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[发明专利]膜形成用组合物-CN202180026228.6在审
发明人：柴山亘;武田谕;志垣修平;石桥谦;加藤宏大;中岛诚 -专利权人： 日产化学株式会社
申请日： 2021-03-31 - 公布日： 2022-11-25 - 主分类号： G03F7/11 文献下载
摘要：本发明的课题是提供获得能够作为具有对作为上层而形成的抗蚀剂膜用的组合物的溶剂的耐性、针对氟系气体的良好的蚀刻特性、进一步良好的光刻特性的抗蚀剂下层膜而良好地起作用的膜的组合物。解决手段是一种膜形成用组合物，其特征在于，包含使用2种以上酸性化合物进行水解性硅烷化合物的水解和缩合而获得的水解缩合物、和溶剂，上述水解性硅烷化合物包含下述式(1)所示的含有氨基的硅烷。(在式(1)中，R1为与硅原子结合的基团，彼此独立地表示包含氨基的有机基，R2为与硅原子结合的基团，表示可以被取代的烷基、可以被取代的芳基、可以被取代的芳烷基、可以被取代的卤代烷基、可以被取代的卤代芳基、可以被取代的卤代芳烷基、可以被取代的烷氧基烷基、可以被取代的烷氧基芳基、可以被取代的烷氧基芳烷基、或可以被取代的烯基，或表示包含环氧基、丙烯酰基、甲基丙烯酰基、巯基或氰基的有机基，R3为与硅原子结合的基团或原子，彼此独立地表示烷氧基、芳烷基氧基、酰氧基或卤原子，a为1～2的整数，b为0～1的整数，且满足a+b≤2。)R1aR2bSi(R3)4‑(a+b)(1)。
形成组合

[发明专利]抑制了交联剂的改性的抗蚀剂下层膜形成用组合物-CN202180026798.5在审
发明人：窪寺俊;上林哲;远藤勇树 -专利权人： 日产化学株式会社
申请日： 2021-03-30 - 公布日： 2022-11-25 - 主分类号： G03F7/11 文献下载
摘要：提供保存稳定性高、膜的固化开始温度低、升华物的产生量少、可以形成不溶出于光致抗蚀剂溶剂的膜的抗蚀剂下层膜形成用组合物、使用了该抗蚀剂下层膜形成用组合物的抗蚀剂图案形成法、和半导体装置的制造方法。包含能够交联的树脂、交联剂、下述式(I)所示的交联催化剂、和溶剂的抗蚀剂下层膜形成用组合物。(A‑SO3)‑(BH)+[式中，A为可以被取代的直链、支链、或环状的饱和或不饱和的脂肪族烃基、可以被除羟基以外的基团取代的芳基、或可以被取代的杂芳基，B为具有6.5～9.5的pKa的碱。](A‑SO3)‑(BH)+ (I)。
抑制交联剂改性抗蚀剂下层形成组合

[发明专利]新型二胺、聚合物、液晶取向剂、液晶取向膜以及使用其的液晶显示元件-CN202180028948.6在审
发明人：福田一平;原田佳和;名木达哉 -专利权人： 日产化学株式会社
申请日： 2021-04-09 - 公布日： 2022-11-25 - 主分类号： G02F1/1337 文献下载
摘要：本发明提供一种液晶取向剂，其能通过光取向法制造液晶取向膜，且可得到即使长时间持续照射背光源光也具有良好的电压保持率的液晶取向膜。一种液晶取向剂，其特征在于，含有：选自由使用四羧酸衍生物成分和包含下述式(1)所示的二胺的二胺成分而得到的聚合物及其酰亚胺化聚合物构成的组中的至少一种聚合物(A)、以及有机溶剂。(各取代基的含义如说明书所记载。)
新型聚合物液晶取向以及使用液晶显示元件

[发明专利]单链寡核苷酸-CN201780008239.5有效
发明人：入山友辅;中嶋宏之;金木达朗 -专利权人： 日产化学株式会社
申请日： 2017-01-26 - 公布日： 2022-11-25 - 主分类号： C12N15/113 文献下载
摘要：本发明提供能高效地控制靶基因、并且能容易地制造的单链寡核苷酸。其为由式X‑L‑Y表示、X和Y以第一核苷酸序列部分和第二核苷酸序列部分进行杂交的单链寡核苷酸。X由7～100个核苷酸形成，包含至少1个修饰核苷酸，具有能与第二寡核苷酸杂交、且含有可被RNaseH识别的至少4个连续核苷酸的第一核苷酸序列。Y由4～100个核苷酸形成，具有能与所述第一寡核苷酸杂交、且含有至少1个核糖核苷酸的第二核苷酸序列。核苷酸序列X及Y中的至少一者具有能与靶RNA杂交的反义序列。L为来源于在生理条件下被分解的第三寡核苷酸的基团。
寡核苷酸

[发明专利]光取向法用液晶取向剂、液晶取向膜以及液晶显示元件-CN202180024468.2在审
发明人：石川和典;名木达哉;杉山崇明;小西玲久;福田一平 -专利权人： 日产化学株式会社
申请日： 2021-03-10 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： G02F1/1337 文献下载
摘要：一种光取向法用液晶取向剂，其含有选自由聚酰亚胺前体和该聚酰亚胺前体的酰亚胺化聚合物构成的组中的至少一种聚合物(A)，所述聚合物(A)具有：选自由下述式(1－a)所示的重复单元和下述式(1－i)所示的重复单元构成的组中的至少一种重复单元(a1)；以及选自由下述式(2－a)所示的重复单元和下述式(2－i)所示的重复单元构成的组中的至少一种重复单元(a2)，所述聚合物(A)包含全部重复单元的1～20摩尔％的所述重复单元(a1)。
取向液晶以及液晶显示元件

[发明专利]液晶取向剂、液晶取向膜、以及液晶显示元件-CN202180026171.X在审
发明人：丰田美希;军司里枝 -专利权人： 日产化学株式会社
申请日： 2021-03-19 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： G02F1/1337 文献下载
摘要：本发明提供一种液晶取向剂、由该液晶取向剂得到的液晶取向膜以及使用了该液晶取向膜的液晶显示元件，所述液晶取向剂能得到即使长时间暴露于高温高湿下后电压保持率也高，此外蓄积的电荷的缓和快，残像特性优异的液晶取向膜。本发明还提供一种液晶取向剂，由该液晶取向剂得到的液晶取向膜以及使用了该液晶取向膜的液晶显示元件，所述液晶取向剂能得到具有高光透射率的液晶取向膜。本发明的液晶取向剂含有具有第一重复单元(a1)和第二重复单元(a2)的聚合物成分，所述第一重复单元(a1)选自由下述式(1－a)所示的重复单元和下述式(1－i)所示的重复单元构成的组中，所述第二重复单元(a2)选自由下述式(2－a)所示的重复单元和下述式(2－i)所示的重复单元构成的组中。(各取代基的含义如说明书所记载的那样。)
液晶取向以及液晶显示元件

[发明专利]液晶取向剂、液晶取向膜以及液晶显示元件-CN202180027287.5在审
发明人：仲井崇;中原翔一朗;新津新平;玉井友基;別府功一朗 -专利权人： 日产化学株式会社
申请日： 2021-04-02 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： G02F1/1337 文献下载
摘要：本发明提供一种液晶取向剂，其在得到具有1度以下的预倾角的液晶取向膜的同时，即使在将负型液晶用作液晶材料的情况下也得到显示不良(线烧屏)的发生率低的液晶显示元件。本发明的液晶取向剂含有将作为四羧酸衍生物成分与二胺成分的反应物的聚酰亚胺前体酰亚胺化而得到的聚酰亚胺(A)，四羧酸衍生物成分含有1，2，3，4－丁烷四羧酸二酐或其衍生物，二胺成分含有选自下述式(1a)～(1b)中的至少一种以上的二胺和下述式(2)所示的二胺。(各取代基的意义如说明书所记载的那样。)
液晶取向以及液晶显示元件

[发明专利]清洗剂组合物以及经加工的半导体基板的制造方法-CN202180026155.0在审
发明人：荻野浩司;奥野贵久;柳井昌树;森谷俊介;绪方裕斗;福田拓也;新城彻也 -专利权人： 日产化学株式会社
申请日： 2021-03-30 - 公布日： 2022-11-18 - 主分类号： C11D1/62 文献下载
摘要：一种清洗剂组合物，其特征在于，用于去除粘接剂残留物，该清洗剂组合物包含季铵盐、金属腐蚀抑制剂以及有机溶剂，上述金属腐蚀抑制剂由碳原子数7～40的脂肪族饱和烃化合物单羧酸、碳原子数7～40的脂肪族饱和烃化合物二羧酸或其酸酐、碳原子数7～40的脂肪族不饱和烃化合物单羧酸、或碳原子数7～40的脂肪族不饱和烃化合物二羧酸或其酸酐构成。
洗剂组合以及加工半导体制造方法

[发明专利]膜形成用组合物-CN202180026667.7在审
发明人：柴山亘;武田谕;志垣修平;石桥谦;加藤宏大;中岛诚 -专利权人： 日产化学株式会社
申请日： 2021-03-31 - 公布日： 2022-11-18 - 主分类号： G03F7/11 文献下载
摘要：本发明的课题是提供获得能够作为具有对作为上层而形成的抗蚀剂膜用的组合物的溶剂的耐性、对氟系气体的良好的蚀刻特性、进一步良好的光刻特性的抗蚀剂下层膜而良好地起作用的膜的组合物。解决手段是一种膜形成用组合物，其特征在于，是包含使用包含2种以上酸性基的酸性化合物将水解性硅烷化合物水解和缩合而获得的水解缩合物、和溶剂的膜形成用组合物，上述水解性硅烷化合物包含下述式(1)所示的含有氨基的硅烷。(在式(1)中，R1为与硅原子结合的基团，彼此独立地表示包含氨基的有机基，R2为与硅原子结合的基团，表示可以被取代的烷基、可以被取代的芳基、可以被取代的芳烷基、可以被取代的卤代烷基、可以被取代的卤代芳基、可以被取代的卤代芳烷基、可以被取代的烷氧基烷基、可以被取代的烷氧基芳基、可以被取代的烷氧基芳烷基、或可以被取代的烯基，或表示包含环氧基、丙烯酰基、甲基丙烯酰基、巯基或氰基的有机基，R3为与硅原子结合的基团或原子，彼此独立地表示烷氧基、芳烷基氧基、酰氧基或卤原子，a为1～2的整数，b为0～1的整数，满足a+b≤2。)R1aR2bSi(R3)4‑(a+b)(1)。
形成组合

[发明专利]膜形成用组合物-CN202180024987.9在审
发明人：加藤宏大;武田谕;志垣修平;柴山亘;中岛诚 -专利权人： 日产化学株式会社
申请日： 2021-03-31 - 公布日： 2022-11-18 - 主分类号： C08L83/04 文献下载
摘要：本发明提供用于形成溶剂显影型抗蚀剂的抗蚀剂下层膜的膜形成用组合物，所述抗蚀剂下层膜能够形成良好的抗蚀剂图案。该膜形成用组合物的特征在于包含水解性硅烷化合物的水解缩合物、选自由氨基塑料交联剂及酚醛塑料交联剂组成的组中的至少1种交联剂和溶剂，且上述水解性硅烷化合物包含下述式(1)表示的水解性硅烷。R1aR2bSi(R3)4‑(a+b)(1)。
形成组合

[发明专利]半导体基板的清洗方法、经加工的半导体基板的制造方法以及剥离用组合物-CN202180023489.2在审
发明人：奥野贵久;柳井昌树;福田拓也;绪方裕斗;森谷俊介;荻野浩司;新城彻也 -专利权人： 日产化学株式会社
申请日： 2021-03-22 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体基板的清洗方法，其包括使用剥离用组合物来剥离半导体基板上的粘接层的工序，上述剥离用组合物包含溶剂，不包含盐，上述溶剂包含80质量％以上的式(L0)～(L4)中的任一式所示的有机溶剂。(式中，L101～L112分别独立地表示氢原子、碳原子数1～5的烷基、碳原子数2～5的烯基或碳原子数2～5的炔基，L101～L112中的至少一个表示碳原子数1～5的烷基、碳原子数2～5的烯基或碳原子数2～5的炔基，L201～L210分别独立地表示氢原子、碳原子数1～5的烷基、碳原子数2～5的烯基或碳原子数2～5的炔基，L201～L210中的至少一个表示碳原子数1～5的烷基、碳原子数2～5的烯基或碳原子数2～5的炔基，L301～L308分别独立地表示氢原子、碳原子数1～5的烷基、碳原子数2～5的烯基或碳原子数2～5的炔基，L301～L308中的至少一个表示碳原子数1～5的烷基、碳原子数2～5的烯基或碳原子数2～5的炔基，L401～L408分别独立地表示氢原子、碳原子数1～5的烷基、碳原子数2～5的烯基或碳原子数2～5的炔基，L401～L408中的至少一个表示碳原子数1～5的烷基、碳原子数2～5的烯基或碳原子数2～5的炔基)。
半导体清洗方法加工制造以及剥离组合

[发明专利]半导体基板的清洗方法、经加工的半导体基板的制造方法以及剥离用组合物-CN202180024022.X在审
发明人：奥野贵久;柳井昌树;福田拓也;绪方裕斗;森谷俊介;荻野浩司;新城彻也 -专利权人： 日产化学株式会社
申请日： 2021-03-22 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体基板的清洗方法，其包括使用剥离用组合物来剥离半导体基板上的粘接层的工序，其特征在于，上述剥离用组合物包含溶剂，不包含盐，上述溶剂包含选自分子量小于160的、脂肪族烃化合物、芳香族烃化合物、醚化合物、硫醚化合物、酯化合物以及胺化合物中的一种或两种以上，上述粘接层上的上述剥离用组合物的接触角小于31.5度。
半导体清洗方法加工制造以及剥离组合

[发明专利]半导体基板的清洗方法、经加工的半导体基板的制造方法以及剥离用组合物-CN202180024051.6在审
发明人：奥野贵久;柳井昌树;福田拓也;绪方裕斗;森谷俊介;荻野浩司;新城彻也 -专利权人： 日产化学株式会社
申请日： 2021-03-22 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：一种半导体基板的清洗方法，其包括使用剥离用组合物剥离半导体基板上的粘接层的工序，上述剥离用组合物包含溶剂且不含盐，上述溶剂包含80质量％以上的式(L)所表示的有机溶剂。(式中，L1和L2分别独立地表示碳原子数1～6的烷基，L1的烷基的碳原子数与L2的烷基的碳原子数的合计为6以下。)
半导体清洗方法加工制造以及剥离组合

[发明专利]半导体基板的清洗方法、经加工的半导体基板的制造方法以及剥离用组合物-CN202180024052.0在审
发明人：荻野浩司;奥野贵久;柳井昌树;福田拓也;绪方裕斗;森谷俊介;新城彻也;泽田和宏 -专利权人： 日产化学株式会社
申请日： 2021-03-22 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体基板的清洗方法，其包括：使用含有包含碳原子数8～10的直链状脂肪族饱和烃化合物的溶剂且不含盐的剥离用组合物，将半导体基板上的粘接层剥离的工序，使用直链状烃化合物作为上述碳原子数8～10的直链状脂肪族饱和烃化合物。
半导体清洗方法加工制造以及剥离组合

[发明专利]具有1个烃基的异氰脲酸衍生物的制造方法-CN201780032424.8有效
发明人：后藤裕一;孙军 -专利权人： 日产化学株式会社
申请日： 2017-05-23 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： C07D251/34 文献下载
摘要：本发明的课题是提供具有1个烃基的异氰脲酸衍生物的新的制造方法。解决手段是一种具有1个烃基的异氰脲酸衍生物的制造方法，其包含下述工序：由下述式(0)所示的化合物获得下述式(1)所示的化合物的第一工序；由上述式(1)所示的化合物获得下述式(2)所示的化合物的第二工序；由上述式(2)所示的化合物获得下述式(3)所示的化合物的第三工序；以及由上述式(3)所示的化合物获得下述式(4)所示的化合物的第四工序，(式中，X1分别表示氯原子、氟原子或溴原子，Bn表示苯环的至少1个氢原子可以被甲基取代的苄基，R表示碳原子数1～10的烃基。)，全部工序都在不超过100℃的温度下进行。
具有个烃基异氰脲酸衍生物制造方法