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[发明专利]选择性外延生长方法-CN202310922972.5在审
发明人：周康;孙伟虎;杨德明;赵正元;张守龙 -专利权人：华虹半导体（无锡）有限公司
申请日： 2023-07-25 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：本申请公开了一种选择性外延生长方法，包括：提供一衬底，该衬底用于集成HBT器件和CMOS器件，从俯视角度观察，衬底包括第一区域和第二区域，第一区域用于集成HBT器件，第二区域用于集成CMOS器件，第一区域的衬底上形成有HBT器件的基区；通过选择性外延生长工艺在基区上生长外延层作为HBT器件的外基区，在生长外延层的过程中，通过通入包含硅烷的反应气体以控制外延层厚度的一致性。本申请通过在Bi‑CMOS工艺中，在通过选择性外延生长工艺在基区上生长外延层作为HBT器件的外基区时，通过通入包含硅烷的反应气体以控制外延层厚度的一致性，从而提高了HBT器件外基区厚度的一致性，在一定程度上提高了器件产品的良率。
选择性外延生长方法

[发明专利]硅锗外延层的生长方法-CN202310916137.0在审
发明人：周康;王勇;杨德明;赵正元;张守龙;孙伟虎 -专利权人：华虹半导体（无锡）有限公司
申请日： 2023-07-25 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：本申请公开了一种硅锗外延层的生长方法，包括：提供一衬底，衬底中形成有STI结构，该衬底用于集成的器件包括HBT器件和CMOS器件；通过外延生长工艺在衬底上依次生长至少两层缓冲层，除最后一次生长缓冲层外，每生长一层缓冲层后进行烘烤处理以改善缓冲层的平整度，缓冲层包括硅外延层；通过外延生长工艺在至少两层缓冲层上生长硅锗外延层。本申请通过在Bi‑CMOS器件的制作工艺中，在衬底中形成STI结构之后，通过外延生长工艺在衬底上依次生长至少两层缓冲层，除最后一次生长缓冲层外，每生长一层缓冲层后进行烘烤处理以改善缓冲层的平整度，进而生长硅锗外延层，从而能够降低硅锗外延层的粗糙度，在一定程度上提高了器件的可靠性和良率。
外延生长方法

[发明专利]钴掺杂改性氮化铟传感器检测有毒气体的仿真方法-CN202110479957.9有效
发明人：董海波;李文君;卢卓;罗浩;孙伟虎;梁洪源;谭渝 -专利权人：中国矿业大学
申请日： 2021-04-30 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： G16C60/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种钴掺杂改性氮化铟传感器检测气体污染物的仿真方法，该方法包括以下步骤：S1.筛选气体污染物NH3和H2S，对气体分子进行几何优化；S2.对钴金属掺杂的氮化铟单分子层进行几何优化，得出最稳定的掺杂结构；S3.对两种气体分子在钴掺杂改性的氮化铟单分子层表面的吸附过程进行仿真；S4.通过仿真数据得出钴掺杂改性的氮化铟单分子层吸附两种气体污染物的气敏机理，确定改性后的传感器响应。钴掺杂可以大大提高氮化铟传感器对NH3和H2S的气敏性能。通过这种方法，可以对钴掺杂改性的氮化铟传感器的气敏机理进行分析，并确定改性后的结构吸附气体污染物的传感器响应，为钴掺杂的氮化铟传感器检测NH3和H2S气体污染物提供理论基础。
掺杂改性氮化传感器检测有毒气体仿真方法

[发明专利]异质结双极晶体管的制作方法-CN202310599443.6在审
发明人：马寒骏;高飞;孙伟虎;周康;王勇;彭勇;杨德明;赵正元;张守龙 -专利权人：华虹半导体（无锡）有限公司
申请日： 2023-05-24 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H01L21/331 文献下载
摘要：本申请涉及半导体集成电路制造技术领域，具体涉及一种异质结双极晶体管的制作方法。该方法包括以下步骤：提供半导体基层；在所述半导体基层上形成基区引出结构，在所述基区引出结构中对应所述集电极区位置处形成第一窗口；在带有所述第一窗口的基区引出结构上形成刻蚀阻挡层，所述刻蚀阻挡层覆盖在所述基区引出结构的上表面和所述第一窗口的侧面；所述刻蚀阻挡层中氮元素与硅元素之间的比值为5：1；湿法刻蚀未被所述刻蚀阻挡层覆盖的区域形成第二窗口；以所述刻蚀阻挡层为掩膜，选择在所述第二窗口中外延生长形成多晶硅外延层作为基区。本申请通过该异质结双极晶体管的制作方法，可以解决相关技术中掩膜层上会生长形成小丘状的多晶硅的问题。
异质结双极晶体管制作方法

[发明专利]一种具有实验线路智能检测的电工实验装置及其检测方法-CN202210617504.2有效
发明人：董海波;廖红梅;卢卓;周围;李文君;罗浩;孙伟虎;李素英 -专利权人：中国矿业大学
申请日： 2022-06-01 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： G09B23/18 文献下载
摘要：本发明提供一种具有实验线路智能检测的电工实验装置及其检测方法，包括：电工实验台，包括多个模块化结构；每个模块均设有二维码标签和若干接线节点；多根导线，分别用于连接两个任意接线节点；每根导线的两个插接端子顶部均采用相同的色环和数字标记组合；数字摄像机，拍摄接线后的电工实验台的实验电路全景图像；图像处理计算机，对实验电路全景图像进行分割，判断各端子是否有插接导线，并通过色环和数字识别导线，建立实验节点连接矩阵；图像处理计算机将实验节点连接矩阵与预设目标矩阵对比，判断实验接线的正确与否。本发明可以对学生电工实验过程中的线路连接结果进行自动智能检测，判断实验线路连接是否正确。
一种具有实验线路智能检测电工装置及其方法

[发明专利]一种外延层的生长方法-CN202310033853.4在审
发明人：彭勇;马寒骏;王勇;周康;孙伟虎;卢明辉;包赛赛;杨德明 -专利权人：华虹半导体（无锡）有限公司
申请日： 2023-01-10 - 公布日： 2023-06-13 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供一种外延层的生长方法，包括提供裸晶圆；在裸晶圆表面生长第一外延层，第一外延层掺杂；在第一外延层表面生长第二外延层，第二外延层不掺杂；重复生长第一外延层和第二外延层直至达到预设厚度；通过SEM分析表面形貌以及粗糙度，STEM切片确认各层厚度以及平均的生长速率。本发明采用交替生长方式进行外延层的生长，在掺杂导致晶圆表面电子积累电位变负使生长速率变慢的时，不再进行掺杂，从而使电位变为零电位，有效消除晶圆表面的电子累积效应，提高生长速率；同时在随着掺杂浓度增加，表面粗糙度加大，晶格失配，产生晶格缺陷时，不再进行掺杂，从而降低晶格配错的概率，进而改善外延薄膜表面粗糙度。
一种外延生长方法

[发明专利]改善外延工艺弛豫的方法-CN202211470304.5在审
发明人： 孙伟虎;周康;王勇;杨德明;赵正元 -专利权人：华虹半导体（无锡）有限公司
申请日： 2022-11-23 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供一种改善外延工艺弛豫的方法，提供衬底，在衬底上形成外延层；其中，外延层的形成工艺包括：利用SiH4气体作为第一硅源气体，SiH2Cl2气体作为第二硅源气体；调节温度与压强，使得SiH2Cl2气体分解为硅气体和氯化氢，SiH4气体分解为硅气体和氢气。本发明利用非选择性锗硅工艺形成的外延层，改善弛豫提高工艺压力窗口的同时，不影响外延层中Ge的浓度。
改善外延工艺方法

[发明专利]解决选择性外基区断层的方法-CN202211402191.5在审
发明人：周康;孙伟虎;杨德明;赵正元 -专利权人：华虹半导体（无锡）有限公司
申请日： 2022-11-10 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供一种解决选择性外基区断层的方法，提供衬底，在衬底上形成第一外延层，清洗第一外延层，之后将衬底设于晶圆传送盒中；利用传送装置移动晶圆至清洁工艺腔室，之后去除第一外延层表面的氧化物，之后在氮气的氛围中利用传送装置移动衬底至外延工艺腔室中；在第一外延层上形成第二外延层。本发明生长的选择性外基区去除了外延层间的氧化层，无断层问题。
解决选择性外基区断层方法

[发明专利]锗硅异质结双极晶体管结构及其形成方法、晶体生长方法-CN202211336769.1在审
发明人：王勇;赵正元;杨德明;周康;孙伟虎;彭勇 -专利权人：华虹半导体（无锡）有限公司
申请日： 2022-10-28 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： H01L29/165 文献下载
摘要：一种锗硅异质结双极晶体管结构及其形成方法、晶体生长方法，其中方法包括：提供衬底，所述衬底包括基底和位于所述基底上的集电区；在所述衬底上形成掩膜层结构，所述掩膜层结构包括掩膜层，所述掩膜层内具有第一开口，所述掩膜层包括主体区和位于所述主体区上的表面区，所述主体区材料的化学键具有第一键能，所述表面区内具有掺杂离子，所述掺杂离子与所述表面区材料的离子所构成的化学键具有第二键能，所述第二键能大于第一键能；以所述掩膜层为掩膜，采用选择性外延工艺，在所述第一开口下的所述集电区表面形成主基区，提高所述主基区材料的生长选择性，进而提高工艺窗口。
锗硅异质结双极晶体管结构及其形成方法晶体生长

[发明专利]一种SF6-CN202210928982.5在审
发明人：董海波;李文君;廖红梅;周围;卢卓;罗浩;孙伟虎 -专利权人：中国矿业大学
申请日： 2022-08-03 - 公布日： 2022-10-11 - 主分类号： G01N27/04 文献下载
摘要：本发明涉及电气设备绝缘气体状态检测技术领域，具体来说是一种SF6‑N2局部放电分解产物检测装置及检测与GIS局放评价方法，特别涉及一种新型Ag2O‑InN气体传感器检测SF6‑N2分解组分的技术。本发明基于MATLAB的GRNN神经网络方法，将N种特征气体设定M种浓度等级，响应值数据点为MN×6，通过阵列式Ag2O‑InN电阻式气敏传感器的电阻变化，以检测SF6‑N2分解产物的种类及含量，继而实现对局部放电的发生和严重程度进行判断。本发明基于MATLAB的GRNN神经网络对GIS局放气体的检测和局放严重程度评价，可实现GIS局放故障监测，保证GIS安全可靠运行。
一种 sf base sub

[实用新型]一种电工实验用导线智能批量检测装置-CN202220462202.8有效
发明人：廖红梅;董海波;周围;卢卓;孙伟虎 -专利权人：中国矿业大学
申请日： 2022-03-03 - 公布日： 2022-07-22 - 主分类号： G01R31/28 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种电工实验用导线智能批量检测装置，涉及电工实验装备技术领域，包括盒体，盒体两侧开设有多组对称的凹槽；多组接线端，分别设置在多组凹槽内部，每组接线端均包括两个固定设置在凹槽内部的接线端子，两个接线端子呈V型设置；主控板，设置在盒体内部，主控板包括微处理器及与微处理器连接的模数转换器和多组分压电阻，多组分压电阻分别与多组接线端电连接；状态显示模块，设置在盒体正面，状态显示模块包括液晶显示屏和多组对称设置在液晶显示屏两侧的指示灯，状态显示模块与微处理器电连接。本实用新型可以大大提高电气实验室检测导线的速率，同时由于智能检测，提高了测量人员测量导线损害程度的准确率。
一种电工实验导线智能批量检测装置

[发明专利]一种计及敏感负荷占比的电压暂降补偿设备优化配置方法-CN202210377354.2在审
发明人：董海波;孙伟虎;罗浩;卢卓;李文君 -专利权人：中国矿业大学
申请日： 2022-04-12 - 公布日： 2022-07-12 - 主分类号： H02J3/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种计及敏感负荷占比的电压暂降补偿设备优化配置方法。本方法考虑了电网中各节点敏感负荷占比的不同，先利用监控和数据采集系统(SCADA)采集到的数据和信息得到各节点不同敏感负荷功率占比；再根据电压暂降记录仪记录的电压暂降事件构成预想电压暂降集，综合敏感负荷占比和预想电压暂降集得到用户综合电压暂降经济损失的费用；装设DVR后，将用户电压暂降经济损失减小的费用与安装DVR电压暂降补偿所支出的成本费用之差最大作为目标函数；最后用变异粒子群算法对电压暂降补偿设备优化配置进行求解，来改善配电网电压质量和补偿设备配置的经济性，具有一定的工程应用价值。
一种敏感负荷电压补偿设备优化配置方法

[发明专利]一种考虑导体耦合的三芯电缆单相接地故障测距方法-CN202210360123.0在审
发明人：董海波;罗浩;孙伟虎;卢卓;李文君 -专利权人：中国矿业大学
申请日： 2022-04-07 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： G01R31/52 文献下载
摘要：本发明公开了一种考虑导体耦合的三芯电缆单相接地故障测距方法，适用于电力系统中使用。一种考虑导体耦合的三芯电缆单相接地故障测距方法为：根据电缆型号，构建电缆阻抗矩阵与导纳矩阵；当单相接地故障发生时，同步采样电缆首末两端的三相缆芯以及金属护层的电压、电流故障分量；设置迭代计算的初始假定故障位置x＝dx，dx为计算步长；基于所测电缆首末两端的故障分量，计算假定故障位置的电流差值的绝对值，构建故障信息矩阵F(x)；令假定故障位置x＝x+dx,判断x是否大于电缆总长l，若x＜l,则重复上一步骤；通过故障评定信息矩阵F(x)中健全相的值，计算得到故障系数序列Ff(xk)，再依据故障判据计算获得故障位置xf。本发明提出的测距方法，考虑了电缆三相缆芯与金属护层之间的耦合关系，较于只考虑三相缆芯的电缆测距方法，拥有更高的测距精度与鲁棒性。
一种考虑导体耦合电缆单相接地故障测距方法

[发明专利]一种电压暂降检测和分类辨识方法-CN202210198410.6在审
发明人：董海波;孙伟虎;罗浩;李文君;卢卓;李梦龙;管翠萍 -专利权人：中国矿业大学
申请日： 2022-03-02 - 公布日： 2022-06-10 - 主分类号： G01R19/165 文献下载
摘要：本发明公开了一种电压暂降检测和分类辨识方法。在电力系统线路发生电压暂降时，该方法通过对电力系统中采集的电压信号，利用最大重叠离散小波变换(MODWT)对采集到的电压信号进行分析，提取电压暂降的特征量。不同类型的扰动造成的电压暂降特征有所差异，进而电压暂降特征量不同。利用提取的特征量进行电压暂降检测以及分类，从而能够实现对各种扰动情况的检测和分类。利用支持向量机算法(SVM)来进行电压暂降分类，数学原理严谨、非线性适应强。本发明所提电压暂降检测和分类方法快速准确，具有广阔的应用前景。
一种电压检测分类辨识方法

[发明专利]一种磁矢量分布场重构与电缆局部放电定位方法-CN202110478762.2在审
发明人：董海波;李文君;孙伟虎;罗浩;卢卓;谭渝;梁洪源 -专利权人：中国矿业大学
申请日： 2021-04-30 - 公布日： 2021-08-10 - 主分类号： G01R31/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种磁矢量分布场重构与电缆局部放电定位方法。该方法通过磁场传感器获取电缆周围的磁场强度标量数据，并根据采集到的磁场强度标量数据，计算磁场矢量数据；利用采集到的数据实现电缆周围磁矢量分布场进行重构并对局部放电源定位。通过本发明，实现磁矢量分布场重构，不仅反映磁场强度，还反映局部放电产生电磁波的辐射方向，根据局部放电发生时电缆周围磁矢量场的分布特征，即可判断局部放电源的位置。
一种矢量分布场重构电缆局部放电定位方法

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