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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]可恢复性能的氮化镓元件-CN201210232688.7无效
发明人：刘朋;王振中;李超 -专利权人： 无锡派腾微纳米科技有限公司
申请日： 2012-07-06 - 公布日： 2014-01-22 - 主分类号： H01L23/04 文献下载
摘要：一种氮化镓半导体元件，包括氮化镓半导体器件、封装外壳，以及与氮化镓半导体器件表面相对的一个发光单元。当氮化镓半导体元件的性能由于电子被俘获中心捕获而对元件性能有所影响时，可以通过发光单元进行照明，使电子从俘获中心逃逸，从而恢复元件的性能。
可恢复性能氮化元件

[发明专利]确定半导体材料中电荷俘获中心的方法-CN201210145722.7无效
发明人：刘朋;王振中;李超 -专利权人： 无锡派腾微纳米科技有限公司
申请日： 2012-05-11 - 公布日： 2013-11-13 - 主分类号： G01Q60/00 文献下载
摘要：一种确定半导体材料中电荷俘获中心的方法，包括：提供半导体材料，所述半导体材料表面形成源极和漏极结构；金属探针作为可以移动的栅极；通过改变探针的位置来改变俘获中心所俘获的电子数目；通过在平行于半导体材料表面的平面扫描金属探针，获得栅极电流随金属探针位置变化的图像，进而确定电子俘获中心的位置。通过本发明所提供的方法，可以确定半导体材料中电子俘获中心的位置和分布密度。
确定半导体材料电荷俘获中心方法

[发明专利]一种微型氮化镓集成器件-CN201210145692.X无效
发明人：刘朋;王振中;李超 -专利权人： 无锡派腾微纳米科技有限公司
申请日： 2012-05-11 - 公布日： 2013-11-13 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：一种微型氮化镓集成器件，包括提供氮化镓衬底材料；在氮化镓衬底表面制作欧姆接触电极和肖特基接触电极，形成排列成全波整流桥结构的平面氮化镓二极管阵列、独立的场效应晶体管和独立的平面二极管。应用本发明，可以在单一芯片上实现复杂的功能，降低制造成本，降低封装成本；应用本发明的电力转换装置，可以降低导通损耗、提高开关速度、减少散热装置、减小电路面积、减小电容和电感器件的体积和重量，实现小型化和轻型化。
一种微型氮化集成器件

[发明专利]一种氮化镓功率场效应晶体管-CN201210145723.1无效
发明人：刘朋;王振中;李超 -专利权人： 无锡派腾微纳米科技有限公司
申请日： 2012-05-11 - 公布日： 2013-11-13 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：一种氮化镓功率场效应晶体管的结构，包括衬底、缓冲层、外延在缓冲层上的氮化镓(GaN)沟道层，外延在GaN上的铝镓氮（AlGaN）层、源极、漏极、栅极，以及栅极与AlGaN之间的多晶硅层和绝缘层。当栅极电压为负时，栅极金属层的电子隧穿到多晶硅层，增加GaN场效应晶体管的开启电压从而提高了GaN场效应晶体管的开关性能，并降低晶体管自身的功率损耗。
一种氮化功率场效应晶体管

[发明专利]一种常开型氮化镓场效应晶体管的制造方法-CN201210112398.9无效
发明人：刘朋;王振中;李超 -专利权人： 无锡派腾微纳米科技有限公司
申请日： 2012-04-17 - 公布日： 2013-10-30 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：一种常开型氮化镓场效应晶体管的制造方法，包括：提供衬底材料，所述衬底材料表面外延生长氮化镓层，所述氮化镓层表面生长铝镓氮层；通过等离子体刻蚀，形成工作区域；等离子体刻蚀并沉积源极和漏极金属；通过等离子体刻蚀金属并高温退火形成源极和漏极结构；沉积栅极金属并等离子体刻蚀部分所沉积的金属，形成栅极结构；本发明所提供的方法，可以与现有硅器件生产工艺（Si-CMOS）完全兼容，并且避免了剥离过程所带来的污染问题，并提高产品良率。
一种常开氮化场效应晶体管制造方法

[发明专利]一种常闭型氮化镓场效应晶体管的制造方法-CN201210112158.9无效
发明人：刘朋;王振中;李超 -专利权人： 无锡派腾微纳米科技有限公司
申请日： 2012-04-17 - 公布日： 2013-10-30 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种常闭型氮化镓场效应晶体管的制造方法，包括：提供衬底材料，所述衬底材料表面外延生长氮化镓层，所述氮化镓层表面生长铝镓氮层；通过第一次等离子体刻蚀，形成工作区域；通过第二次等离子体刻蚀形成源极和漏极接触区域；沉积源极和漏极金属；通过第三次等离子体刻蚀金属形成源极和漏极结构；高温退火形成源极和漏极欧姆接触；向栅极区域注入氟离子；沉积栅极金属；通过第四次等离子体刻蚀形成栅极结构；通过本发明所提供的方法可以提供与现有硅器件生产线相兼容的生产方法，避免了剥离过程所带来的污染问题，并提高产品良率。
一种常闭型氮化场效应晶体管制造方法

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