 李钟镐;李玉珊 -专利权人：沈阳平和实业有限公司
申请日： 2005-04-01 - 公布日： 2006-05-24 - 主分类号： F16L41/00 文献下载
摘要：一种防音三通，由连接竖直方向管路上的上管体(3)、下管体(4)及连接水平方向管路的侧面管体(6)一体构成。上管体(3)、下管体(4)及侧面管体(6)的端口设有与管路连接的锁紧盖(5)。所述上管体(3)、下管体(4)及侧面管体(6)的外面具有复合层(1)。本实用新型的管体由于采用了复合型结构，具有多重防音作用。该多重防音作用主要是通过复合层来实现的。除此之外，还具有抗冲击、不易老化、使用寿命长的特点。可广泛用于建筑领域的排水工程。
三通

[实用新型]防音弯头-CN200520090032.1无效
发明人： 李钟镐;李玉珊 -专利权人：沈阳平和实业有限公司
申请日： 2005-04-01 - 公布日： 2006-05-24 - 主分类号： F16L43/00 文献下载
摘要：一种防音弯头，由竖直下水管(1)及横向出水管(2)一体构成管体，上述的竖直下水管(1)及横向出水管(2)的端口设有锁紧盖(5)，管体外具有复合层(3)。所述的竖直下水管(1)及横向出水管(2)间呈90度角，弯头上还制有清扫口，清扫口上安装有封水盖(4)。本实用新型由于采用了复合型结构，具有较好的防音功能。除此之外，还具有抗冲击、不易老化、封水效果好、使用寿命长的特点。可广泛用于建筑领域的排水工程。
弯头

[实用新型]防音管材-CN200520090033.6无效
发明人： 李钟镐;李玉珊 -专利权人：沈阳平和实业有限公司
申请日： 2005-04-01 - 公布日： 2006-05-24 - 主分类号： F16L55/033 文献下载
摘要：一种防音管材，包括管体，管体是由内层(2)与外层(1)复合挤出而成。所述外层(1)采用吸音效果及韧性好的材料制作。所述内层(2)的内壁(3)可为光滑形结构，也可以制作成纵向具有多条螺旋形增强筋(4)的结构形式。本实用新型的管体由于采用了复合型结构，具有多重防音作用。该多重防音作用主要是通过复合的外层来实现的。除此之外，还具有抗冲击、不易老化、封水效果好及使用寿命长的特点。可广泛用于建筑领域的排水工程。
管材

[发明专利]空调的控制板-CN200410020362.3无效
发明人： 李钟镐 -专利权人：乐金电子（天津）电器有限公司
申请日： 2004-08-24 - 公布日： 2006-03-01 - 主分类号： F24F11/02 文献下载
摘要：一种空调的控制板，包括运行模式调节部，调温部；通过上下移动的方式操作运行模式调节部，向空调供电或调节风速；当向空调供电，以运行模式调节部所设定的风速排放空气时，通过旋转操作调温部，调节排放空气的温度的空调的控制板，其中运行模式调节部是滑动开关，滑动开关按各阶段对开关进行操作，选择空调运行模式。本发明可提高空调工作时的操作上的便利性。
空调控制板

[发明专利]空调的控制板-CN200410020361.9无效
发明人： 李钟镐 -专利权人：乐金电子（天津）电器有限公司
申请日： 2004-08-24 - 公布日： 2006-03-01 - 主分类号： F24F11/02 文献下载
摘要：一种空调的控制板，包括调温部、风速调整部、电源部，调温部通过调整排放空气的冷暖程度，调整室内温度，调温部还具有送风功能；风速调整部通过调整风扇转速，调整流向室内的空气流速；电源部具有内钩形转换开关，通过内钩形转换开关的接通、断开控制供电。本发明使用具内钩形转换开关的控制空调的控制板，使用内钩形转换开关，可以提高对空调进行控制操作时的使用方便性。
空调控制板

[发明专利]使用原子层沉积工艺制造金属硅酸盐层的方法-CN200510091335.X有效
发明人：金润奭;金宗杓;林夏珍;朴哉彦;丁炯硕;李钟镐;梁钟虎 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2005-05-16 - 公布日： 2006-02-15 - 主分类号： H01L21/316 文献下载
摘要：提供了使用原子层沉积工艺在半导体基底上制造金属硅酸盐层的方法。为了形成具有所需厚度的金属硅酸盐层，这些方法包括进行金属硅酸盐层形成周期至少一次。金属硅酸盐层形成周期包括重复进行金属氧化物层形成周期K次的操作以及重复进行硅氧化物形成周期Q次的操作。K和Q分别是1至10的整数，该金属氧化物层形成周期包括步骤：向含有基底的反应器中供应金属源气体，排出残留在反应器中的金属源气体，接着向该反应器供应氧化物气体。该硅氧化物层形成周期包括：向含有基底的反应器中供应硅源气体，排出残留在反应器中的硅源气体，接着向该反应器供应氧化物气体。
使用原子沉积工艺制造金属硅酸盐方法

[发明专利]包括双栅极堆叠结构的集成电路器件及其形成方法-CN200510059121.4有效
发明人：丁炯硕;李钟镐;李化成;崔在光 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2005-03-24 - 公布日： 2006-01-18 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：本发明提供了集成电路器件。所述集成电路器件包括半导体衬底，该半导体衬底具有第一掺杂区和第二掺杂区，该第二掺杂区具有不同于该第一掺杂区的掺杂类型。半导体衬底上的栅电极结构延伸于第一和第二掺杂区之间，该栅电极结构具有第一掺杂区中的第一高介电常数材料的栅极绝缘层以及第二掺杂区中的不同于第一高介电常数材料的第二高介电常数材料的栅极绝缘层。栅电极在栅极绝缘层上。
包括栅极堆叠结构集成电路器件及其形成方法

[发明专利]用于半导体器件的电介质层及其制造方法-CN200510006411.2有效
发明人： 李钟镐;李来寅 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2005-01-31 - 公布日： 2005-08-17 - 主分类号： H01L29/51 文献下载
摘要：一种半导体器件，包括一硅酸盐界面层和一覆盖在所述硅酸盐界面层之上的高－k电介质层。所述高－k电介质层包括金属合金氧化物。
用于半导体器件电介质及其制造方法