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[发明专利]一种具有宽谱增益的多段量子阱InP基外延片-CN202310869961.5在审
发明人：王岩;徐鹏飞 -专利权人：江苏华兴激光科技有限公司;无锡华兴光电研究有限公司
申请日： 2023-07-14 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H01S5/343 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有宽谱增益的多段量子阱InP基外延片，涉及半导体放大器激光器技术领域，其技术方案要点包括InP衬底，在所述InP衬底上依次外延生长InP缓冲层、n‑InP限制层、n‑lGaInAs渐变波导层、多段隧穿MQW有源层、p‑AlGaInAs渐变波导层、p‑InGaAsP腐蚀停止层、p‑InP限制层和p‑InGaAsP/InGaAs接触层，效果是通过AlGaInAs/InP多段隧穿MQW有源层实现超宽增益谱，该结构可用于大带宽可调激光器，宽谱自发辐射光源，相控阵激光雷达发射光源等；特点是结构紧凑，不需要多管拼接，就可实现超大带宽。
一种具有增益量子 inp 外延

[发明专利]一种窄线宽垂直腔面发射激光器-CN202310872923.5在审
发明人：王岩;徐鹏飞 -专利权人：江苏华兴激光科技有限公司;无锡华兴光电研究有限公司
申请日： 2023-07-14 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H01S5/183 文献下载
摘要：本发明公开了一种窄线宽垂直腔面发射激光器，涉及光电技术领域，其技术方案要点包括激光器顶端、接触层、上DBR层、氧化限制层、有源区、衬底层、下DBR层和下金属层，激光器顶端包括氧化铝出光窗口区，氧化铝出光窗口区由高铝组分外延层湿氧氧化获得；本发明提出一方面在氧化铝出光窗口区引入高铝组份，在湿氧氧化步骤中，使其变成Al2O3而实现增透作用，另一方面通过将下DBR层制作在衬底层下方，从而大幅度增加腔长，加强激光相干性，实现窄线宽，使得该激光器有利于在原子钟等领域应用。
一种窄线宽垂直发射激光器

[发明专利]一种微纳结构及其制备方法-CN202211425238.X有效
发明人：王岩;徐鹏飞 -专利权人：江苏华兴激光科技有限公司;无锡华兴光电研究有限公司
申请日： 2022-11-15 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种微纳结构及其制备方法，涉及微纳光学技术领域，目的在于提供一种简化光刻工艺中各步骤的实现方式、提高光刻效率和抗蚀液去除效果的微纳结构及其制备方法，其技术要点是涉及该微纳结构制备方法的制造设备，制造设备包括用于加热晶圆片的加热系统、用于刻蚀电路图案的光照系统、用于清洗抗蚀剂的显影腔和用于带动承片台在加热系统、光照系统和显影腔之间移动的传动系统，且承片台进入显影腔清洗时，晶圆片的光刻面朝下，技术效果是通过设置传动系统，带动承片台在加热系统、光照系统和显影腔之间移动，改变现有光刻工艺中各步骤的实现方式，无需单独设置机械臂来安装烘干设备，承片台转动进入显影腔，简化晶圆片的清洗方法。
一种结构及其制备方法

[发明专利]一种射频芯片外延片-CN202210849659.9有效
发明人：徐鹏飞;王岩 -专利权人：江苏华兴激光科技有限公司;无锡华兴光电研究有限公司
申请日： 2022-07-19 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种射频芯片外延片，包括：半绝缘GaAs衬底、渐变缓冲层、外延层，渐变缓冲层设于半绝缘GaAs衬底的一侧，渐变缓冲层包括p‑GaAs缓冲层，p‑GaAs缓冲层远离半绝缘GaAs衬底的一侧依次外延生长有p‑AlGaAs组份渐变层，外延层设于p‑AlGaAs组份渐变层远离p‑GaAs缓冲层的一侧，外延层包括p型高掺AlAs层，p型高掺AlAs层远离p‑AlGaAs组份渐变层的一侧依次外延生长有p型低掺杂AlAs层、n‑GaAs层、p‑AlGaAs层、p‑GaAs层，半绝缘GaAs衬底的厚度为100μm‑500μm，半绝缘GaAs衬底的材质为单晶材料中掺杂铁形成的半绝缘材料。本发明通过AlAs/GaAs和GaAs/AlGaAs晶格匹配双异质结设计实现射频异质结双极性PNP晶体管外延材料，提高成品率和可靠性，降低外延生长难度，满足射频工作需要。
一种射频芯片外延

[发明专利]一种抗反射半导体激光器芯片的制作方法-CN202211508911.6在审
发明人：徐鹏飞;王文知 -专利权人：江苏华兴激光科技有限公司;无锡华兴光电研究有限公司
申请日： 2022-11-29 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： H01S5/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种抗反射半导体激光器芯片的制作方法，涉及光通信的半导体激光器芯片技术领域，本发明采用金属有机物化学气相沉积生长有源区及波导结构，并使用EBL制作光栅，最终形成完整工艺外延片，之后通过光刻，刻蚀，金属生长等工艺形成芯片，通过简单易实现的芯片制造工艺即可达到抗反射的效果，该芯片的光栅采用EBL写的CPM光栅，具有较好的锁模效果，在出射端面采用了弯曲波导可以减少光路中返回的光，以免对出射光形成干扰，达到去隔离器的效果，可以极大的降低成本。
一种反射半导体激光器芯片制作方法

[发明专利]一种用于红外雪崩探测芯片的激光退火装置及其检测方法-CN202211314394.9在审
发明人：徐鹏飞;王岩 -专利权人：江苏华兴激光科技有限公司;无锡华兴光电研究有限公司
申请日： 2022-10-25 - 公布日： 2023-01-13 - 主分类号： H01L31/107 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于红外雪崩探测芯片的激光退火装置及其检测方法，涉及半导体技术领域，包括激光光源、连续光衰减片、分光镜、透镜、红外雪崩探测芯片、光功率计、电压电流源和计算机；利用激光进行退火可以选择性的对芯片进行局部退火，不影响电极与材料的欧姆接触，同时激光的波长及能量可以调节，可以对不同的吸收层材料进行有选择性的退火；主要针对探测芯片的吸收层材料进行选择性退火，同时选择的激光波长通过衰减至合适范围，可以对探测芯片的光响应性能进行检测，达到对退火效果的监测。
一种用于红外雪崩探测芯片激光退火装置及其检测方法

[发明专利]一种红光激光芯片的制作方法-CN202211264116.7在审
发明人：徐鹏飞;王文知;王岩 -专利权人：江苏华兴激光科技有限公司;无锡华兴光电研究有限公司
申请日： 2022-10-14 - 公布日： 2023-01-06 - 主分类号： H01S5/34 文献下载
摘要：本发明公开了一种红光激光芯片的制作方法，包括如下步骤，在n型衬底上采用金属有机物化学气相沉积系统依次外延生长缓冲层、下cladding层、下波导层、有源区、上波导层、光子晶体层、上cladding层和接触层；光刻定义PCSEL台面，刻蚀出PCSEL台面并生长二氧化硅绝缘层；在二氧化硅绝缘层中开出p面电极窗口；在p面电极窗口沉积金属并剥离出环形电极形成p面电极，n型衬底减薄后沉积金属形成n面电极。通过使用纳米压印来制作光子晶体图形，达到可以量产的目的，通过优化二次外延的条件来形成由(Al0.1Ga)0.53InP和空气孔组成的光子晶体，从而提高光子晶体结构的光限制能力，制备的650nm激光芯片出光方向垂直外延片方向出射，出光腔面的面积不受限制，大大提高了器件的可靠性。
一种红光激光芯片制作方法

[发明专利]一种GaAs基窄线宽红光激光芯片的制作方法-CN202211045793.X在审
发明人：徐鹏飞;王文知;王岩 -专利权人：江苏华兴激光科技有限公司;无锡华兴光电研究有限公司
申请日： 2022-08-26 - 公布日： 2022-12-27 - 主分类号： H01S5/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种GaAs基窄线宽红光激光芯片的制作方法，属于半导体激光器芯片技术领域，本发明采用金属有机物化学气相沉积法外延生长应变量子阱有源区及波导结构，结合电子束曝光和干法刻蚀制作带相移光栅的激光芯片外延片，本发明中通过使用电子束曝光来制作相移光栅掩膜，达到减小器件线宽的目的，二次外延AlGaInP上cladding层及GaAs接触层以及在二次外延之前先初次外延一层100nm厚的AlGaInP层，通过控制AlGaInP层以及AlGaInP光栅层材料的比例，便于形成低损耗的相移光栅材料，从而使得制备的激光芯片具有高光束质量，窄线宽红光的优点。
一种 gaas 基窄线宽红光激光芯片制作方法

[发明专利]一种高性能光探测器芯片外延片-CN202210966917.1在审
发明人：徐鹏飞;王岩 -专利权人：江苏华兴激光科技有限公司;无锡华兴光电研究有限公司
申请日： 2022-08-11 - 公布日： 2022-11-04 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本发明公开了一种高性能光探测器芯片外延片，包括InP衬底层和外延层，InP衬底层上设有外延层，外延层包括缓冲层、第一收集层、第二收集层、下波导层、悬崖层、下过渡层、上过渡层、P型多量子阱吸收层、上波导层、P型阻挡层、P型盖层和P型接触层。本发明通过芯片外延片上相应机构的设置，主要针对1550nm通信波段高灵敏度、高速、高饱和功率的波导型探测器的片上集成应用，利用III‑V多组分体系灵活的能带工程，通过P型多数载流子吸收层设计，载流子扩散阻挡层设计，过渡层和收集层设计来调节电场，加强电子流对光生电流的贡献，避免空穴运动速度慢带来的诸多不利效应，通过上下波导层的引入，加强波导中光子的限制，提高探测器响应度。
一种性能探测器芯片外延

[发明专利]一种GaAs基高可靠性激光芯片外延片-CN202210883423.7在审
发明人：徐鹏飞;王岩 -专利权人：江苏华兴激光科技有限公司;无锡华兴光电研究有限公司
申请日： 2022-07-26 - 公布日： 2022-10-25 - 主分类号： H01S5/30 文献下载
摘要：本发明公开了一种GaAs基高可靠性激光芯片外延片，包括GaAs衬底，在GaAs衬底上依次外延生长GaAs缓冲层、n‑AlGaAs限制层、n‑AlGaAs渐变波导层、MQW有源层、啁啾周期应变电子反射层、p‑AlGaAs渐变波导层、p‑AlGaAs限制层和p‑GaAs接触层，MQW有源层材料为InGaAs/AlGaInP，啁啾周期应变电子反射层材料为AlGaAs/AlGaInP，激光芯片外延片结构采用的设备为MOCVD、激光芯片外延片结构使用的MO源为TMGa、TMAl和TMIn、激光芯片外延片结构使用的掺杂源为SiH4，CF4等、激光芯片外延片结构使用的特气为AsH3和PH3。本发明通过把AlGaAs/AlGaInP啁啾周期应变电子反射层引入到有源区进一步限制电子，减少电子漏电流，提高电子与空穴载流子的复合几率，能提高激光器外延片的内量子发光效率，减少热效应，提高可靠性。
一种 gaas 可靠性激光芯片外延

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