专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]器件及电子装置-CN201710325337.3有效
  • 友田胜宽;平尾直树;畑田出穂 - 索尼公司
  • 2013-06-26 - 2020-05-19 - H01L25/075
  • 本发明提供一种能够减少残留在元件与基板之间的区域中的镀液的器件以及包括所述器件的电子装置,所述器件包括:基板;多个发光元件,所述多个发光元件安装在所述基板上;多条第一布线,所述多条第一布线被构造为经由多个第一导电接续部与所述多个发光元件连接;和多条第二布线,所述多条第二布线被构造为经由多个第二导电接续部与所述多个发光元件连接;其中,所述多个发光元件被构造为包括经由所述第一导电接续部和所述第二导电接续部与所述第一布线和所述第二布线连接的多个电极。
  • 器件电子装置
  • [发明专利]器件及电子装置-CN201310258509.1有效
  • 友田胜宽;平尾直树;畑田出穂 - 索尼公司
  • 2013-06-26 - 2017-05-17 - H01L23/488
  • 本发明提供一种能够减少残留在元件与基板之间的区域中的镀液的器件以及包括所述器件的电子装置,所述器件包括基板;以及所安装的功能元件,功能元件包括电极。基板包括支撑基板,并在支撑基板上包括第一籽晶金属、第二籽晶金属及树脂组件,第一籽晶金属设置于与电极中的第一电极的部分或全部相对的区块中,并通过镀覆而连接至第一电极,第二籽晶金属设置于与电极中的第二电极的部分或全部相对的区块中,并通过镀覆而连接至第二电极,以及树脂组件设置于功能元件与支撑基板之间的层中,并用于将功能元件固定至支撑基板,且被设置成避开功能元件的位于第一籽晶金属与第二籽晶金属的相对侧部之间的端部的近旁。
  • 器件电子装置
  • [发明专利]发光单元和显示装置-CN201210045868.4有效
  • 友田胜宽;平尾直树;琵琶刚志 - 索尼公司
  • 2012-02-23 - 2012-09-05 - H01L33/46
  • 本发明公开一种发光单元和显示装置。发光单元包括多种具有不同发光波长的发光元件,其中,在多种发光元件中,至少一种发光元件包括:半导体层,其通过层叠第一导电层、活性层和第二导电层而构造,并具有暴露出第一导电层、活性层和第二导电层的侧表面;第一电极,其电连接到第一导电层;第二电极,其电连接到第二导电层;第一绝缘层,其接触半导体层的表面中的至少活性层的露出表面;以及金属层,其接触第一绝缘层的表面中至少与活性层的露出表面相对的表面,并与第一电极和第二电极电分离。
  • 发光单元显示装置
  • [发明专利]制造半导体器件的方法-CN201110073885.4有效
  • 平尾直树;三浦祐哉 - 索尼公司
  • 2011-03-23 - 2011-10-05 - H01L33/00
  • 本发明提供了制造半导体器件的方法,该器件包括具有高精度厚度的氮化物半导体层。该方法包括下列步骤:在衬底上形成氮化镓(GaN)层,该层的主表面是+c表面;通过对GaN层的+c表面中的局部区域选择性地向下刻蚀,来形成沟槽;形成金属层以掩埋沟槽;将衬底与GaN层分离,此后,对GaN层的-c表面进行抛光直到暴露出金属层,并除去GaN层的厚度方向上的一部分。
  • 制造半导体器件方法
  • [发明专利]半导体发光装置及其制造方法-CN201010244087.9有效
  • 平尾直树;渡边秋彦 - 索尼公司
  • 2010-08-02 - 2011-03-30 - H01L33/36
  • 本发明公开了一种半导体发光装置及其制造方法。半导体发光装置包括发光部,以及在发光部上形成的电极。该电极包括:光反射层,被配置为反射从发光部所发出的光并且包括第一金属;第一籽晶层,直接形成在光反射层上并且包括第二金属;第二籽晶层,至少涂覆光反射层和第一籽晶层的侧表面,第二籽晶层包括第三金属;以及电镀层,至少涂覆第二籽晶层的顶部表面和侧表面,电镀层包括第四金属。
  • 半导体发光装置及其制造方法
  • [发明专利]显示器制造方法和显示器-CN201010138464.0有效
  • 大畑丰治;友田胜宽;平尾直树;土居正人 - 索尼公司
  • 2010-04-02 - 2010-10-13 - H01L21/50
  • 本发明公开了显示器制造方法和显示器,该显示器制造方法包括:第一步骤,把形成且排列在第一基板上的多个发光元件中每隔特定数量的发光元件而排列着的发光元件集体转印至已设定在第二基板上的转印区域中;以及第二步骤,在相对于所述第二基板上的转印区域使所述第一基板移动的状态和在平面内使所述第一基板旋转的状态中的至少一个状态下,将剩余在所述第一基板上的发光元件转印至已安装到所述第二基板上的多个发光元件之间。即使将发光元件形成且排列在第一基板上且使得发光特性以特定分布变化,但这些发光元件会在第二步骤中被转印至已安装在第二基板上的发光元件之间,从而除去第一步骤中集体转印至第二基板上的发光元件的发光特性分布。
  • 显示器制造方法
  • [发明专利]形成发光元件用的电极结构的方法和形成层压结构的方法-CN200810111258.3有效
  • 平尾直树 - 索尼株式会社
  • 2008-06-05 - 2008-12-10 - H01L33/00
  • 本发明披露了一种形成发光元件用的电极结构的方法和形成层压结构的方法。形成发光元件用的电极结构的方法包括以下步骤:形成具有开口的屏蔽材料层;通过减小粒子密度以使用于碰撞的平均自由程长的物理汽相沉积方法,在屏蔽材料层和化合物半导体层中通过开口的底部露出的部分上沉积第一材料层;通过除物理汽相沉积方法之外的汽相沉积方法,在屏蔽材料层上的第一材料层上、在开口的底部沉积的第一材料层上、和在化合物半导体层中通过开口的底部露出的部分上沉积第二材料层;以及去除屏蔽材料层和在屏蔽材料层上沉积的第一和第二材料层。
  • 形成发光元件电极结构方法层压

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