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[发明专利]光滤波器以及波长可变激光元件-CN202211121987.3在审
发明人： 平谷拓生;藤原直树;齐藤晋圣;藤泽刚;佐藤孝宪 -专利权人：住友电气工业株式会社;国立大学法人北海道大学
申请日： 2022-09-15 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： G02B6/293 文献下载
摘要：本发明提供能够监视特性的光滤波器以及波长可变激光元件。光滤波器具备：第一环形镜；第二环形镜；第一波导，其与第一环形镜以及第二环形镜光学耦合；第二波导，其与第一环形镜以及所述第二环形镜光学耦合；第一接入波导，其与第一波导光学耦合；第二接入波导，其与第二波导光学耦合；以及输出部，第一环形镜具有第一环形波导和第一波分复用器，第二环形镜具有第二环形波导和第二波分复用器，输出部具有第三环形波导、第三波分复用器、第三波导和第四波导，第三环形波导与第二环形波导以及所述第三波分复用器光学耦合，第三波导以及第四波导与第三波分复用器光学耦合。
滤波器以及波长可变激光元件

[发明专利]光斑尺寸变换器和制造光斑尺寸变换器的方法-CN201910554150.X有效
发明人：河野直哉;平谷拓生;渡边昌崇 -专利权人：住友电气工业株式会社
申请日： 2019-06-25 - 公布日： 2023-02-21 - 主分类号： G02B6/122 文献下载
摘要：根据本发明的光斑尺寸变换器包括：支撑体，其包括主表面，主表面包括第一至第五区域；台面结构，其包括位于第一区域上的第一部分并包括位于第二至第四区域上的第二部分；以及埋入结构，其包括第一区和第二区，台面结构的第二部分的第一和第二侧表面分别埋入第一区和第二区中。台面结构的第二部分包括宽度沿着从第三区域朝向第五区域的方向逐渐减小的部分。埋入结构的第一区沿着第一侧表面延伸，并终止于第三和第四区域中的一个。埋入结构的第二区沿着第二部分的第二侧表面延伸，并布置在第五区域上。本发明还涉及制造光斑尺寸变换器的方法。
光斑尺寸变换器制造方法

[发明专利]半导体光元件及其制造方法-CN202210069607.X在审
发明人： 平谷拓生;藤原直树;菊地健彦 -专利权人：住友电气工业株式会社
申请日： 2022-01-21 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： G02B6/10 文献下载
摘要：本发明提供能够兼顾散热性和光封闭的半导体光元件及其制造方法。该半导体光元件具备：含有硅的衬底；以及半导体元件，其与所述衬底接合，所述半导体元件由化合物半导体形成且具有光学增益，所述衬底具有波导和第一区域，该第一区域在所述波导的延伸方向上与所述波导连接，所述第一区域具有多个凹部和多个凸部，所述凹部相比于所述衬底的与所述半导体元件接合的面而在所述衬底的厚度方向上凹陷，所述凸部相比于所述凹部的底面而在所述衬底的厚度方向上突出，所述多个凹部与所述多个凸部在与所述波导的延伸方向交叉的方向上交替排列，所述半导体元件与所述第一区域接合。
半导体元件及其制造方法

[发明专利]半导体光元件及其制造方法-CN202111292410.4在审
发明人： 平谷拓生 -专利权人：住友电气工业株式会社
申请日： 2021-11-03 - 公布日： 2022-06-28 - 主分类号： H01S5/12 文献下载
摘要：本公开提供一种半导体光元件及其制造方法。所述半导体光元件具备：衬底，其包含硅且在当俯视时各自不同的区域具有平台、导波路以及衍射光栅；以及半导体元件，其接合于所述衍射光栅以及所述平台之上，所述半导体元件与所述衬底的上表面接触，由III‑V族化合物半导体形成，并具有光学增益，所述导波路在所述导波路的延伸方向上与所述衍射光栅光耦合，所述平台在与所述导波路的延伸方向交叉的方向上位于所述导波路以及所述衍射光栅的两侧，所述衬底在所述平台与所述导波路之间具有槽，所述衍射光栅在与所述导波路的延伸方向交叉的方向上与所述平台连续。
半导体元件及其制造方法

[发明专利]半导体光元件及其制造方法-CN202111225246.5在审
发明人： 平谷拓生;八木英树;藤原直树 -专利权人：住友电气工业株式会社
申请日： 2021-10-21 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： G02B6/10 文献下载
摘要：本发明提供具有稳定的特性的衍射光栅且机械性强度较高的半导体光元件及其制造方法。所述半导体光元件具备：衬底，其具有硅的导波路；以及半导体层，其以重叠于所述导波路之上的方式接合于所述衬底，且具有由折射率互不相同的第一半导体层以及第二半导体层形成的衍射光栅，所述导波路包含：弯曲部；以及多个直线部，它们经由所述弯曲部而彼此连接并呈直线状延伸，所述第一半导体层以及所述第二半导体层由化合物半导体形成，多个所述第二半导体层埋入到所述第一半导体层中，并沿所述直线部的延伸方向排列，所述衍射光栅位于所述多个直线部之上。
半导体元件及其制造方法

[发明专利]半导体光元件及其制造方法-CN202110178391.6在审
发明人：藤原直树;八木英树;平谷拓生;菊地健彦;新田俊之 -专利权人：住友电气工业株式会社
申请日： 2021-02-09 - 公布日： 2021-08-13 - 主分类号： G02B6/122 文献下载
摘要：本发明提供能够提高增益区域和波导路耦合的耦合效率的半导体光元件及其制造方法。半导体光元件的制造方法具备以下工序：在具有波导路的SOI基板上接合半导体芯片，上述半导体芯片包括依次层叠的第一包覆层、芯层及第二包覆层，且具有光学增益；在上述第二包覆层的一部分上形成第一绝缘膜；将上述第二包覆层中的从上述第一绝缘膜露出的部分蚀刻至厚度方向的中途；形成第二绝缘膜，上述第二绝缘膜从上述第二包覆层中的被上述第一绝缘膜覆盖的部分覆盖至上述第二包覆层的残存部分的一部分；及通过对上述第二包覆层中的从上述第二绝缘膜露出的部分及上述芯层进行蚀刻，形成位于上述波导路上且沿着上述波导路的延伸方向前端尖细的第一锥形部。
半导体元件及其制造方法

[发明专利]半导体光学元件-CN202011169596.X在审
发明人：藤原直树;八木英树;小路元;平谷拓生;菊地健彦;新田俊之 -专利权人：住友电气工业株式会社
申请日： 2020-10-28 - 公布日： 2021-05-18 - 主分类号： H01S5/026 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体光学元件，其能够得到良好的特性并且能够小型化。所述半导体光学元件具备：SOI基板，具有硅的波导；及增益区域，与所述SOI基板接合，由III‑V族化合物半导体形成，并具有光学增益，所述波导包括弯曲部和多个直线部，所述多个直线部经由所述弯曲部相互连接并以直线状延伸，所述增益区域位于所述多个直线部的每一个上。
半导体光学元件

[发明专利]半导体光元件及其制造方法-CN202011231539.X在审
发明人： 平谷拓生 -专利权人：住友电气工业株式会社
申请日： 2020-11-06 - 公布日： 2021-05-11 - 主分类号： H01S5/14 文献下载
摘要：提供一种能够抑制衍射光栅的反射特性的偏差的半导体光元件及其制造方法。半导体光元件具备：包含硅且具有波导的基板；接合于所述基板，包含由III‑V族化合物半导体形成的芯层的第一半导体元件；及包含接合于所述基板的衍射光栅的第二半导体元件，所述衍射光栅具有第一半导体层和将所述第一半导体层埋入的第二半导体层，所述第一半导体层及所述第二半导体层由III‑V族化合物半导体形成，所述衍射光栅对在所述波导中传播的光进行反射。
半导体元件及其制造方法

[发明专利]半导体集成光学器件以及制造半导体集成光学器件的方法-CN202010264863.5在审
发明人： 平谷拓生 -专利权人：住友电气工业株式会社
申请日： 2020-04-07 - 公布日： 2020-10-23 - 主分类号： H01S5/10 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体集成光学器件以及制造半导体集成光学器件的方法，所述半导体集成光学器件包括：波导台面，所述波导台面具有包括第一芯层的第一多层、包括第二芯层的第二多层以及第一芯层和第二芯层之间的对接界面；支撑件，所述支撑件具有第一区域至第三区域；以及掩埋式半导体区域，所述掩埋式半导体区域被设置在支撑件上。第一多层在第一区域上具有第一台面宽度。第二多层在第二区域上具有第二台面宽度。在第三区域上，第二多层具有波导部，所述波导部具有小于第一台面宽度和第二台面宽度的第三台面宽度。第二芯层在第二区域上具有波导芯厚度。在波导部中，第二芯层具有芯部，所述芯部的厚度在远离对接界面的位置处不同于波导芯厚度。
半导体集成光学器件以及制造方法

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