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- [发明专利]粘结薄膜的使用方法-CN201110008103.9无效
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永井朗;安田雅昭;畠山惠一;榎本哲也
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日立化成工业株式会社
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2007-06-20
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2011-08-10
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H01L21/68
- 本发明提供一种粘结薄膜的使用方法，该方法在高效地获得附有粘结薄膜的半导体芯片单片的同时，可以使半导体芯片与配线基板良好地连接。该使用方法，经过以半导体晶片(6)的电路面(6a)向着切割带(9)一侧的方式而将由切割带(9)、粘结薄膜(3)以及半导体晶片(6)按照这一顺序叠层所得的层压体(60)的准备工序，从与所述半导体晶片(6)的反面(6b)识别所述电路面(6a)的电路图案(P)进而识别切割位置的工序，至少将所述半导体晶片(6)以及所述粘结薄膜(3)在所述层压体(60)的厚度方向上切割的工序，得到连接于配线基板的半导体芯片单片，由此防止半导体芯片的污染，而且可以防止由飞散、流出引起的丢失。
- 粘结薄膜使用方法
- [发明专利]树脂密封型半导体装置及使用的芯片焊接材料和密封材料-CN01816599.0有效
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蔵渕和彦;铃木直也;安田雅昭;河田达男;酒井裕行;川澄雅夫
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日立化成工业株式会社
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2001-09-28
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2004-01-07
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H01L21/58
- 本发明是一种树脂密封型半导体装置，其特征在于，具备：具有芯片焊接底板和内引线的引线框架，通过芯片焊接材料设置在上述芯片焊接底板上的半导体芯片，和密封上述半导体芯片和引线框架的密封材料。将25℃时的密封材料的挠曲强度设为σb(MPa)、密封材料相对于焊锡安装峰值温度下的内引线和芯片焊接底板的的剪切应变能分别设为Ui(N·m)、Ud(N·m)时，固化后的芯片焊接材料和密封材料的特性满足以下式(1)、式(2)、式(3)：σe≤0.2×σb式(1)、Ui≥2.0×10－6×σei式(2)、Ud≥4.69×10－6×σed式(3)。其中，σe＝(1/log(Kd1))×Ee1×(αm－αe1)×ΔT1式(4)、σei＝Ee2×(αe2－αm)×ΔT2式(5)、σed＝log(Kd2)×Ee2×(αe2－αm)×ΔT2式(6)。Kd1：25℃时的芯片焊接材料的弯曲弹性系数Ed1(MPa)相对于弹性系数1MPa的比(Ed1＞1MPa)；Kd2：焊锡安装时的峰值温度下芯片焊接材料的弯曲弹性系数Ed2(MPa)相对于弹性系数1MPa的比(Ed2＞1MPa)；Ee1：25℃下密封材料的弯曲弹性系数(MPa)；Ee2：焊锡安装时峰值温度下密封材料的弯曲弹性系数(MPa)；αe1：由半导体装置的成形温度至25℃时的密封材料的平均热膨胀系数(1/℃)；αe2：由半导体装置的成形温度至焊锡安装时的峰值温度下的密封材料的平均热膨胀系数(1/℃)；αm：引线框架的热膨胀系数(1/℃)；ΔT1：半导体装置的成形温度与温度循环时的低温侧温度的差(℃)；ΔT2：半导体装置的成形温度与焊锡安装时峰值温度的差(℃)。
- 树脂密封半导体装置使用芯片焊接材料密封材料
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