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[发明专利]晶圆保持机构及沉积设备-CN202310704762.9在审
发明人： 时庆楠 -专利权人：绍兴中芯集成电路制造股份有限公司
申请日： 2023-06-14 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： C23C14/50 文献下载
摘要：本申请涉及一种晶圆保持机构及沉积设备，属于半导体制造领域。包括：承载基座，用于承载晶圆；晶圆固定环，与承载基座相对设置；承载基座和晶圆固定环中至少之一能够做靠近另一的运动，以将晶圆固定在承载基座和晶圆固定环之间；承载基座和晶圆固定环中至少之一能够做远离另一的运动，以解除对晶圆的固定；承载基座和晶圆固定环中至少之一做远离另一的运动过程中，承载基座和晶圆固定环中至少之一相对于另一做第一运动，第一运动为绕第一方向的转动；第一方向为从承载基座至晶圆固定环的方向。本申请的晶圆保持机构及沉积设备，减少取片偏移及造成的破片问题。
保持机构沉积设备

[实用新型]一种电镀装置-CN202320288599.8有效
发明人： 时庆楠 -专利权人：绍兴中芯集成电路制造股份有限公司
申请日： 2023-02-10 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： C25D17/02 文献下载
摘要：本申请实施例涉及一种电镀装置，包括：电镀槽，用于容纳电镀液；置放区，所述置放区为进行电镀处理时被电镀结构所在的区域；层流板，设置在所述电镀槽中；通孔，贯穿所述层流板，用于供电镀液通过；其中，所述通孔包括朝向所述置放区的第一端口和背离所述置放区的第二端口，所述第一端口的面积小于所述第二端口的面积。由此可知，本申请与现有技术孔径不变的通孔结构相比，可以提升电镀液的流速。进而在对具有高深宽比的图形结构进行电镀时，使得开口深处的传质效果较好。因此，本申请实施例的电镀装置，对设计有高深宽比的图形的晶圆进行电镀时，无需更换较大功率的循环系统，降低了生产成本。
一种电镀装置

[发明专利]晶圆级半导体封装结构及其形成方法-CN202310818127.3在审
发明人： 时庆楠;张有存 -专利权人：绍兴中芯集成电路制造股份有限公司
申请日： 2023-07-05 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： H01L21/78 文献下载
摘要：本申请涉及一种晶圆级半导体封装结构及其形成方法。包括：晶圆，晶圆上包括器件区和切割道区；介质层，位于器件区，介质层包括沿晶圆的厚度方向上层叠的多个子层；切割道开口，位于切割道区上，切割道开口经由对介质层进行曝光、显影处理而形成，切割道开口贯穿介质层；支撑层，至少位于切割道开口与介质层的底端的部分区域之间，底端为靠近晶圆的一端；支撑层抵抗显影剂的能力大于介质层抵抗显影剂的能力。本申请所提供的晶圆级半导体封装结构及其形成方法，能减少切割道开口的侧壁的形貌不符合要求的问题。
晶圆级半导体封装结构及其形成方法

[发明专利]晶圆级半导体封装结构及其形成方法-CN202310404680.2在审
发明人： 时庆楠;张有存 -专利权人：绍兴中芯集成电路制造股份有限公司
申请日： 2023-04-11 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：本申请涉及一种晶圆级半导体封装结构及其形成方法。包括：基板；布线层，位于所述基板上；介质层，位于所述布线层上，且至少包括沿远离所述基板的方向上层叠在所述布线层上的第一介质层、第二介质层、以及第三介质层；切割道，贯穿所述介质层且暴露所述布线层；其中，在朝向所述切割道的一侧，所述第二介质层的侧壁被所述第三介质层包覆，所述第三介质层的侧壁和所述第一介质层的侧壁经由所述切割道暴露。本申请所提供的晶圆级半导体封装结构及其形成方法，能减少封装结构中因为介质层厚度大引发的重布线层的厚度异常问题。
晶圆级半导体封装结构及其形成方法

[实用新型]提高驱动芯片可靠度的电浆源表面处理装置-CN202020394875.5有效
发明人：许原诚;时庆楠;李雨;周德榕 -专利权人：江苏汇成光电有限公司
申请日： 2020-03-25 - 公布日： 2020-11-03 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本实用新型公开了半导体集成电路领域内的一种提高驱动芯片可靠度的电浆源表面处理装置及方法，装置包括电浆机，电浆机内设置有反应室，反应室处于两个相互对应设置的电极之间，两个电极之间通过电源适配器与射频电源施加有电压，所述反应室内竖直设置有至少两根转轴，所述转轴上沿轴向间隔设置有若干圆形转盘，转盘与转轴相垂直，转盘表面设置有若干晶圆载台，所述反应室分别与抽真空组件、制程气体输送组件相连接，与所述电浆机的门体相对应地设置有晶圆上下料机构；方法包括将晶圆放入反应室进行氮气电浆处理。本实用新型能够降低阻障层的钛或钛钨氧化成氧化钛，达到提高液晶屏幕驱动芯片金凸块可靠度的目的。
提高驱动芯片可靠电浆源表面处理装置

[实用新型]一种减小凸块底切的结构-CN202020224706.7有效
发明人： 时庆楠 -专利权人：江苏汇成光电有限公司
申请日： 2020-02-28 - 公布日： 2020-08-25 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：本实用新型公开了半导体集成电路领域内的一种减小凸块底切的结构及其制造方法，结构包括基板，所述基板上设置有至少一个铝垫，基板表面还设置有覆盖各铝垫的保护层，保护层上对应每个铝垫均设有一个开口，所述铝垫通过对应开口暴露出部分表面，与所述开口相对应的铝垫上方以及开口周围的保护层上方均覆盖设置有阻障层，所述阻障层上方设置有种子层，种子层上方设置有凸块，所述保护层表面位于每个所述阻障层的周围均对应设置有侧挡隆起，侧挡隆起围绕在对应阻障层周围设置，所述侧挡隆起顶部所在平面位于凸块边缘的下方。本实用新型能够减小或消除凸块下方形成的底切结构，避免芯片受应力作用导致凸块脱落，提高芯片凸块结构的可靠性。
一种减小凸块底切结构

[实用新型]一种自动化晶圆上下料装置-CN202020394874.0有效
发明人：许原诚;时庆楠;李雨;周德榕 -专利权人：江苏汇成光电有限公司
申请日： 2020-03-25 - 公布日： 2020-08-25 - 主分类号： H01L21/677 文献下载
摘要：本实用新型公开了半导体制造领域内的一种自动化晶圆上下料装置，包括导轨一上滑动连接有移动底座，电机座上安装有电机，电机的输出轴上套设有齿轮，齿轮与齿条相啮合，所述移动底座上设置有安装座，安装座上竖直设置有立架，立架右侧的导轨二上滑动连接有升降架，升降架上沿长度方向设置有导轨三，升降架上通过导轨三滑动连接有料架，料架底部对应导轨三设置有滑槽，升降架的左右两侧均设置有气缸，气缸的活塞杆与料架的长度方向平行，两气缸的活塞杆伸出端分别通过连接件与料架的左右两侧相连接，料架的前端对应转盘设置有吸料组件。本实用新型能够提高晶圆的上下料效率。
一种自动化上下装置

[实用新型]一种缩小凸块底切的结构-CN202020224822.9有效
发明人： 时庆楠 -专利权人：江苏汇成光电有限公司
申请日： 2020-02-28 - 公布日： 2020-08-25 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：本实用新型公开了半导体集成电路领域内的一种缩小凸块底切的结构，包括基板，所述基板上设置有至少一个铝垫，基板表面还设置有覆盖各铝垫的保护层，保护层上对应每个铝垫均设有一个开口，每个所述开口周围的保护层上围绕开设有下沉凹槽，与所述开口相对应的铝垫上方、开口周围的保护层上方以及下沉凹槽底部均覆盖设置有阻障层，所述阻障层上方设置有种子层，种子层上方设置有凸块，下沉凹槽的外侧槽壁与凸块外侧面上下对应设置，下沉凹槽的内侧槽壁位于凸块下方，下沉凹槽的宽度为0.5~5μm，下沉凹槽的深度为1~2μm。本实用新型能够缩小凸块下方形成的底切结构，使得凸块结构更加牢固，提高芯片凸块结构的可靠性。
一种缩小凸块底切结构

[发明专利]一种集成电路芯片的金凸块制造工艺-CN201810431710.8有效
发明人： 时庆楠;郑忠;周德榕;许原诚 -专利权人：江苏汇成光电有限公司
申请日： 2018-05-08 - 公布日： 2020-07-17 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明涉及半导体技术领域内一种集成电路芯片的金凸块制造工艺，具体过程为在集成电路芯片表面依次进行金属膜溅镀、光阻涂布，对生长金凸块位置的光阻进行曝光和显影处理使生长金凸块的位置形成开窗，对开窗位置电镀金形成金凸块，去除金凸块两侧光阻，并对集成电路芯片及金凸块表面进行电浆和蚀刻处理去除溅镀金属膜中的金层，再次对金凸块表面单独进行电浆和金蚀刻处理，最后对溅镀的钨钛膜进行蚀刻处理。本发明的金凸块制造工艺中，分两次对集成电路芯片表面进行电浆处理和金蚀刻处理，可以分别去除金凸块两侧溅镀的金层，并使金凸块表面发生一定程度的蚀刻，使金凸块表层颗粒缝隙加大，表面呈现疏松孔隙状，此种粗糙的结构使金凸块颜色变黑。
一种集成电路芯片金凸块制造工艺

[发明专利]提高驱动芯片可靠度的电浆源表面处理装置及方法-CN202010217474.7在审
发明人：许原诚;时庆楠;李雨;周德榕 -专利权人：江苏汇成光电有限公司
申请日： 2020-03-25 - 公布日： 2020-07-03 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明公开了半导体集成电路领域内的一种提高驱动芯片可靠度的电浆源表面处理装置及方法，装置包括电浆机，电浆机内设置有反应室，反应室处于两个相互对应设置的电极之间，两个电极之间通过电源适配器与射频电源施加有电压，所述反应室内竖直设置有至少两根转轴，所述转轴上沿轴向间隔设置有若干圆形转盘，转盘与转轴相垂直，转盘表面设置有若干晶圆载台，所述反应室分别与抽真空组件、制程气体输送组件相连接，与所述电浆机的门体相对应地设置有晶圆上下料机构；方法包括将晶圆放入反应室进行氮气电浆处理。本发明能够降低阻障层的钛或钛钨氧化成氧化钛，达到提高液晶屏幕驱动芯片金凸块可靠度的目的。
提高驱动芯片可靠电浆源表面处理装置方法

[发明专利]洗除氧化钨的洗液及清洗附着有氧化钨生产工具的方法-CN201810093214.6有效
发明人： 时庆楠;周德榕;许原诚;陆洋;郑忠 -专利权人：江苏汇成光电有限公司
申请日： 2018-01-31 - 公布日： 2020-05-19 - 主分类号： C11D7/04 文献下载
摘要：本发明涉及化学洗液技术领域内洗除氧化钨的洗液及清洗附着有氧化钨生产工具的方法，本发明的洗除氧化钨的洗液，包括如下质量组成的组分：双氧水0.1%‑3%，IA族金属氢氧化物0.1%‑3%，氨水0.1%‑3%，一元醇0.1‑3%，余量为水，所有组份的质量百分量之和为100%。本发明的清洗液中，氧化钨于水中少量溶解生成钨酸，IA族金属的氢氧化物和氨水均能与钨酸反应生成钨酸盐或偏钨酸盐，通过此双物料反应，可以提高反应速度和效率。加入双氧水，可提高三氧化钨稳定性，避免三氧化钨转化为低价氧化钨，避免产生不溶解的副产物；加入一元醇，主要作用为表面活性剂，通过其羧基的极性，加快物质的溶解使得整个反应速度更快，最终可使此清洗液在常温下快速有效的去除三氧化钨附着污物。
氧化钨清洗附着生产工具方法

[实用新型]一种集成电路芯片光阻去除装置-CN201920494127.1有效
发明人： 时庆楠;周德榕;郑忠;张伟;李文浩;谢巍 -专利权人：江苏汇成光电有限公司
申请日： 2019-04-12 - 公布日： 2019-11-12 - 主分类号： G03F7/42 文献下载
摘要：本实用新型公开了半导体集成电路领域内的一种集成电路芯片光阻去除装置及工艺，装置包括机台，机台上依次排列设置有若干去光阻槽体，内槽体内设置有超声发生器，内槽体内设置有加热装置，内槽体内放置有可升降的晶圆载具，晶圆载具上放置有晶舟，外槽体内部通过外接管道与内槽体底部相连通；工艺包括如下步骤：将每个晶舟的各晶圆槽内都放入晶圆；然后将各晶舟放到各晶圆载具上；控制杆带动各晶舟下降浸没到去光阻槽体中；循环泵工作，同时超声发生器先开启工作N秒，然后超声发生器再关闭N秒；重复上述步骤M次；再将晶舟放入水洗槽体内，洗掉晶圆上的去光阻液。本实用新型能够去除晶圆上的光阻，防止光阻回粘在晶圆上，提高光阻去除效率。
晶圆晶舟光阻超声发生器光阻去除体内内槽载具集成电路芯片本实用新型槽体放入半导体集成电路机台加热装置外接管道依次排列光阻液晶圆槽可升降控制杆内槽体水洗槽体内部循环泵浸没去除外槽重复

[发明专利]一种集成电路芯片光阻去除装置及工艺-CN201910293626.9在审
发明人： 时庆楠;周德榕;郑忠;张伟;李文浩;谢巍 -专利权人：江苏汇成光电有限公司
申请日： 2019-04-12 - 公布日： 2019-06-28 - 主分类号： G03F7/42 文献下载
摘要：本发明公开了半导体集成电路领域内的一种集成电路芯片光阻去除装置及工艺，装置包括机台，机台上依次排列设置有若干去光阻槽体，内槽体内设置有超声发生器，内槽体内设置有加热装置，内槽体内放置有可升降的晶圆载具，晶圆载具上放置有晶舟，外槽体内部通过外接管道与内槽体底部相连通；工艺包括如下步骤：将每个晶舟的各晶圆槽内都放入晶圆；然后将各晶舟放到各晶圆载具上；控制杆带动各晶舟下降浸没到去光阻槽体中；循环泵工作，同时超声发生器先开启工作N秒，然后超声发生器再关闭N秒；重复上述步骤M次；再将晶舟放入水洗槽体内，洗掉晶圆上的去光阻液。本发明能够去除晶圆上的光阻，防止光阻回粘在晶圆上，提高光阻去除效率。
晶圆晶舟光阻超声发生器光阻去除体内内槽载具集成电路芯片槽体放入半导体集成电路机台加热装置外接管道依次排列光阻液晶圆槽可升降控制杆内槽体水洗槽体内部循环泵浸没去除外槽重复

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