专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]半导体器件-CN202110690187.2在审
  • 李洙龙;文瑞琳;姜奉秀;朴庆宰;柳铁 - 三星电子株式会社
  • 2021-06-22 - 2021-12-24 - H01L27/11565
  • 一种半导体器件包括:外围电路区域,包括第一基板和在第一基板上的电路器件;存储单元区域,包括在第一基板上的第二基板、在第二基板上的水平导电层、在垂直于第二基板的上表面的第一方向上堆叠在水平导电层上并彼此间隔开的栅电极、以及在第一方向上在栅电极中延伸的沟道结构,每个沟道结构包括与水平导电层物理接触的沟道层;以及贯通布线区域,包括在第一方向上延伸并将存储单元区域电连接到外围电路区域的贯通接触插塞、邻接贯通接触插塞的绝缘区域、以及在第一方向上部分地延伸到绝缘区域中的虚设沟道结构。
  • 半导体器件
  • [发明专利]三维半导体存储器装置-CN202110671521.X在审
  • 申东玹;姜敏圭;文瑞琳;闵胜基;朴盛珉;李钟旻 - 三星电子株式会社
  • 2021-06-17 - 2021-12-17 - H01L27/11524
  • 一种三维半导体存储器装置包括外围电路结构、在外围电路结构上方的单元阵列结构、以及将单元阵列结构连接到外围电路结构的外围接触过孔结构,外围接触过孔结构包括在外围电路结构中的第一贯通区域中的第一外围接触过孔结构和在外围电路结构中的第二贯通区域中的第二外围接触过孔结构,第二贯通区域在外围电路结构上方与第一贯通区域间隔开,并且第二外围接触过孔结构的第二临界尺寸与第一外围接触过孔结构的第一临界尺寸之间的差根据包括在第二贯通区域和第一贯通区域中的材料层被不同地配置。
  • 三维半导体存储器装置

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