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[发明专利]半导体光元件及其制造方法-CN202111225246.5在审
发明人：平谷拓生;八木英树;藤原直树 -专利权人：住友电气工业株式会社
申请日： 2021-10-21 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： G02B6/10 文献下载
摘要：本发明提供具有稳定的特性的衍射光栅且机械性强度较高的半导体光元件及其制造方法。所述半导体光元件具备：衬底，其具有硅的导波路；以及半导体层，其以重叠于所述导波路之上的方式接合于所述衬底，且具有由折射率互不相同的第一半导体层以及第二半导体层形成的衍射光栅，所述导波路包含：弯曲部；以及多个直线部，它们经由所述弯曲部而彼此连接并呈直线状延伸，所述第一半导体层以及所述第二半导体层由化合物半导体形成，多个所述第二半导体层埋入到所述第一半导体层中，并沿所述直线部的延伸方向排列，所述衍射光栅位于所述多个直线部之上。
半导体元件及其制造方法

[发明专利]半导体光元件及其制造方法-CN202110178391.6在审
发明人：藤原直树;八木英树;平谷拓生;菊地健彦;新田俊之 -专利权人：住友电气工业株式会社
申请日： 2021-02-09 - 公布日： 2021-08-13 - 主分类号： G02B6/122 文献下载
摘要：本发明提供能够提高增益区域和波导路耦合的耦合效率的半导体光元件及其制造方法。半导体光元件的制造方法具备以下工序：在具有波导路的SOI基板上接合半导体芯片，上述半导体芯片包括依次层叠的第一包覆层、芯层及第二包覆层，且具有光学增益；在上述第二包覆层的一部分上形成第一绝缘膜；将上述第二包覆层中的从上述第一绝缘膜露出的部分蚀刻至厚度方向的中途；形成第二绝缘膜，上述第二绝缘膜从上述第二包覆层中的被上述第一绝缘膜覆盖的部分覆盖至上述第二包覆层的残存部分的一部分；及通过对上述第二包覆层中的从上述第二绝缘膜露出的部分及上述芯层进行蚀刻，形成位于上述波导路上且沿着上述波导路的延伸方向前端尖细的第一锥形部。
半导体元件及其制造方法

[发明专利]半导体光学元件-CN202011169596.X在审
发明人：藤原直树;八木英树;小路元;平谷拓生;菊地健彦;新田俊之 -专利权人：住友电气工业株式会社
申请日： 2020-10-28 - 公布日： 2021-05-18 - 主分类号： H01S5/026 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体光学元件，其能够得到良好的特性并且能够小型化。所述半导体光学元件具备：SOI基板，具有硅的波导；及增益区域，与所述SOI基板接合，由III‑V族化合物半导体形成，并具有光学增益，所述波导包括弯曲部和多个直线部，所述多个直线部经由所述弯曲部相互连接并以直线状延伸，所述增益区域位于所述多个直线部的每一个上。
半导体光学元件