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[发明专利]波导结构和制造方法-CN202180088612.9在审
发明人：阿隆索·热苏斯·米兰·梅希亚 -专利权人： 思敏光子控股有限责任公司
申请日： 2021-12-20 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H01S5/026 文献下载
摘要：一种波导结构(100)，其包括：衬底(102)；衬底(102)上的波导层(104)；与波导层(104)的第一侧接触的包层(106)，波导层(104)在包层(106)与衬底(102)之间；以及包括用于调节波导层(104)的波导功能的第一材料的第一波导调节剂层(110)，第一波导调节剂层(110)与包层(106)接触，并且沿第一轴线的宽度(W1)小于包层(106)的平行于第一轴线(114)的宽度(W2)，第一轴线垂直于与波导层(104)内的光传播方向相对应的第二轴线(202)。提供了制造波导结构(100)的方法。
波导结构制造方法

[发明专利]用于光子集成电路的半导体结构和制造方法-CN202180088626.0在审
发明人：阿隆索·热苏斯·米兰·梅希亚;彼特鲁斯·约翰内斯·阿德里亚努斯·蒂斯;安德烈亚·沃尔皮尼 -专利权人： 思敏光子控股有限责任公司
申请日： 2021-12-20 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： G02B6/136 文献下载
摘要：一种用于光子集成电路的半导体结构(100)，其包括：衬底(102)；在所述衬底(102)上的波导(104)；无源区，所述无源区包括与波导层(105)的第一部分(112)接触的第一包覆层(108)；以及有源区(114)，所述有源区包括与所述第一包覆层不同的第二包覆层(116)，所述第二包覆层(116)与所述波导层(105)的第二部分(120)和所述第一包覆层(108)接触。存在一种包括所述半导体结构的光子集成电路。存在一种制造用于光子集成电路的半导体结构的方法。
用于光子集成电路半导体结构制造方法

[发明专利]用于光子集成电路的结构-CN202180011378.X在审
发明人：瑞·曼纽尔·莱莫斯·阿尔瓦雷斯·多斯·桑托斯;史蒂文·埃弗拉德·菲利普斯·克莱因;彼特鲁斯·约翰内斯·阿德里亚努斯·蒂斯 -专利权人： 思敏光子控股有限责任公司
申请日： 2021-01-29 - 公布日： 2022-09-13 - 主分类号： G02B6/12 文献下载
摘要：一种用于光子集成电路的结构，其包括：衬底；所述衬底的第一表面区域上的n型半导体材料的第一部分，所述衬底的第二表面区域上的n型半导体材料的第二部分；波导；以及所述第一部分与所述第二部分之间的元件。所述波导在所述元件上并与其接触。所述元件被配置为在光经由波导传播期间减少从第一部分到第二部分的电流流动。
用于光子集成电路结构

[发明专利]光子集成电路和方法-CN202180012048.2在审
发明人：史蒂文·埃弗拉德·菲利普斯·克莱因;安东尼奥·博纳尔迪 -专利权人： 思敏光子控股有限责任公司
申请日： 2021-01-29 - 公布日： 2022-09-06 - 主分类号： G06F7/58 文献下载
摘要：一种用于生成随机数的光子集成电路PIC。所述PIC包括：光源，所述光源在衬底上；光检测器，所述光检测器在所述衬底上并被配置为响应于从所述光源接收到光而输出用于生成所述随机数的电信号；以及光导系统，所述光导系统在所述衬底上并被配置为将来自所述光源的光引导到所述光检测器。
光子集成电路方法

[发明专利]用于光子集成电路的波导结构-CN202080081845.1在审
发明人：埃里克·德·哈恩;瑞·曼纽尔·莱莫斯·阿尔瓦雷斯·多斯·桑托斯 -专利权人： 思敏光子控股有限责任公司
申请日： 2020-11-26 - 公布日： 2022-07-15 - 主分类号： G02B6/12 文献下载
摘要：一种用于光子集成电路的波导结构(100)，所述波导结构包括：衬底；作用区域(102)，其包括二极管结，所述作用区域包括：光发射部分(102a)，其用以在第一方向及垂直于所述第一方向的第二方向上发射光；及光吸收部分(102b)，其用以吸收在所述第二方向上从所述光发射部分(102a)发射的光；第一触点，其对应于所述光发射部分(102a)；以及第二触点，其对应于所述光吸收部分(102b)。
用于光子集成电路波导结构

[发明专利]制造半导体结构-CN202080074205.8在审
发明人：玛丽亚·约翰娜·海伦娜·约赫姆 -专利权人： 思敏光子控股有限责任公司
申请日： 2020-10-16 - 公布日： 2022-06-10 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：本公开涉及制造一半导体结构的方法。该方法包含：沉积一第一层，使其与一基材的一第一表面区域接触，该基材具有一第一半导体材料且该第一层具有一第二半导体材料；沉积一第二层，使其与该基材的一第二表面区域接触，该第二表面区域基本上与该第一表面区域共面且在该第一表面区域之外，且该第二层具有该第一半导体材料或一第三半导体材料；沉积一第三层，使其与该第一层及该第二层接触，该第三层具有该第一半导体材料或该第三半导体材料或一第四半导体材料；移除该第三层的一部分以暴露该第一层的一部分；移除该第一层的至少一部分以在该基材、该第二层与该第三层之间产生一空腔。
制造半导体结构

[发明专利]制造具有多个量子井的半导体结构-CN202080073561.8在审
发明人：史蒂文·埃弗拉德·菲利普斯·克莱因;彼特鲁斯·约翰内斯·阿德里亚努斯·蒂斯 -专利权人： 思敏光子控股有限责任公司
申请日： 2020-10-16 - 公布日： 2022-06-07 - 主分类号： H01S5/343 文献下载
摘要：实例是关于一种制造具有多个量子井的一半导体结构的方法。该方法包括：提供一基板，该基板包括具有一第一晶格常数的一种二元半导体化合物；沉积至少在该基板上的一第一层及与该第一层接触的一第二层，以在该基板上形成实质上平面半导体层的一第一堆栈，为一第一半导体合金的该第一层包括InP，为一第二半导体合金的该第二层包括InP；与该第一堆栈接触地沉积具有该第一晶格常数的一种二元半导体化合物的一第三层；沉积至少在该第三层上的一第四层及与该第四层接触的一第五层，以在该第三层上形成实质上平面半导体层的一第二堆栈，该第四层包括包含InP的一第三半导体合金，该第五层包括包含InP的一第四半导体合金。
制造具有量子半导体结构

[发明专利]单片集成的InP电光可调谐环形激光器、激光器设备及对应方法-CN202080061983.3在审
发明人：斯特凡诺斯·安德烈乌;埃尔温·安东纽斯·约瑟夫斯·玛丽亚·本特 -专利权人： 思敏光子控股有限责任公司
申请日： 2020-09-02 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： H01S3/067 文献下载
摘要：一种具有环形腔的可调谐环形激光器，其中所述环形腔包括：至少一个环形谐振器，所述至少一个环形谐振器具有用于引导波的波导；相位调制器，所述相位调制器具有用于引导波的波导；一个或多个功率耦合器，所述一个或多个功率耦合器用于将所述波耦合进出所述至少一个环形谐振器，其中所述至少一个环形谐振器和所述相位调制器的所述波导的横截面被配置为PIN二极管并且充当电折射调制器，使得所述可调谐环形激光器可通过施加反向偏置电压来调谐。
单片集成 inp 电光调谐环形激光器设备对应方法

[发明专利]用于耦合腔激光器的相位相关的多模干涉装置-CN201580033338.X有效
发明人： D·德阿格斯蒂诺;D·伦斯特拉 -专利权人： 思敏光子控股有限责任公司
申请日： 2015-06-18 - 公布日： 2022-01-18 - 主分类号： G02B6/28 文献下载
摘要：一种3×3多模干涉耦合装置，具有：长度L和宽度W；位于一对外部输入端口之间的中心输入端口，其中每个外部输入端口与中心输入端口相距距离W/3；以及位于一对外部输出端口之间的中心输出端口，其中，每个外部输出端口与中心输出端口的距离为W/3，其中该装置在其中支持Cbar，Ccen和Cx耦合系数，当所述外部输入端口由具有180°相位差的输入信号同等激励时，当传播长度L为Lπ/2的整数倍时，来自每个外部输入端口的Ccen相消干涉，其中，当传播长度L为Lπ/2的整数倍时，该装置从每个外部输出端口输出同等强度的激光模式。
用于耦合激光器相位相关干涉装置

[发明专利]用于电光集成磷化铟基相位调制器的改进构建块-CN202080012430.9在审
发明人：拉斯特科·帕伊科维奇;埃尔温·安东纽斯·约瑟夫斯·玛丽亚·本特;斯特凡诺斯·安德烈乌;特奥多鲁斯·托马斯·马里纳斯·范·沙伊克 -专利权人： 思敏光子控股有限责任公司
申请日： 2020-02-07 - 公布日： 2021-09-28 - 主分类号： G02F1/017 文献下载
摘要：一种光子集成电路PIC，其包括衬底上的多个半导体层，所述多个半导体层形成PIN或PN掺杂结构，所述PIC包括：波导，其被布置用于传导光波；光学元件，其连接到波导，其中所述光学元件在操作中处于反向偏置模式，并且其中光学元件包括被布置用于连接到电压源的接触层；其中波导包括靠近光学元件的导电触点，并且其中PIC还包括布置在光学元件和导电触点之间的至少一个隔离部分。本文还提出了此类PIC的对应操作方法。
用于电光集成磷化相位调制器改进构建

[发明专利]用于光子IC表征和封装的多端口光学探头-CN202110048180.0在审
发明人： X·J·M·雷腾;R·M·莱莫斯阿尔法雷斯多斯桑托斯 -专利权人： 思敏光子控股有限责任公司
申请日： 2016-02-18 - 公布日： 2021-07-23 - 主分类号： G02B6/42 文献下载
摘要：提供了与光子集成电路(PIC)芯片的改善无源光学耦合。采用了具有一个或多个柔性光波导构件(112，114，116)的内插件单元(108)。所述柔性光波导构件经由其尖端耦合至所述PIC芯片(118)。所述PIC芯片包括对准特征，所述对准特征用于促进所述柔性光波导构件与所述PIC的片上光波导的横向、垂直和纵向无源对准。
用于光子 ic 表征封装多端光学探头

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