“恩凯特·库马”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网_中国专利网

首页在售求购查询申请展会资讯专利榜企服商城升级VIP

立即登录免费注册

在售专利
求购专利
查询专利
新闻资讯
技术展会
招商加盟
专利榜

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

专利名称

专利名称
专利号码
专利分类
申请人
公布日期

农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

专利下载VIP

公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

钻瓜专利网为您找到相关结果7个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201811302600.8有效
发明人： 恩凯特·库马;李家豪 -专利权人：世界先进积体电路股份有限公司
申请日： 2018-11-02 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种半导体装置及其制造方法，该半导体装置包含，设置于半导体衬底之上的外延层、设置于外延层中且邻近于外延层上表面的漂移区、设置于外延层之上的栅极结构、设置于漂移区之外的外延层中的源极区、以及设置于漂移区中的漏极区。外延层和漂移区具有第一导电类型。此半导体装置还包含多个掺杂区对，这些掺杂区对设置于漂移区中且在从源极区朝向漏极区的方向上排列。每一对掺杂区对包含具有第二导电类型的第一掺杂区、以及设置于第一掺杂区之上的第二掺杂区。第二掺杂区具有第二导电类型，第二导电类型与第一导电类型相反。本发明可以提供一种具有低导通电阻却不具有击穿电压相关缺陷的改良的半导体装置及其制造方法。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201910112824.0有效
发明人： 恩凯特·库马;李家豪 -专利权人：世界先进积体电路股份有限公司
申请日： 2019-02-13 - 公布日： 2023-02-28 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体装置及其制造方法，该装置包含衬底、外延层、漂移区、射极区、以及集极区。外延层设置于衬底之上且具有第一导电类型。漂移区设置于外延层中且具有第二导电类型，第二导电类型与第一导电类型相反。射极区设置于漂移区之外的外延层中。集极区设置于漂移区中。此半导体装置还包含掺杂区，此掺杂区设置于相邻漂移区的底面且具有第一导电类型。本发明实施例提供的半导体装置及其制造方法，可以增强半导体装置的关闭状态击穿电压和可靠性。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]分离式栅极闪存元件的形成方法-CN201810066724.4有效
发明人：马洛宜·库马;恩凯特·库马;李家豪;廖志成 -专利权人：世界先进积体电路股份有限公司
申请日： 2018-01-24 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： H01L27/11521 文献下载
摘要：本发明提出一种分离式栅极闪存元件及其形成方法，上述分离式栅极闪存元件包括具有源极区与漏极区的半导体基板。上述源极区与漏极区被通道区分隔。上述分离式栅极闪存元件亦包括上述半导体基板中的凹槽、衬于上述凹槽的浮栅介电层。上述分离式栅极闪存元件亦包括坐落于上述浮栅介电层上的凹槽中的浮栅，且上述浮栅具有凸状底表面。上述分离式栅极闪存元件亦包括位于上述浮栅上的栅极间介电层以及位于上述栅极间介电层上的控制栅极。
分离栅极闪存元件形成方法

[发明专利]闪存及其制造方法-CN201810047653.3有效
发明人： 恩凯特·库马;马洛宜·库马;李家豪 -专利权人：世界先进积体电路股份有限公司
申请日： 2018-01-18 - 公布日： 2021-09-17 - 主分类号： H01L27/11521 文献下载
摘要：本发明提出了一种闪存及其制造方法，其中闪存的制造方法包含在半导体基底上形成第一导电层，在第一导电层上形成图案化遮罩层，其中图案化遮罩层的开口暴露出第一导电层，在图案化遮罩层上形成第二导电层，其中第二导电层延伸进入开口，对第二导电层实施第一刻蚀工艺，以在开口的侧壁上形成间隙物，实施氧化工艺以在开口内形成氧化物结构，以氧化物结构作为遮罩，实施第二刻蚀工艺以形成浮栅，以及在半导体基底内形成源极区和漏极区。
闪存及其制造方法

[发明专利]快闪存储器及其形成方法-CN201910104330.8在审
发明人： 恩凯特·库马;李家豪 -专利权人：世界先进积体电路股份有限公司
申请日： 2019-02-01 - 公布日： 2020-08-11 - 主分类号： H01L29/788 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种快闪存储器及其形成方法。此快闪存储器包括半导体基板、位于半导体基板上的浮栅极结构、覆盖浮栅极结构的侧壁及顶表面的栅极间介电层、以及位于栅极间介电层上的控制栅极。上述浮栅极结构包括位于半导体基板上的浮栅极介电层、位于浮栅极介电层上的一对介电间隔物，其中此对介电间隔物具有朝向彼此的倾斜侧壁、以及位于浮栅极介电层上，且位于此对介电间隔物之间的浮栅极。上述浮栅极具有一对尖端，此对尖端分别位于介电间隔物的倾斜侧壁上。本发明提供的快闪存储器及其形成方法，能够缩短快闪存储器抹除时间，改善快闪存储器的性能。
闪存及其形成方法

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN201811473165.5在审
发明人： 恩凯特·库马;李家豪;张睿钧 -专利权人：世界先进积体电路股份有限公司
申请日： 2018-12-04 - 公布日： 2020-06-12 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种半导体结构及其形成方法，包括：绝缘层位于基板之上；半导体层位于绝缘层之上；以及外延层位于该半导体层之上。半导体层包括：第一埋藏层，具有第一导电类型；以及第二埋藏层位于第一埋藏层之上，具有与第一导电类型相反的第二导电类型，第二埋藏层具有至少二部分彼此分隔。本发明实施例可以消除背侧偏压效应，降低整体掺质浓度。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]分离式栅极快闪存储器元件及其形成方法-CN201810066762.X在审
发明人：马洛宜·库马;恩凯特·库马;李家豪 -专利权人：世界先进积体电路股份有限公司
申请日： 2018-01-24 - 公布日： 2019-07-30 - 主分类号： H01L27/11524 文献下载
摘要：本发明公开了一种分离式栅极快闪存储器元件及其形成方法。上述分离式栅极快闪存储器元件包括半导体基板、位于上述半导体基板上的浮置栅极介电层以及浮置栅极。上述浮置栅极包括位于上述浮置栅极介电层上的导电层、位于上述导电层的顶表面上的成对的导电间隔物。上述分离式栅极快闪存储器元件亦包括覆盖上述浮置栅极的栅极间介电层。上述栅极间介电层覆盖上述导电层与此些导电间隔物的侧壁。上述分离式栅极快闪存储器元件亦包括位于上述栅极间介电层上的控制栅极。
快闪存储器元件分离式栅极浮置栅极栅极间介电层导电层半导体基板导电间隔物介电层控制栅极成对的顶表面侧壁覆盖

1
共 7 条

友情链接：交换友情链接需要网站权重大于4，网站收录10W以上，如符合条件，请联系QQ：76009968。

关于我们寻求报道投稿须知广告合作版权声明网站地图友情链接企业标识联系我们

在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

版权所有钻瓜科技（天津）有限公司津ICP备15000985号津公网安备 12019202000206号http://www.vipzhuanli.com/公布日期

咨询在线客服

咨询在线客服

tel code back_top