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- [发明专利]一种阶梯式跳汰机-CN202010668856.1有效
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任尚锦;孙鹤;任彦卿;杨秀红;任彦东
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唐山开远科技有限公司
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2020-07-13
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2022-03-18
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B03B4/02
- 本发明公开一种阶梯式跳汰机，其包括：机架、分选床、摊平装置、第一卸料装置、入料系统和鼓风系统，所述分选床悬挂于所述机架中且倾斜设置，所述摊平装置用于将所述分选床的床面的物料摊平，鼓风系统用于向所述分选床底部提供风量，物料由入料系统中进入分选床后，先经过预选室区进行松散分层的初步筛选，而后经过高阶分选床体、摊平装置的分选、较轻物料进入筛分摊平装置、低阶分选床体筛分分选的多层次、区别颗粒大小和密度不同的分选，实现了粒度大、小、密度轻、重物料的分离，根据物料的粒度、密度大小依次分选出由大到小的多种物料，分选精度高。本发明用于分选小粒度混合物时有效分选粒度宽。
- 一种阶梯跳汰机
- [发明专利]金属氧化物半导体器件与其制作方法-CN202111427488.2在审
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孙鹤;王加坤
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杭州芯迈半导体技术有限公司
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2021-11-29
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2022-03-11
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H01L29/06
- 本发明提供了一种金属氧化物半导体器件与其制作方法。金属氧化物半导体器件包括：半导体基体、场氧化层、第一JFET注入区与第二JFET注入区。半导体基体上表面定义有源区与多个栅极区，每一有源区被多个栅极区环绕，并且多个栅极区是互相交错而形成重叠的栅极交汇区。场氧化层局部地覆盖栅极交汇区。第一JFET注入区是通过注入离子至半导体基体的上表面所形成，并且位于栅极交汇区，其中，第一JFET注入区是环绕场氧化层在栅极交汇区的投影区的配置。第二JFET注入区是通过注入离子至半导体基体的上表面所形成，并且位于多个栅极区中。本发明提升击穿电压，进而提升了器件在栅极交汇区的对角方向上的耐压性能，改善器件的稳定性。
- 金属氧化物半导体器件与其制作方法
- [实用新型]一种碳酸胍生产用反应釜-CN202121776296.8有效
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孙鹤;周鹏;马彦珍
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宁夏蓝白黑循环科技有限公司
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2021-07-30
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2022-02-22
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B01J19/18
- 本实用新型提供一种碳酸胍生产用反应釜，包括反应釜本体，反应釜本体的顶部设置有固体进料口和有机溶剂进料口；反应釜本体的侧壁上设置有进水口和进气口；反应釜本体的底部设置有出料口；位于反应釜本体内部的出料口上，盖设有过滤盖；出料口上设置有电磁阀；反应釜本体的内部设置有螺旋盘管，螺旋盘管的进水端贯穿反应釜本体的侧壁，延伸至反应釜本体的外部；螺旋盘管的出水端贯穿反应釜本体的侧壁，延伸至反应釜本体的外部；反应釜本体的底部固定连接有电机，电机的输出轴贯穿反应釜本体的底部，延伸至反应釜本体的内部；电机的输出轴上固定连接有搅拌棒。采用上述装置，解决了胍离子生成和碳酸胍粗品溶解时间较长，降低碳酸胍生产效率的问题。
- 一种碳酸生产反应
- [实用新型]一种双氰胺生产用二氧化碳气化装置-CN202121799234.9有效
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孙鹤;周鹏;马彦珍
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宁夏蓝白黑循环科技有限公司
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2021-08-03
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2022-02-22
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F17C9/02
- 本实用新型提供一种双氰胺生产用二氧化碳气化装置，包括储罐、冷却池和反应釜；储罐中存储有二氧化碳液体；储罐的内部设有螺旋水管，螺旋水管的输入端通过第一水管连接有水箱；水箱与第一水管之间设置有第一水泵，螺旋水管的输出端通过第二水管连接水箱；冷却池中设置有换热盘管；换热盘管输入端通过第一气管连接储罐的出液口；换热盘管输出端通过第二气管连通于反应釜；反应釜内设置有冷却管，冷却管的输入端和输出端均通过第二水管连通于冷却池；第二水管与冷却池之间设置有第二水泵。为液态二氧化碳提供快速气化时所需的热量，解决了采用缓慢释放二氧化碳的方式降低液态二氧化碳的气化速度，会延长二氧化碳气化的时间，气化效率较低的问题。
- 一种双氰胺生产二氧化碳气化装置
- [实用新型]一种双氰胺生产用二氧化碳储罐-CN202121770324.5有效
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孙鹤;周鹏;马彦珍
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宁夏蓝白黑循环科技有限公司
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2021-07-30
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2022-02-01
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F17C3/00
- 本实用新型提供一种双氰胺生产用二氧化碳储罐，包括罐体和温控装置；罐体底部设置有二氧化碳进液口、二氧化碳出液口和二氧化碳排净口；罐体侧壁上设置有压力表，压力表的检测端位于罐体内；温控装置包括设置在罐体顶部的环形水管和设置在罐体内部的螺旋水管；环形水管上，沿罐体周向均匀设置有多个喷水方向朝向罐体的喷头；环形水管输入端通过第一输送管连接有水箱，水箱与第一输送管之间设置有第一水泵；螺旋水管输入端通过第二输送管连接水箱，水箱与第二输送管之间设置有第二水泵；螺旋水管的输出端通过第三输送管连接水箱。解决了当二氧化碳储罐内的温度和压力控制不当时，容易引起二氧化碳储罐爆炸，对生命和财产安全具有重大威胁的问题。
- 一种双氰胺生产二氧化碳
- [发明专利]一种FeN4-CN201910749501.2有效
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熊杰;孙鹤;雷天宇;陈伟;王显福;胡安俊;晏超贻
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电子科技大学
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2019-08-14
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2022-01-25
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H01M4/90
- 本发明提供一种FeN4‑CNT氧还原催化剂的制备方法，属于燃料电池和空气电池催化材料领域。本发明制备中先形成Fe‑N的配位，然后再碳化制备含FeN4的碳二维纳米片，通过含均匀分布FeN4的碳二维纳米片，以金属‑有机框架化合物(Metal‑Organic‑Framework,MOF)结构为前驱体，最终合成FeN4‑CNT催化剂。由于先形成Fe‑N的配位，使得最后制备的的Fe原子负载大幅提高；并且该制备方法中Fe原子分布均匀，催化形成的碳纳米管尺寸均一，该结构使得不仅有效的解决了原子团聚问题，也增加了Fe的活性位点数量，并且提高了FeN4活性位点的催化活性，使得制备的Fe原子负载可达2.4wt％。
- 一种fenbasesub
- [实用新型]板栗激光切割装置-CN202121915021.8有效
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汪雅馨;刘晓媛;孙鹤;付文军;张阳阳;曹珍
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信阳农林学院
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2021-08-16
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2022-01-11
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B23K26/38
- 板栗激光切割装置，包括工作台，所述工作台上设有储料箱，所述储料箱设有出料口，所述工作台上设有位于储料箱一侧的V形输送板，所述出料口位于V形输送板的正上方；所述V形输送板的输出端设有运送组件，所述运送组件设有两条平行间隔布置的输送带，两个所述输送带的一端与V形输送板的输出端对接，所述V形输送板自储料箱至输送带从高向低倾斜布置；两个所述输送带关于V形输送板的中心线对称布置，所述工作台的上部设有用于发射激光的激光发射装置，其中激光穿过两个所述输送带之间的间隔区域，所述工作台上设有位于输送带的输出端的收料箱；本实用新型可以提高板栗加工效率，而且不容易损伤果肉。
- 板栗激光切割装置
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