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[发明专利]三维存储器及其制备方法-CN202110196791.X有效
发明人： 李寒骁;任军奇;范光龙;陈金星 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2021-02-22 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： H10B41/30 文献下载
摘要：本申请公开了一种三维存储器及其制备方法。三维存储器的制备方法包括:提供衬底；在所述衬底的第一面形成堆叠层，并在所述堆叠层内形成存储芯柱；其中，在所述堆叠层内形成存储芯柱包括：在所述衬底的第二面形成第一牺牲层，所述衬底的第二面与所述衬底的第一面相背设置；在所述第一牺牲层的表面形成第二牺牲层；其中，所述第二牺牲层的材料不同于所述第一牺牲层的材料；刻蚀所述第二牺牲层；在所述第一牺牲层的表面形成第三牺牲层，所述第三牺牲层的材料不同于所述第二牺牲层的材料。本申请提供的三维存储器的制备方法，通过调整去除衬底第二面层结构的顺序，减小衬底损伤的风险，从而有利于提高三维存储器制备方法的可靠性。
三维存储器及其制备方法

[发明专利]半导体器件、制备方法及存储系统-CN202211095060.7在审
发明人：范光龙;陈金星;韩烽;李寒骁 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2022-09-05 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本申请提供一种半导体器件、制备方法及存储系统，半导体器件包括存储平面，存储平面包括叠层结构。叠层结构包括第一部分和第二部分，其中第一部分位于每个存储平面的边缘，并包括沿第一方向交替叠置的第一电介质层和第二电介质层，第二部分包括沿第一方向交替叠置的第一电介质层和栅极导电层。在存储平面边缘保留的电介质堆叠结构可使三维存储器的结构更稳固，此外通过仅在叠层结构的第二部分形成栅极导电层，可减少刻蚀工作量和相应的热过程，由此减少了应力的改变，相应减少了因半导体器件边缘应力过大发生形变而导致的漏电情况，提高了半导体器件的良率。
半导体器件制备方法存储系统

[发明专利]一种半导体器件及其制造方法、测试方法-CN202211153764.5在审
发明人：刘沙沙;李寒骁;毛晓明;高晶;霍宗亮 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2022-09-21 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：本公开实施例提供一种半导体器件及其制造方法、测试方法。所述半导体器件包括：位于半导体层上的器件区和位于所述器件区外围的切割道区；其中，所述切割道区内设有半导体测试结构；所述半导体测试结构包括位于所述半导体层上的堆叠结构和贯穿所述堆叠结构的测试孔结构；所述半导体测试结构包括多个测试区，每个所述测试区内的所述测试孔结构的孔径不同。
一种半导体器件及其制造方法测试

[发明专利]半导体器件的检测方法、系统及存储介质-CN202210400113.5在审
发明人：刘沙沙;张天辉;陈超;李寒骁;杨敏;霍宗亮 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2022-04-15 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种半导体器件的检测方法、系统及存储介质。所述方法包括：提供半导体器件，所述半导体器件包括待检测沟道孔的测试结构；所述待检测沟道孔包括第一沟道孔，以及位于所述第一沟道孔顶部并与所述第一沟道孔相连通的第二沟道孔；所述测试结构包括测试开口，所述测试开口包括所述第一沟道孔，或者所述测试开口包括所述第一沟道孔和部分第二沟道孔；检测所述测试开口的顶部参数；根据所述顶部参数，判断所述第一沟道孔与所述第二沟道孔是否出现套刻偏差。本发明实施例检测更全面，且提高检测效率，降低检测成本。
半导体器件检测方法系统存储介质

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN202110716846.5有效
发明人： 李寒骁;陈金星;马霏霏 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2021-06-26 - 公布日： 2022-05-10 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括衬底及形成于衬底上的堆叠结构。衬底包括器件区及位于器件区外围的切割道区，堆叠结构包括位于器件区的第一堆叠结构及位于切割道区的第二堆叠结构。第一堆叠结构形成有沿垂直于所述第一堆叠结构的方向延伸的器件沟道，第二堆叠结构形成有多个沿垂直于所述第二堆叠结构的方向延伸并穿通所述第二堆叠结构的第一参照沟道。其中，器件沟道的关键尺寸小于第一参照沟道的关键尺寸。当该半导体器件进行电子束检测时，基于器件沟道及多个第一参照沟道各自呈现的电压衬度特征，不仅可以判断器件沟道是否存在刻蚀缺陷，还可以判断器件沟道产生刻蚀缺陷的原因，检测效率高，降低了对产能的影响。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体器件检测方法、半导体器件及三维存储器-CN202111642823.0在审
发明人： 李寒骁;陈金星;范光龙 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2021-12-29 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体器件检测方法、半导体器件及三维存储器。半导体器件包括存储阵列区和非存储阵列区，存储阵列区包括基底和多个沟道孔，沟道孔贯穿至基底；非存储阵列区内设置有测试块，测试块包括在纵向上与基底相同的测试基底以及贯穿至测试基底的测试孔，测试基底包括纵向间隔设置的多个测试半导体层，各测试半导体层的体积不同；测试孔的侧壁上具有测试导电层，测试导电层与测试孔的底部所穿过或落入的测试半导体层导通；所述方法包括：向半导体器件施加电场，以检测测试孔的电压衬度；根据电压衬度，判断沟道孔的延伸深度是否异常。本发明实施例能够避免采用破坏性检测手段对沟道孔的延伸深度进行检测，且提高检测效率。
半导体器件检测方法三维存储器

[发明专利]三维存储器及其制作方法-CN202111280227.2在审
发明人：陈超;范光龙;陈金星;李寒骁;汪严莉 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2021-10-29 - 公布日： 2022-02-11 - 主分类号： H01L27/11582 文献下载
摘要：本发明涉及一种三维存储器及其制作方法，该三维存储器的制作方法包括：在衬底上形成第一堆栈结构；在第一堆栈结构背离衬底的表面上形成第一开口；以第一开口为对准标记对第一堆栈结构进行刻蚀，形成贯穿第一堆栈结构的第一沟道孔；在第一沟道孔中形成牺牲材料层，并在第一开口中形成支撑层；在第一堆栈结构、牺牲材料层和支撑层上形成第二堆栈结构；形成贯穿第二堆栈结构的第二开口，第二开口暴露支撑层；经由第二开口去除支撑层，从而，能够避免由于第一堆栈结构上提供对准标记的第一开口的存在，导致第一开口的上下膜层容易受到来自于第一开口内支撑层的应力影响而发生形变的问题，提高了三维存储器的可靠性。
三维存储器及其制作方法

[发明专利]三维存储器的制备方法及三维存储器-CN202011376551.X有效
发明人：任军奇;李寒骁;陈金星 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2020-11-30 - 公布日： 2022-02-11 - 主分类号： H01L27/11565 文献下载
摘要：本发明提供一种三维存储器的制备方法及三维存储器。三维存储器的制备方法包括：在衬底上形成第一堆叠结构；在所述第一堆叠结构上形成第一沟道孔；获取所述第一沟道孔的图像，所述第一沟道孔的图像用于表征所述第一沟道孔的形貌；在所述第一沟道孔的形貌满足预设形貌的情况下，在所述第一堆叠结构上形成第二堆叠结构。本发明解决了较深沟道孔的形貌获取时间较长，或者无法获取到完整的沟道孔形貌的技术问题。
三维存储器制备方法

[发明专利]半导体器件测量方法及装置-CN202111003215.5在审
发明人： 李寒骁;范光龙;陈金星 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2021-08-30 - 公布日： 2021-11-30 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体器件测量方法及装置。所述方法包括：提供具有标记的半导体器件，所述半导体器件中形成与所述标记横向间隔的开口，所述横向是指与所述半导体器件的上表面相平行的方向；测量所述开口的顶部和底部分别与所述标记的横向距离，以分别得到第一距离和第二距离；根据所述第一距离和所述第二距离，计算所述开口的倾斜度。本发明实施例能够提高开口倾斜度的测量准确性。
半导体器件测量方法装置

[发明专利]掩膜版、半导体器件的制造方法-CN202110716663.3在审
发明人： 李寒骁;陈金星;马霏霏 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2021-06-26 - 公布日： 2021-10-08 - 主分类号： G03F1/80 文献下载
摘要：本发明提供一种掩膜版、半导体器件的制造方法。掩膜版用于半导体器件的光刻，半导体器件包括依次层叠的衬底、堆叠结构及光阻层，衬底包括器件区及位于器件区外围的切割道区。掩膜版设有多个第一图案，第一图案用于在器件区的光阻层内形成开口，掩膜版还设有多个第二图案，第二图案用于在切割道区的光阻层内形成开口。其中，每一第一图案和每一第二图案的形状、大小相同，多个第一图案的排布密度大于多个第二图案的排布密度。当以光刻后的光阻层为掩膜对半导体器件的堆叠结构进行刻蚀时，通过监测第二图案对应的开口是否缩小至小于预设阈值，即可实现对刻蚀副产物的监控，有利于提高半导体器件的生产良率。
掩膜版半导体器件制造方法

[发明专利]半导体结构的刻蚀方法-CN202011039819.0在审
发明人：侯潇;何欢;王秉国;高勇强;李寒骁 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2020-09-28 - 公布日： 2021-01-01 - 主分类号： H01L21/306 文献下载
摘要：本文公开了一种半导体结构的刻蚀方法。该方法包括：将待刻蚀的半导体结构置于反应器内；以及对所述半导体结构执行多个刻蚀周期。各所述刻蚀周期包括：将刻蚀气体充入所述反应器达第一时长；以及停止充入所述刻蚀气体，并将第一吹扫气体充入所述反应器达第二时长以去除所述反应器中生成的副产物。
半导体结构刻蚀方法

[发明专利]纵向磁场下定向凝固CET细化金属凝固组织的方法-CN201510613254.5有效
发明人：李喜;李寒骁;杜大帆;关光 -专利权人：上海大学
申请日： 2015-09-24 - 公布日： 2018-07-10 - 主分类号： B22D27/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种纵向磁场下定向凝固CET细化金属凝固组织的方法，步骤包括：首先将定向凝固坩埚连接于定向凝固装置的拉杆上，组成抽拉系统，使其能在加热炉中抽拉作直线移动；然后在坩埚内装入固态金属材料，将加热炉内腔炉温加热到设定温度，使坩埚中的金属材料熔化，并按照设定时间对熔化后的金属熔体进行保温，然后开启抽拉系统，以设定的拉速进行定向抽拉，在抽拉过程中，向金属熔体施加纵向磁场，并始终保持坩埚内的金属固液界面处于具有设定磁场强度的稳恒磁场区域；抽拉结束后，即获得凝固后的金属棒材。本发明利用Seeback效应，通过纵向磁场作用于定向凝固的固液界面将柱状晶转变为等轴晶，从而获得细化的金属凝固组织。
定向凝固纵向磁场抽拉坩埚金属凝固细化加热炉熔化抽拉系统固液界面金属熔体定向凝固装置固态金属材料稳恒磁场区域金属材料金属棒材直线移动等轴晶柱状晶拉杆拉速炉温内腔磁场保温加热装入凝固施加金属

[发明专利]在稳恒磁场下定向凝固控制晶体取向的方法及装置-CN201510254292.6有效
发明人：李喜;李寒骁;杜大帆;关光;张雷 -专利权人：上海大学
申请日： 2015-05-19 - 公布日： 2018-03-02 - 主分类号： C30B28/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种在稳恒磁场下定向凝固控制晶体取向的方法及装置，将含有各向异性晶体的金属和合金放入稳恒磁场下定向凝固装置中，对于某一晶体的易生长方向和易磁化方向不是同一方向，则利用稳恒磁场和定向凝固分别使易生长方向和易磁化方向形成织构，即，当晶体在定向凝固过程中完成易生长方向沿热流相反方向取向时，根据晶体学特点，在定向凝固过程中，沿某一角度施加稳恒磁场，使其易磁化方向转向磁场方向，达到使多晶体形成多晶向织构，本发明方法简单，便与操作。
磁场定向凝固控制晶体取向方法装置

[发明专利]一种横向磁场定向凝固净化金属中夹杂物的方法-CN201510034457.9有效
发明人：李喜;关光;杜大帆;李寒骁;李晓龙 -专利权人：上海大学
申请日： 2015-01-23 - 公布日： 2017-08-11 - 主分类号： B22D27/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种在横向磁场下净化金属中夹杂物的方法。在定向凝固过程中存在Seebeck效应，若施加横向磁场，磁场和电流相互作用产生热电磁力及热电磁流动，此力或这种流动使夹杂物在液相流动作用下偏聚于坩埚一侧。得到夹杂物空间分布变化的定向凝固组织。本发明的工艺方法的要点是整个定向凝固过程在横向静磁场0~1T（特斯拉）下完成，样品采用细长的合金棒，定向凝固中样品向下抽拉的速率为1~100 μm/s，在生长到稳定阶段后，迅速将样品拉入冷却介质中进行淬火，最终得到夹杂物空间分布变化的定向凝固组织。通过物理切割的方法除去夹杂物。
一种横向磁场定向凝固净化金属夹杂方法

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