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[发明专利]半导体装置-CN202210831311.7在审
发明人：系数裕子;末代知子;岩鍜治阳子;河村圭子;布施香织 -专利权人：株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
申请日： 2022-07-14 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：实施方式提供开关损耗小、击穿耐量大的半导体装置。半导体装置具备包含第一导电型的第一半导体层、第二导电型的第二及第三半导体层的半导体部、第一电极、第二电极、设于所述半导体部中的多个第三电极。所述半导体部设于所述第一电极与所述第二电极之间，所述第一半导体层在所述第一电极与所述第二电极之间延伸。所述第二半导体层设于所述第一半导体层与所述第二电极之间，所述第三半导体层设于所述第二半导体层与所述第二电极之间。在相邻的两个所述第三电极之间，所述第二电极具有在所述第二半导体层中延伸的接触部。所述第三半导体层相互分离，分别设于所述接触部与所述两个第三电极中的任意的一方之间，并与所述两个第三电极的所述一方面对。
半导体装置

[发明专利]半导体装置-CN202210049171.8在审
发明人： 布施香织;河村圭子;罇贵子;末代知子;岩鍜治阳子 -专利权人：株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
申请日： 2022-01-17 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H01L29/868 文献下载
摘要：实施方式的半导体装置具备：第一电极；第一导电型的第一半导体层，设于第一电极之上；第二导电型的第二半导体层，设于第一半导体层之上；第二电极，设于第二半导体层之上；第一沟槽，从第二半导体层到达第一半导体层；第一半导体区域，在第二半导体层内，与第一沟槽相接地设置，第二导电型杂质浓度比第二半导体层的第二导电型杂质浓度高；以及第一绝缘膜，在第二半导体层内，与第一半导体区域相接地设置。
半导体装置

[发明专利]半导体装置-CN202111611306.7在审
发明人：罇贵子;末代知子;岩鍜治阳子;系数裕子;布施香织;河村圭子;大麻浩平 -专利权人：株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
申请日： 2021-12-27 - 公布日： 2023-03-17 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：实施方式的半导体装置具备半导体部、第一电极、第二电极以及控制电极。所述半导体部设置于所述第一电极与所述第二电极之间，包含第一导电型的第一层以及第三层、以及第二导电型的第二层、第四层以及第五层。所述第一层在所述第一电极与所述第二电极之间延伸，所述第二层设置于所述第一半导体层与所述第二电极之间，所述第三半导体层设置于所述第二层与所述第二电极之间，所述第四层设置于所述第一层与所述第一电极之间。所述半导体部具有包含所述控制电极、所述第二层及所述第三层的有源区域和包围所述有源区域的终端区域。所述5层在所述终端区域中设置于所述第一半导体层中。
半导体装置

[发明专利]半导体装置-CN202110869639.3在审
发明人： 布施香织;河村圭子;罇贵子 -专利权人：株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
申请日： 2021-07-30 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：实施方式的半导体装置包含元件区域与终端区域。元件区域包含第一半导体区域与第二半导体区域。所述第一半导体区域设于第一电极之上，为第一导电型。所述第二半导体区域设于所述第一半导体区域之上且与第二电极电连接。所述终端区域包含第三半导体区域、第一扩散层与第二扩散层。所述第三半导体区域设于所述第一半导体区域的外侧，为第一导电型。所述第一扩散层设于所述第三半导体区域的表面，包围所述元件区域，且为第二导电型。所述第二扩散层设于所述第三半导体区域的所述表面，包围所述元件区域，且位于比所述第一扩散层靠外侧的位置，比所述第一扩散层深，且为第二导电型。
半导体装置

[发明专利]半导体装置-CN202110878861.X在审
发明人：系数裕子;末代知子;岩鍜治阳子;罇贵子;河村圭子;布施香织 -专利权人：株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
申请日： 2021-08-02 - 公布日： 2022-03-18 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：实施方式的半导体装置具备第一导电型的第一半导体层、第二导电型的第三半导体层、第一导电型的第二半导体层、多个电极以及第一绝缘膜。第二半导体层设置于第一半导体层上，包含比第一半导体层的第一导电型杂质低浓度的第一导电型杂质。第三半导体层设置于第二半导体层的上方，具有与第二半导体层相反侧的第一面。多个电极从第一面到第二半导体层中为止在多个沟槽的内部延伸。多个第一绝缘膜分别设置于多个电极与第二及第三半导体层之间。多个电极包括：第一电极组，在第一面上在第一方向上各隔开第一距离而排成一列；以及第二电极组，在第一方向上各隔开第一距离地排成一列，在第二方向上与第一电极组隔开第二距离。
半导体装置

[发明专利]半导体元件及半导体装置-CN202110835837.8在审
发明人：岩鍜治阳子;末代知子;系数裕子;河村圭子;布施香织;罇贵子 -专利权人：株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
申请日： 2021-07-23 - 公布日： 2022-03-11 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：实施方式提供能够减小开关损耗的半导体元件以及使用了该半导体元件的半导体装置。实施方式的半导体元件具备半导体部、设置在半导体部的表面上的第1电极、设置在半导体部的背面上的第2电极、在半导体部的背面上与第2电极分离设置的第3电极、以及设置在半导体部与第1电极之间的控制电极。半导体部包括第1导电型的第1层、第2导电型的第2层、第1导电型的第3层和第2导电型的第4层。第2层设置在第1层与第1电极之间，隔着第1绝缘膜与控制电极相对。第3层被选择性地设置在第2层与第1电极之间，与第1电极电连接。第4层设置在第2电极与第1层之间，与第2电极电连接。第1层在半导体部的背面与第3电极连接。
半导体元件装置

[发明专利]半导体装置-CN202010607336.X在审
发明人：末代知子;系数裕子;河村圭子;岩鍜治阳子;布施香织 -专利权人：株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
申请日： 2020-06-29 - 公布日： 2021-10-12 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：实施方式提供一种能够有效地降低恢复损耗的半导体装置，其具备半导体部、设于半导体部的背面上的第一电极、以及设于半导体部的表面上第二电极。半导体部包括第一导电型的第一半导体层、第二导电型的第二半导体层、以及第二导电型的第三半导体层。第一半导体层在第一电极与第二电极之间延伸，第二半导体层设于第一半导体层与第二电极之间。第三半导体层设于第二半导体层与第二电极之间，包含浓度比第二半导体层的第二导电型杂质的浓度高的第二导电型杂质。第二电极从半导体部的表面延伸到第二半导体层中，并包含与第二半导体层相接的埋入接触部、以及与第三半导体层相接的表面接触部。
半导体装置

[发明专利]半导体装置-CN202010613778.5在审
发明人：河村圭子;末代知子;岩鍜治阳子;布施香织 -专利权人：株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
申请日： 2020-06-30 - 公布日： 2021-09-28 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：实施方式提供可靠性高的半导体装置。在实施方式的半导体装置中，设定有单元部及包围所述单元部的终端部。所述半导体装置具备第一电极、第一导电型的第一半导体层、第二导电型的第二半导体层及绝缘层。所述第一半导体层形成于所述第一电极之上。所述第二半导体层设置于所述第一半导体层的上部，沿着上下方向的杂质浓度分布具有多个峰值。所述绝缘层设置于所述第二半导体层之上。
半导体装置

[发明专利]固体摄像装置-CN201110048238.8无效
发明人：小松公;辻均;布施香织;斋藤和行 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2011-02-28 - 公布日： 2011-09-21 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明提供一种具有半导体基板的固体摄像装置。半导体基板具有相互对置的第1和第2主面，具有从第1主面延伸到第2主面的贯通孔。摄像元件部形成在从所述半导体基板的第1主面外延的表面区域。第1绝缘膜为形成在所述第1主面上的层间绝缘膜。布线电极形成在所述层间绝缘膜中，与所述摄像元件部连接。第2绝缘膜覆盖在所述贯通孔的表面上和所述第2主面上，且所述布线电极的至少一部分不被覆盖，含有遮蔽红外线的多个粒子，遮蔽红外线，透过可见光。导电体膜与所述布线电极接触，且形成在所述第2绝缘膜上，引出到所述第2主面侧。
固体摄像装置

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