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[发明专利]非易失性存储器件-CN201810070942.5有效
发明人：李宗勋;赵恩锡;郑羽杓;南尚完;宋仲镐;李在训;洪玧昊 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-01-24 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： G11C7/10 文献下载
摘要：非易失性存储器件包括：存储单元阵列区域，其中存储单元竖直地堆叠在衬底上；以及页缓冲器，其中布置了第一页缓冲器和第二页缓冲器。存储单元阵列区域和第一页缓冲器之间的第一距离小于存储单元阵列区域和第二页缓冲器之间的第二距离。第一页缓冲器包括响应于第一控制信号驱动的第一晶体管。第二页缓冲器包括响应于与第一控制信号相对应的第二控制信号驱动的第二晶体管。相对于第一晶体管和第二晶体管的设计约束和工艺约束中的至少一个是不同的。
非易失性存储器

[发明专利]存储器装置和操作存储器装置的方法-CN202211172998.4在审
发明人：张晶植;朴寅洙;郑羽杓;崔正达;金在雄;金定焕 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2022-09-26 - 公布日： 2023-06-16 - 主分类号： H10B41/35 文献下载
摘要：本公开提供了存储器装置和操作存储器装置的方法。该存储器装置包括：第一主插塞，其在垂直方向上形成在基板上方并布置在第一方向上；第二主插塞；第三主插塞，其布置在第一主插塞和第二主插塞之间，所述第三主插塞与所述第一主插塞和所述第二主插塞相邻；以及位线，其在所述第一主插塞至所述第三主插塞上方，其中，所述第一主插塞至第三主插塞中的每一个包括彼此面对的第一子插塞和第二子插塞，其中，所述第一主插塞和所述第三主插塞中的每一个中所包括的所述第一子插塞和所述第二子插塞的部分联接到不同的选择线，并且其中，所述第二主插塞和所述第三主插塞中的每一个中所包括的所述第一子插塞和所述第二子插塞的部分联接到不同的选择线。
存储器装置操作方法