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[发明专利]铝合金靶材及其制造方法-CN201980036620.1有效
发明人：中村亮太;永田智啓;赤松泰彦;小林大士;氏原祐辅;中台保夫;新田纯一 -专利权人：株式会社爱发科
申请日： 2019-03-28 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供能够形成耐弯曲性以及耐热性优异的铝合金膜的铝合金靶材以及铝合金靶材的制造方法。为了达成上述目的，本发明的一个方式的铝合金靶材在Al纯金属中含有从Zr、Sc、Mo、Y、Nb以及Ti的组中选择的至少一种的第一添加元素。上述第一添加元素的含量在0.01原子％以上1.0原子％以下。若是使用这样的铝合金靶材形成的铝合金膜，则铝合金膜具有优异的耐弯曲性并具有优异的耐热性。另外，铝合金膜也能够蚀刻。
铝合金及其制造方法

[发明专利]铝合金膜、其制造方法以及薄膜晶体管-CN201980039161.2有效
发明人：氏原祐辅;小林大士;赤松泰彦;永田智啓;中村亮太;新田纯一;中台保夫 -专利权人：株式会社爱发科
申请日： 2019-03-28 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： C22C21/00 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供耐弯曲性以及耐热性优异的铝合金膜以及具有该铝合金膜的薄膜晶体管。为了达成上述目的，本发明的一种方式的铝合金膜，在Al纯金属中含有从Zr、Sc、Mo、Y、Nb以及Ti的组中选择的至少一种的第一添加元素。上述第一添加元素的含量在0.01原子％以上1.0原子％以下。若是这样的铝合金膜，则铝合金膜具有优异的耐弯曲性，具有优异的耐热性。另外，铝合金膜也能够蚀刻。
铝合金制造方法以及薄膜晶体管

[发明专利]溅射靶及溅射靶的制造方法-CN201980004037.2有效
发明人：芦小丽;新田纯一;中村晃;佐藤美穂 -专利权人：株式会社爱发科
申请日： 2019-03-28 - 公布日： 2021-11-09 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明提供一种进一步提高溅射效率的溅射靶以及溅射靶的制造方法。为了达成上述目的，本发明的一个实施方式的溅射靶，具有溅射面，其是纯度为99.95wt％以上的钴靶。与沿着所述溅射面的密排六方晶格结构的(100)面、(002)面、(101)面、(102)面、(110)面、(103)面、(112)面以及(004)面相应的X射线衍射峰的强度比(I(002)+I(004))/(I(100)+I(002)+I(101)+I(102)+I(110)+I(103)+I(112)+I(004))为0.85以上。
溅射制造方法

[发明专利]液晶显示装置、有机EL显示装置、半导体元件、布线膜、布线基板、靶材-CN201780088452.1在审
发明人：高泽悟;中台保夫;新田纯一;石桥晓 -专利权人：株式会社爱发科
申请日： 2017-12-27 - 公布日： 2019-10-29 - 主分类号： G09F9/30 文献下载
摘要：提供一种能够通过一次的蚀刻进行图案化且针对树脂基板的附着力强的布线膜以及使用了该布线膜的半导体元件、显示装置。与树脂基板(30)接触的基底膜(21)是以规定比例含有作为主添加金属的铝和作为副添加金属的硅、钛或镍的铜薄膜，由于针对树脂的附着力强，因此布线膜(31、32)(栅极电极层32)不会自树脂基板(30)剥离。另外，基底膜(21)和低电阻膜(22)由于含有很多的铜，因此能够通过对铜进行蚀刻的蚀刻剂或蚀刻气体一同进行蚀刻，因此布线膜(31、32)能够通过一次的蚀刻进行图案化。
布线膜蚀刻树脂基板半导体元件附着力强基底膜图案化有机EL显示装置液晶显示装置金属栅极电极层布线基板低电阻膜蚀刻气体显示装置蚀刻剂铜薄膜树脂靶材剥离

[发明专利]溅射靶、靶制备方法-CN201680004797.X有效
发明人：中台保夫;新田纯一;高泽悟;白井雅纪 -专利权人：株式会社爱发科
申请日： 2016-09-21 - 公布日： 2019-04-16 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明提供不发生电弧放电，而可在树脂基板上形成不剥落的导电膜的溅射靶。在具有由树脂构成的基体的加工基板32上形成有合金薄膜的溅射靶55中，相对于含有多于50原子%的Cu、以5原子%以上且40原子%以下的范围含有Ni、且以3原子%以上且10原子%以下的范围含有Al的100原子%的基材，以0.01原子%以上的含有率含有由Zn和Mn中的任一种或两种构成的添加物。由于得到无孔隙的溅射靶，所以不发生电弧放电。
溅射制备方法

[发明专利]Mo-W靶材及其制造方法-CN201280044707.1有效
发明人：松本博;马文平;新田纯一;清田淳也;武井应树;坂本纯一 -专利权人：株式会社爱发科
申请日： 2012-09-13 - 公布日： 2016-11-23 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明提供一种不需进行压延处理就能够提高相对密度的Mo‑W靶材及其制造方法。具体为，将钼粉末在1100℃以上1300℃以下的温度下进行脱氧处理，然后，在经过脱氧处理的所述钼粉末上混合钨粉末，接下来，将所述钼粉末和所述钨粉末的混合粉末以所规定的温度进行加压烧结。由此，能够抑制烧结时的空洞（气孔）的产生，从而促进烧结体的高密度化。因此，根据上述制造方法，由于能够不通过实施压延处理就能够实现烧结体的高密度化，从而能够实现溅射成膜时的膜厚的均匀性。
mo 及其制造方法

[发明专利]靶组合件及其制造方法-CN201280049766.8无效
发明人：原田宣弘;松本博;新田纯一;门胁丰;赤松泰彦 -专利权人：株式会社爱发科
申请日： 2012-10-11 - 公布日： 2014-07-16 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明提供一种将合金靶材或化合物靶材通过冷喷涂法能够制造稳定的靶组合件及其制造方法。本发明的一个实施方式的靶组合件的制造方法包含制作由金属元素构成的第1粉末和以所述金属元素为主要成分的合金或化合物形成的第2粉末的混合粉末，然后，以所述混合粉末为原料通过冷喷涂法在基体表面上形成由所述金属元素的合金或化合物形成的靶材层。由此，通过冷喷涂法能够制造稳定的合金靶材或化合物靶材。
组合及其制造方法

[发明专利]含钛溅射靶的制造方法-CN201080048483.2有效
发明人：高桥一寿;新田纯一 -专利权人：株式会社爱发科
申请日： 2010-10-22 - 公布日： 2012-07-18 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明提供一种含钛溅射靶的制造方法，所述含钛溅射靶可减少由晶格缺陷引起的异常放电的发生次数。所述方法包括：分别制造含高熔点金属的第一金属粉末与含钛的第二金属粉末。然后，在695℃以上对第一金属粉末与第二金属粉末的混合粉末进行烧结后，在685℃以下进行热处理。烧结后，通过在685℃以下对烧结体进行热处理，从而减少烧结相中的板状组织(晶格缺陷)。由此，可以得到异常放电的发生次数少的含钛溅射靶。
溅射制造方法

[发明专利]溅射靶及溅射靶的处理方法-CN201080007833.0无效
发明人：大场彰;新田纯一;原田宣宏;金丰;美原康雄 -专利权人：株式会社爱发科
申请日： 2010-05-18 - 公布日： 2012-01-11 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明提供了一种可通过简单处理分离成分金属的溅射靶以及该溅射靶的处理方法。根据本发明的溅射靶的处理方法是通过对连接由作为非氢脆性材料的第1材料组成的第1靶部(3)与由作为氢脆性材料的第2材料组成的第2靶部(4)的溅射靶(1)进行氢脆化处理，从而从溅射靶(1)中分离第2靶部(4)，并回收第2材料和回收第1材料。利用第1材料和第2材料的氢脆性差异，分离、回收第1材料和第2材料。第1材料和第2材料能够得到有效回收。
溅射处理方法

[发明专利]溅射靶、以及接合型溅射靶及其制作方法-CN200710100811.9有效
发明人： 新田纯一;伊藤隆治;松本博;伊藤学 -专利权人：爱发科材料股份有限公司
申请日： 2007-04-18 - 公布日： 2007-10-31 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明提供溅射靶，其和与Au、Cu等的金属或者含有它们至少一种的合金构成的膜的密合性好、而且具有耐腐蚀性，可形成异常放电少的膜，同时可在大型基板上成膜，其特征在于，在为了在基板上形成Mo－Ti合金膜的溅射靶中，含有比50原子％高、60原子％以下的Ti，其余为Mo和不可避免的杂质，相对密度为98％以上。以及扩散接合了该溅射靶的2个以上的至少一边为1000mm以的接合型溅射靶以及接合型溅射靶的制作方法。
溅射以及接合及其制作方法

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