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[发明专利]硅片清洗装置及其控制方法-CN202010355099.2有效
发明人： 曹泽域 -专利权人：西安奕斯伟材料科技有限公司;西安奕斯伟硅片技术有限公司
申请日： 2020-04-29 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供一种硅片清洗装置及其控制方法，其中，硅片清洗装置包括：容纳槽；承载座，位于所述容纳槽内部的底壁，用于与硅片抵接，以承载所述硅片；第一出水喷头，位于所述容纳槽开口的一侧，朝向所述硅片设置；升降组件，所述升降组件与所述容纳槽的底部连接，其中，所述升降组件包括位于第一端的第一升降机构和位于第二端的第二升降机构，所述第一端和所述第二端为所述容纳槽的相对两端，所述第一升降机构和所述第二升降机构用于进行升降以调整所述容纳槽内硅片的倾斜角度。本发明提供的硅片清洗装置及其控制方法，能够提高对硅片的清洗效果。
硅片清洗装置及其控制方法

[发明专利]一种倒角研磨设备-CN201911141593.2有效
发明人： 曹泽域 -专利权人：西安奕斯伟材料科技有限公司;西安奕斯伟硅片技术有限公司
申请日： 2019-11-20 - 公布日： 2021-12-03 - 主分类号： B24B21/00 文献下载
摘要：本发明提供一种倒角研磨设备，包括中心轴、多根连接杆、多个胶带转轴和研磨胶带，所述多根连接杆围绕所述中心轴排布，各所述连接杆均位于同一平面内，且所述平面与所述中心轴垂直，每一所述连接杆的第一端与所述中心轴相连，每一所述连接杆的第二端设置有一个所述胶带转轴，各所述胶带转轴的轴线均与所述中心轴平行，且所述研磨胶带围绕所述多个胶带转轴设置，以使所述研磨胶带能够环绕所述多个胶带转轴转动。这样，本发明实施例中通过胶带转轴和支撑杆支撑研磨胶带，在研磨胶带转动时，实现对半导体的研磨，从而避免研磨胶带与半导体刚性接触，降低了对半导体造成的损坏的可能性，有助于提高产品的良品率。
一种倒角研磨设备

[实用新型]一种刻蚀装置-CN202022724211.3有效
发明人： 曹泽域 -专利权人：西安奕斯伟硅片技术有限公司;西安奕斯伟材料技术有限公司
申请日： 2020-11-23 - 公布日： 2021-05-25 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本实用新型实施例提供一种刻蚀装置，刻蚀装置包括：刻蚀槽；离子吸附膜，所述离子吸附膜设在所述刻蚀槽中；储槽，所述储槽与所述刻蚀槽连通；循环泵，所述循环泵的进口与所述储槽连通，所述循环泵的出口与所述刻蚀槽连通。在本实用新型的刻蚀装置中，通过在刻蚀槽中设置离子吸附膜来吸附刻蚀液中的金属离子，降低金属离子的含量，减少金属离子对硅片的污染，提高硅片的加工高质量；另外，通过循环泵可以使得刻蚀液在刻蚀槽与储槽之间循环，有利于溶液的循环利用，有利于保持溶液中离子含量的稳定。
一种刻蚀装置

[实用新型]一种双面研磨装置-CN202020286917.3有效
发明人： 曹泽域 -专利权人：西安奕斯伟硅片技术有限公司
申请日： 2020-03-10 - 公布日： 2020-12-29 - 主分类号： B24B37/08 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种双面研磨装置，包括上定盘(21)；基准平板(22)，设置在所述上定盘(21)的正上方以形成基准平面；定盘平衡机构(23)，连接在所述基准平板(22)和所述上定盘(21)之间，且当所述上定盘(21)与所述基准平板(22)之间的产生夹角时对所述上定盘(21)的倾斜位置施加相应的作用力。该双面研磨装置中通过在上定盘上方设置基准平板和若干弹性部件，当上定盘加压完成受到硅片厚度差的影响而出现不平衡现象时，若干弹性部件可以在上定盘和基准平面之间形成作用力和反作用力，起到调节上定盘平衡的作用，从而有效弱化硅片厚度差对定盘产生的影响，使硅片在研磨后得到更好的TTV，同时提高定盘的使用量和寿命，降低研磨成本。
一种双面研磨装置

[发明专利]一种干燥设备-CN201910758373.8在审
发明人：陈兴松;陈光林;曹泽域 -专利权人：西安奕斯伟硅片技术有限公司
申请日： 2019-08-16 - 公布日： 2019-11-08 - 主分类号： F26B9/06 文献下载
摘要：本发明提供一种干燥设备，包括：箱体，箱体内限定有一侧开口的腔室；箱门，箱门设在箱体上以开启或封闭腔室；储存架，储存架可移动地设在腔室中，储存架上有用于盛放游星轮的容纳腔；湿温传感器，用于感测腔室中的温度和湿度；加热装置，用于加热腔室；除湿装置，用于除去腔室中的湿气；控制器，控制器用于控制加热装置和除湿装置的开启或关闭。根据本发明的干燥设备，能够将清洗后的游星轮放置于容纳腔中，便于游星轮的储放，避免随意挂置或堆叠造成的摩擦划伤和沾染颗粒杂物，可以通过加热装置或除湿装置除去箱体中的腔室内的湿气，使得腔室保持干燥，避免游星轮生锈，能够减少因游星轮而引起的硅片产品出现划伤、不均、裂纹和破片的问题。
游星轮腔室除湿装置干燥设备储存架湿气加热装置控制器容纳腔划伤箱门控制加热装置湿温传感器封闭腔室感测腔室加热腔室颗粒杂物可移动地硅片沾染生锈堆叠挂置破片盛放清洗开口摩擦室内

[发明专利]一种硅晶棒的处理方法及切片方法-CN201910706338.1在审
发明人： 曹泽域 -专利权人：西安奕斯伟硅片技术有限公司
申请日： 2019-08-01 - 公布日： 2019-10-29 - 主分类号： B24B1/00 文献下载
摘要：本发明涉及半导体领域，尤其涉及一种硅晶棒的处理方法及切片方法。本发明公开了硅晶棒的处理方法，包括：对截断为预定长度的硅晶棒进行滚圆处理，去除所述硅晶棒表面的氧化层；对滚圆处理后的硅晶棒进行晶相测定，使用粒度为#200～#600的第一砂轮对硅晶棒进行开槽处理，形成槽区；使用粒度为#700～#900的第二砂轮在所述槽区内进行精细研磨；在所述槽区内加入混合酸进行腐蚀处理，去除所述槽区内的表面损伤。本发明还公开了利用上述方法处理硅晶棒后，进行多线切割，形成硅片的切片方法。本发明的硅晶棒处理方法可以形成无损伤的开槽，降低裂片形成几率。
硅晶棒切片砂轮开槽去除半导体领域表面损伤多线切割腐蚀处理精细研磨混合酸无损伤氧化层槽区硅片截断裂片

[发明专利]一种加热装置、清洗机和腐蚀机-CN201910567017.8在审
发明人： 曹泽域 -专利权人：西安奕斯伟硅片技术有限公司
申请日： 2019-06-27 - 公布日： 2019-10-01 - 主分类号： F24H1/14 文献下载
摘要：本发明提供一种加热装置、清洗机和腐蚀机，该加热装置包括：主液管，所述主液管的一端为进液口、另一端为分液口；环形加热器，所述环形加热器设置于所述主液管外围；分液管，所述分液管绕设在所述环形加热器外围，且所述分液管的一端与所述主液管的分液口相连通。根据本发明实施例的加热装置，通过将环形加热器设置在主液管的外围，而分液管绕设在环形加热器的外围，从而使得液体流经主液管时即得到第一次加热，而流经分液管时再次得到加热，加热效率高；且分液管呈螺旋式缠绕，有效增加了液体与环形加热器的接触面积以及流经的距离，达到快速加热的目的；此外，环形加热器本身不与液体接触，避免了金属污染等风险。
环形加热器分液管主液管加热装置外围分液口腐蚀机清洗机加热螺旋式缠绕加热效率金属污染快速加热液体接触进液口

[发明专利]一种搅拌装置和研磨设备-CN201910566979.1在审
发明人： 曹泽域 -专利权人：西安奕斯伟硅片技术有限公司
申请日： 2019-06-27 - 公布日： 2019-09-20 - 主分类号： B01F13/10 文献下载
摘要：本发明提供一种搅拌装置和研磨设备，搅拌装置包括：桶体，所述桶体内限定有用于盛装待研磨料的第一腔室和与所述第一腔室连通的第二腔室，所述第一腔室与所述第二腔室的连通位置设有过滤网；搅拌机构，所述搅拌机构的至少一部分置于所述第一腔室中以搅拌所述待研磨料；抽取泵，所述抽取泵的进口与所述第二腔室连通，以抽取所述第二腔室中的研磨液向研磨设备中的研磨盘供应研磨液。根据本发明的搅拌装置，在第一腔室与第二腔室的连通位置设有过滤网，过滤网能够过滤从搅拌区进入抽取区的研磨液，避免搅拌区的砂浆结块或者大颗粒进入抽取区，防止砂浆结块或者大颗粒被抽取后进入硅片的研磨加工区域，避免造成硅片的划伤、擦伤等问题。
第二腔室第一腔室抽取搅拌装置研磨设备过滤网研磨液搅拌机构连通位置大颗粒搅拌区研磨料砂浆硅片结块连通研磨加工研磨盘擦伤划伤桶体过滤盛装体内进口

[实用新型]一种简易激光刻字测量工具-CN201821332200.7有效
发明人： 曹泽域;贺贤汉 -专利权人：上海申和热磁电子有限公司;杭州中芯晶圆半导体股份有限公司
申请日： 2018-08-17 - 公布日： 2019-05-17 - 主分类号： G01B5/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及半导体加工技术领域。一种简易激光刻字测量工具，包括一用于支撑硅片的支撑板以及亚克力制成的测量尺，测量尺与支撑板上下设置；支撑板的横截面面积小于测量尺的横截面面积；测量尺是一与硅片的外轮廓相匹配的圆形片，圆形片的径向外围开设有两个V形槽，且两个V形槽的间隔角度为90°；测量尺的外圆周上均匀分布有用于测量角度的刻度线，测量尺上还设有两个相互垂直的刻度线，两个相互垂直的刻度线的交点处于圆形片的中心轴线上；还包括至少一个限位块，所有的限位块均与支撑板的径向外围相连，且所有的限位块还与测量尺的径向外围相连。本专利通过测量尺上设有刻度线，便于通过俯视，即可实现对硅片上的刻字字符通过刻度线进行参数测量。
测量尺刻度线支撑板限位块圆形片刻字硅片简易激光测量外围垂直的半导体加工技术本实用新型参数测量上下设置中心轴线外轮廓外圆周亚克力俯视匹配支撑

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