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[发明专利]一种制备丙酸正丙酯的背包式反应精馏控制方法-CN202310374010.0在审
发明人：汤吉海;孙玉玉;李武祥;乔旭;黄益平;张国雯;张竹修;崔咪芬;黄晶晶;陈献;蔡鑫磊 -专利权人：中建安装集团有限公司;南京工业大学
申请日： 2023-04-10 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： B01D3/00 文献下载
摘要：本发明公开一种制备丙酸正丙酯的背包式反应精馏控制方法，属于自动化控制技术领域，包括以下步骤：丙酸和过量正丙醇从背包反应器R1进料，产物和剩余反应物进入精馏塔T1，反应混合物在精馏塔T1和多个背包反应器之间循环，精馏塔T1塔顶的蒸汽经冷凝器C1冷凝后进入分相器D1，精馏塔T1塔釜液进入再沸器E1升温，再沸后蒸汽回流至精馏塔T1；精馏塔T1的塔釜采出物料进入正丙醇回收塔T2，再沸器E2加热塔釜液体，再沸后部分汽化，部分采出为高纯度丙酸正丙酯产品。本发明克服了正丙醇‑丙酸正丙酯二元体系中“尖角效应”，较好的处理±10%进料流量扰动和‑10%进料组分扰动，高效节能，具有较强的鲁棒性与稳定性。
一种制备丙酸正丙酯背包反应精馏控制方法

[发明专利]半导体器件及其形成方法-CN202211014837.2在审
发明人：林毓纯;郑存闵;张正国;李武祥;陈笋弘 -专利权人：福建省晋华集成电路有限公司
申请日： 2022-08-23 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本申请公开一种半导体器件及其形成方法，其中形成方法包括：提供衬底，所述衬底内设有导电插塞，所述衬底包括多个凸柱，所述导电插塞位于相邻的两个所述凸柱之间；形成至少覆盖各个所述凸柱顶部拐角处的第一金属层；形成覆盖所述导电插塞的顶部的第二金属层；进行退火工艺处理，所述导电插塞顶部的第二金属层与所述导电插塞发生反应，形成金属硅化物；去除退火工艺处理后剩余的第一金属层和第二金属层。本申请能够提高导电插塞和对应接触层的导电性能。
半导体器件及其形成方法

[发明专利]半导体器件的形成方法-CN202211013620.X在审
发明人：林毓纯;郑存闵;张正国;李武祥;陈笋弘 -专利权人：福建省晋华集成电路有限公司
申请日： 2022-08-23 - 公布日： 2022-11-04 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本申请公开一种半导体器件的形成方法，包括：S01，提供衬底，所述衬底内设有导电插塞，所述导电插塞位于相邻绝缘侧壁层形成的凹槽内；S02，将衬底放置第一反应腔体内；S03，在所述第一反应腔体内形成至少覆盖所述导电插塞表面的第一金属层；S04，在所述第一反应腔体内进行第一热处理，所述导电插塞顶部的部分第一金属层与所述导电插塞发生热反应，形成第一金属硅化物；S05，在第一热处理后在第一反应腔体内的衬底表面继续形成第二金属层；S06，进行第二热处理，所述导电插塞顶部的第一金属层充分与所述导电插塞发生热反应，形成第二金属硅化物。本申请能够优化所得半导体结构的导电性能。
半导体器件形成方法

[实用新型]半导体装置-CN202220146302.X有效
发明人：陈笋弘;郑存闵;吴家伟;林毓纯;林吕勇;张正国;李武祥;刘益东 -专利权人：福建省晋华集成电路有限公司
申请日： 2022-01-19 - 公布日： 2022-09-06 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：本实用新型公开了半导体装置，半导体装置包括衬底、多条位线、多个触点、多个间隙壁结构以及金属硅化物层。位线设置于衬底上，触点设置于衬底上并与位线交替且分隔地设置，其中，触点包括依序堆叠的第一半导体层以及第二半导体层，其中，第二半导体层包含未掺杂硅。间隙壁结构设置于衬底上并分别位于各位线以及各触点之间。金属硅化物层设置于各触点的第二半导体层上。如此，可改善存储节点插塞的结构稳定性，进而优化所述半导体装置的装置效能。
半导体装置

[实用新型]半导体存储装置-CN202122776573.1有效
发明人：郑存闵;吴家伟;傅昭伦;张正国;林毓纯;李武祥;陈笋弘;林吕勇 -专利权人：福建省晋华集成电路有限公司
申请日： 2021-11-11 - 公布日： 2022-05-03 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种半导体存储装置。半导体存储装置包括衬底、多个位线接触部、多条位线、接触插塞、第一间隙壁、第二间隙壁。衬底包含多个有源区；各多条位线接触部分别位于有源区上；各多条位线位于所述衬底上并沿着预定方向延伸，并且各多条位线覆盖位在其延伸路径上的各多个位线接触部；接触插塞位于相邻的多条位线之间；第一间隙壁位于所述接触插塞和各多条位线之间，并且覆盖各位线接触部的侧壁和各位线的侧壁；第二间隙壁位于接触插塞和第一间隙壁之间。
半导体存储装置

[发明专利]一种化学机械平坦化设备及其应用-CN202011607411.9有效
发明人：朱冬祥;吴涵涵;李武祥;程建秀 -专利权人：合肥晶合集成电路股份有限公司
申请日： 2020-12-30 - 公布日： 2022-04-19 - 主分类号： B24B37/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种化学机械平坦化设备及其应用，所述一种化学机械平坦化设备包括晶圆载体，设置在所述晶圆载体上的研磨垫，安装在所述研磨垫上的晶圆承载座，安装在所述晶圆载体外侧的第一底座，以及释放臂，所述释放臂的一端与所述第一底座连接，另一端延伸至所述研磨垫中心位置，所述释放臂内包括第一输送管和第二输送管，通过所述第一输送管提供第一类液体清洗所述研磨垫表面，同时通过所述释放臂按压所述研磨垫去除所述第一类液体，通过所述第二输送管提供第二类液体流动到所述研磨垫表面，形成一层研磨液对所述晶圆进行研磨。通过本发明提供的一种化学机械平坦化设备及其应用，可降低研磨液的浪费，同时减少晶圆损伤，防止不同液体混合。
一种化学机械平坦设备及其应用

[发明专利]半导体装置及其形成方法-CN202210098155.8在审
发明人：陈笋弘;郑存闵;吴家伟;林毓纯;林吕勇;张正国;李武祥;刘益东 -专利权人：福建省晋华集成电路有限公司
申请日： 2022-01-19 - 公布日： 2022-03-29 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：本发明公开了半导体装置及其形成方法，半导体装置包括衬底、多条位线、多个触点、多个间隙壁结构以及金属硅化物层。在衬底上定义出多个有源区，使得多个有源区被绝缘区环绕。位线设置于衬底上，触点设置于衬底的有源区上并与位线交替且分隔地设置，其中，触点包括依序堆叠的第一半导体层以及第二半导体层，其中，第二半导体层包含未掺杂硅。间隙壁结构设置于衬底上并分别位于各位线以及各触点之间。金属硅化物层设置于各触点的第二半导体层上。如此，可改善存储节点插塞的结构稳定性，进而优化所述半导体装置的装置效能。
半导体装置及其形成方法

[发明专利]一种电容结构制备方法-CN202111476208.7在审
发明人：张正国;郑存闵;蔡佩庭;林刚毅;李武祥;林毓纯;范培杰;陈笋弘 -专利权人：福建省晋华集成电路有限公司
申请日： 2021-12-06 - 公布日： 2022-03-11 - 主分类号： H01L49/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种电容结构制备方法，通过在基底上沉积包括第一介电层、第一支撑层、第二介电层、第二支撑层以及呈预设图案的阻挡层的堆叠结构，在堆叠结构中刻蚀出多个开口，其中开口的底部显露出位于基底中的电连接垫，沉积覆盖呈预设图案的阻挡层的顶表面以及开口的侧壁和底表面的导电层，刻蚀至少部分导电层形成下电极，下电极的顶表面至基底的第一距离小于第二支撑层的顶表面至基底的第二距离，去除第一介电层、第二介电层和呈预设图案的阻挡层，形成至少覆盖下电极的电容介电层以及上电极。该方法在对导电层进行回刻蚀以形成下电极时，阻挡层可以避免对用于支撑下电极顶部的第二支撑层进行过刻蚀，从而有利于保证整个电容结构的稳定性。
一种电容结构制备方法

[发明专利]半导体存储装置及其形成方法-CN202111332791.4在审
发明人：郑存闵;吴家伟;傅昭伦;张正国;林毓纯;李武祥;陈笋弘;林吕勇 -专利权人：福建省晋华集成电路有限公司
申请日： 2021-11-11 - 公布日： 2022-02-18 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体存储装置及其形成方法。半导体存储装置包括衬底、多个位线接触部、多条位线、接触插塞、第一间隙壁、第二间隙壁。衬底包含多个有源区；各多条位线接触部分别位于有源区上；各多条位线位于所述衬底上并沿着预定方向延伸，并且各多条位线覆盖位在其延伸路径上的各多个位线接触部；接触插塞位于相邻的多条位线之间；第一间隙壁位于所述接触插塞和各多条位线之间，并且覆盖各位线接触部的侧壁和各位线的侧壁；第二间隙壁位于接触插塞和第一间隙壁之间。
半导体存储装置及其形成方法

[实用新型]一种热水器预热装置-CN202120773966.4有效
发明人： 李武祥 -专利权人： 李武祥
申请日： 2021-04-15 - 公布日： 2021-12-03 - 主分类号： F24H9/00 文献下载
摘要：本实用新型公开的是一种热水器预热装置，包括热水器本体，所述本体内部设置有加热器，所述本体下端设置有第一进水口，以及热水出水口，所述本体上端设置有聚风罩，所述聚风罩上端连接有排风管，所述排风管内部设置有环形加热管，所述环形加热管一端设置有第二进水口，另一端设置有出水口，所述出水口通过连接管与第一进水口相连。
一种热水器预热装置

[实用新型]一种多规格骨灰盒石料切割装置-CN202021956535.3有效
发明人： 李武祥 -专利权人：杭州武祥工艺石材有限公司
申请日： 2020-09-09 - 公布日： 2021-08-31 - 主分类号： B28D1/24 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种多规格骨灰盒石料切割装置，包括工作台，所述工作台的上表面固定铰接有移动板，所述工作台的上表面固定连接挡板，所述工作台的上表面固定连接有相对称的电动液压杆。该多规格骨灰盒石料切割装置，通过挡板对水进行限位，防止水四处洒落，为工作人员提供良好的工作环境，通过排水孔、导流板和集流板的相互配合，对水进行限位导向，方便工作人员对水的收集，防止污水污染环境，通过集水箱对水进行储存方便工作人员的再次利用，节约了水资源的使用，避免了水资源的浪费，通过水泵、排水管和输水管的相互配合，对集水箱内部的水再次使用，实现了水的循环使用，节约了水资源，避免了水资源的浪费。
一种规格骨灰盒石料切割装置

[实用新型]一种骨灰盒盖的自动打磨装置-CN202021956794.6有效
发明人： 李武祥 -专利权人：杭州武祥工艺石材有限公司
申请日： 2020-09-09 - 公布日： 2021-08-31 - 主分类号： B24B19/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种骨灰盒盖的自动打磨装置，包括底板，所述底板的左右两侧面均固定连接有支撑板，所述底板的上表面固定连接有固定座，所述固定座的上表面固定连接有相对称的限位板，两个所述限位板相互靠近的一侧面均固定连接有相对称的弹簧座，两组所述弹簧座相互靠近的一侧面均固定连接有压缩弹簧，两组所述压缩弹簧相互靠近的一端均共同固定连接有夹板。该骨灰盒盖的自动打磨装置，通过运转电动推杆使活动板在滑块和滑轨的作用下移动，通过活动板向下移动使打磨块接触盒盖，对盒盖进行自动打磨，避免了使用人工手动打磨，节省工作人员的时间，减少工作人员的劳动强度，使打磨更为均匀，提高对骨灰盒盖的打磨效率。
一种骨灰盒盖自动打磨装置

[实用新型]一种高效率石料打磨装置-CN202021956822.4有效
发明人： 李武祥 -专利权人：杭州武祥工艺石材有限公司
申请日： 2020-09-09 - 公布日： 2021-08-31 - 主分类号： B24B19/22 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种高效率石料打磨装置，底板，所述底板的底面固定连接有相对称的支撑腿，所述底板的上表面固定连接有支撑架，所述支撑架的内侧壁固定连接有定位板，所述定位板的上表面固定连接有减速电机，所述减速电机的输出端贯穿定位板的底面并延伸至定位板的下方，所述减速电机的输出端固定连接有打磨盘，所述底板的上表面开设有凹槽，所述凹槽的内底壁固定连接有电动推杆。该高效率石料打磨装置，通过防滑座能够避免该转载发生滑动，提高该装置的稳定性，通过打磨盘高速旋转对石料进行打磨，避免人工手动打磨，减少工作人员的劳动强度，通过喷头与水源相连通，对石料进行喷水，提高对石料打磨的光滑度，提高产品的质量。
一种高效率石料打磨装置

[实用新型]一种高效率的人工水磨装置-CN202021971054.X有效
发明人： 李武祥 -专利权人：杭州武祥工艺石材有限公司
申请日： 2020-09-10 - 公布日： 2021-08-31 - 主分类号： B24B7/07 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种高效率的人工水磨装置，包括蓄水箱，所述蓄水箱的上表面固定连接有相对称的固定腿，两个所述固定腿的顶端共同固定连接有支撑板，所述支撑板的下方放置有动力箱，所述动力箱的上表面固定连接有若干个相对称的强力弹簧，每个所述强力弹簧的顶端均与支撑板的底面固定连接。该高效率的人工水磨装置，通过滑板的调节，起到了对石材夹持固定的作用，避免了石材在打磨的过程中需要工作人员手持，严重拖慢工作进度的问题，通过拽把，配合强力弹簧，能够使工作人员下拉动力箱，从而，通过动力箱的调节，起到了使打磨盘与石材接触的作用，即可进行打磨工作，避免了在打磨过程中效率较低，给工作人员增加工作量的问题。
一种高效率人工水磨装置

[实用新型]一种用于化学机械研磨的清洗装置-CN202021794843.0有效
发明人： 李武祥;程建秀 -专利权人：合肥晶合集成电路股份有限公司
申请日： 2020-08-25 - 公布日： 2021-06-29 - 主分类号： B08B3/10 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于化学机械研磨的清洗装置，包括：清洗液管道；第一电极，位于所述清洗液管道上；第二电极，位于所述清洗液管道上；负电压源，与所述第一电极和所述第二电极连接；固定结构，用于将所述第一电极和所述第二电极固定在所述清洗液管道上；其中，所述第一电极和所述第二电极分别位于所述清洗液管道的两侧，所述负电压源存储有负电荷，所述负电压源使所述清洗管道内部的清洗液呈负电势。本实用新型大幅度提高了晶圆表面颗粒和清洗液本身的去除效果。
一种用于化学机械研磨清洗装置

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