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[发明专利]一种配位限域制备负载型铂金属单原子催化剂的方法-CN202310740343.0在审
发明人：程硕;茹佳瑶;郑宁兮;孔惠慧 -专利权人：南京理工大学
申请日： 2023-06-21 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： H01M4/88 文献下载
摘要：本发明公开了一种配位限域制备负载型铂金属单原子催化剂的方法，其步骤为：将氯铂酸、三聚氯氰、还原氧化石墨烯置于无水乙醇中，低温超声一段时间后，在80℃下搅拌一段时间，旋蒸去除溶剂，在氮气和500℃条件下高温热解，冷却至室温，研磨后制得铂金属单原子催化剂。本发明通过控制升温过程，来控制有机分子的缩合，并通过配位作用将金属颗粒分散至单原子级别，从而获得负载型铂金属单原子催化剂。本发明制备的铂金属单原子催化剂具有电化学性质良好、性质稳定等特点，质量与常见的铂碳催化剂相当，且合成过程无需严格的环境，合成难度较低。
一种配位限域制备负载铂金原子催化剂方法

[发明专利]一种表面制备共轭羰基有机金属离子电池电极材料的方法-CN202310171359.4在审
发明人：周智存;彭欣晨;刘新邦;张航;孔惠慧 -专利权人：南京理工大学
申请日： 2023-02-28 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： C23C26/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种表面制备共轭羰基有机金属离子电池电极材料的方法，其步骤为：对Au(111)表面进行循环氩刻退火处理，以得到干净的表面；室温下，将一定量的芘‑4,5,9,10‑四酮分子沉积到Au(111)表面，得到带有芘‑4,5,9,10‑四酮分子的金属基底；将上述金属基底进行退火处理。本发明通过控制退火温度得到了金属有机聚合物，这些金属有机配位结构具有大面积、产物纯的优点，能够有效的运用在共轭羰基有机金属离子电池中，且具有极高的充放电性能和比容量。
一种表面制备共轭羰基有机金属离子电池电极材料方法

[发明专利]一种类石墨烯材料的制备方法-CN202110385186.7在审
发明人：钱吟月;彭欣晨;茹佳瑶;程硕;孔惠慧 -专利权人：南京理工大学
申请日： 2021-04-09 - 公布日： 2022-10-18 - 主分类号： C23C26/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种类石墨烯材料的制备方法，高温沉积的前体分子通过脱卤反应将氯原子引入高温的铜表面得到类石墨烯结构。经过本发明可以使得前体分子在Cu(111)表面充分进行脱卤反应并脱附，Cl原子仍然吸附在Cu(111)表面并自组装形成六角蜂窝的高覆盖率的单层氯基石墨烯，因此，原料在表面上反应率高，减少了反应物的浪费。
种类石墨材料制备方法

[发明专利]一种金属-有机配位结构的构筑方法-CN202110754792.1有效
发明人：于丹;欧阳佐柃;孔惠慧;钟秦 -专利权人：南京理工大学
申请日： 2021-07-05 - 公布日： 2022-09-06 - 主分类号： C23C14/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种金属‑有机配位结构的构筑方法，本发明通过在表面可控引入特定类型与浓度的金属原子以及调控分子与金属原子的比例实现了金属‑有机配位结构的构筑，卤代萘酚分子与铁原子在表面共沉积并在特定温度下退火后形成具有O‑Fe‑O，C‑Fe‑C两种配位键的金属‑有机配位结构，与过去只包含单一配位键的金属‑有机配位结构相比，该配位结构具有更加特殊复杂的电学、磁学性质，同时该结构具有更多的反应活性位点，在催化、分子识别等领域中具有更广泛的潜在应用前景。
一种金属有机结构构筑方法

[发明专利]一种控制含氧有机前驱体表面反应产物选择性的方法-CN202110865112.3有效
发明人：彭欣晨;刘新邦;孔惠慧 -专利权人：南京理工大学
申请日： 2021-07-29 - 公布日： 2022-08-16 - 主分类号： C23C14/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种控制含氧有机前驱体表面反应产物的选择性的方法，其步骤为：对Ag(110)表面进行循环氩刻退火处理，得到干净的表面；室温下，将一定配比的3‑溴2‑萘酚分子和铁原子共沉积到Ag(110)表面，得到带有3‑溴2‑萘酚分子和铁原子的金属基底；将上述金属基底进行退火处理，得到退火后的金属基底。本发明通过控制铁金属与有机分子不同配比的方法得到了特定结构的金属有机聚合物和含氧共价纳米结构，这些结构具有极高的选择性、大面积、产物单一的优点，能够有效的运用在电池中，且具有极高的催化和储氢能力。
一种控制有机前驱体表反应产物选择性方法

[发明专利]一种控制类氨基酸分子表面反应产物归一性的方法-CN202010213072.X有效
发明人：谢如玥;万欣灵;孔惠慧 -专利权人：南京理工大学
申请日： 2020-03-24 - 公布日： 2022-06-10 - 主分类号： C23C14/30 文献下载
摘要：本发明公开了一种控制类氨基酸分子表面反应产物归一性的方法，属于表面辅助合成技术领域。其步骤为：室温下，将类氨基酸分子沉积到金属单晶表面，得到带有类氨基酸分子的金属单晶，并控制分子覆盖率；将上述带有类氨基酸分子的金属单晶进行退火处理，得到退火金属单晶，所述的类氨基酸分子为6‑氨基‑2‑萘酸分子。本发明的控制方法实现了合成的二聚体产物的归一性以及在表面各方向上的长程有序排列，可以将表面反应通过合理选择金属单晶表面以及调节分子的覆盖率来精确合成小的有机分子，并且能够有效促进合成纯的分子单体。
一种控制氨基酸分子表面反应产物归一性方法

[发明专利]一种新型表面团簇分子的制备方法-CN201911073785.4有效
发明人：张永浩;万欣灵;刘新邦;钱吟月;孔惠慧 -专利权人：南京理工大学
申请日： 2019-11-06 - 公布日： 2021-11-26 - 主分类号： C23C14/12 文献下载
摘要：本发明提供了一种新型表面团簇分子的制备方法，通过将前体分子与金属原子配位以形成零维金属‑有机配位团簇，先后将前体分子和铁沉积到金属基底表面，得到前体分子和铁共沉积金属基底，将该基底退火后，得到成品团簇。本发明利用金属表面的反应能力活性差异，对分子的催化能力和结合能力差异，来合成出团簇分子，为金属表面合成团簇分子开辟了新的路径，以及为类氨基酸分子的应用提供了新的方向，可应用在仿生纳米材料表面涂层和复合材料合成中，在仿生材料的制备与应用中具有潜在的应用前景，且制备工艺简单可控，反应物在表面上反应率高，减少了原料的浪费。
一种新型表面分子制备方法

[发明专利]一种二维金属-有机配位导电聚合物的制备方法-CN201910868656.8在审
发明人：万欣灵;刘新邦;孔惠慧 -专利权人：南京理工大学
申请日： 2019-09-16 - 公布日： 2020-04-17 - 主分类号： C08G83/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种二维金属‑有机配位导电聚合物的制备方法，首先将前体分子进行C‑C耦合形成聚芘链，然后将聚芘链捕捉Au原子，具体包括，室温下将前体分子沉积到Au(111)表面，得到带前体分子的Au基底；将得到的带前体分子的Au基底加热至480K后进行退火处理，得到退火Au基底；通过扫描隧道显微镜对得到的退火Au基底进行观测，在Au(111)表面上前体分子形成C‑C耦合，并通过羰基捕捉Au原子形成二维网格，得到二维金属‑有机聚合物。本发明的方法制备工艺简单可控，形成了二维的片状结构，有更多潜在的运用方向，形成了通过共价键和配位键形成的牢固网格，比简单的自组装结构物理化学性质更加稳定，原料在表面上反应率高，减少了反应物的浪费。
一种二维金属有机导电聚合物制备方法

[发明专利]一种新型氨基酸螯合铁晶体的制备方法-CN201811323403.4在审
发明人：谢如玥;严丹妮;程凡;孔惠慧 -专利权人：南京理工大学
申请日： 2018-11-08 - 公布日： 2019-09-06 - 主分类号： C07D233/64 文献下载
摘要：本发明公开了一种新型氨基酸螯合铁晶体的制备方法，包括以下步骤：1)、制备组氨酸氯化亚铁混合溶液；2)、向组氨酸氯化亚铁混合溶液中加入无水乙醇，混合均匀，得到乙醇溶液；3)、将步骤2)得到的乙醇溶液置于恒温环境中密封反应，直到试管底部出现黄色结晶状沉淀物；4)、移去上清液，将步骤3)得到的黄色结晶状沉淀物进行干燥，得到产物。本发明的新型氨基酸螯合铁晶体得制备方法简单可控，氨基酸铁螯合物在乙醇溶液中的溶解度远小于在水中的溶解度，更有利于产物的析出，提高了产率；乙醇溶液较水更易挥发，可有效降低干燥温度以及减少干燥时间；所用试剂均为安全无毒的绿色试剂，对环境无污染，对生物体无毒无害。
乙醇溶液制备氨基酸螯合铁黄色结晶状氯化亚铁晶体的溶解度组氨酸环境无污染混合溶液中生物体析出氨基酸铁恒温环境混合溶液绿色试剂无毒无害无水乙醇上清液中密封螯合物试管产率挥发可控移去无毒安全

[发明专利]一种前驱体分子耦合控制方法-CN201710117532.7在审
发明人：黄心言;孔惠慧 -专利权人：南京理工大学
申请日： 2017-03-01 - 公布日： 2017-08-22 - 主分类号： C23C14/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种前驱体分子耦合控制方法，包括前驱体分子C‑C耦合控制方法或前驱体分子C‑H耦合控制方法。本发明的前驱体分子耦合控制方法实现了脱卤过后基底控制的C‑C或C‑H耦合，可以将表面反应通过合理设计前驱体分子和合理选择基底表面来精确合成小的有机分子，并且能够有效促进合成纯的分子单体。
一种前驱分子耦合控制方法

[发明专利]单原子厚度纳米硅带的制备方法-CN201110075576.0无效
发明人：王立;刘小青;张学富;欧阳洪萍;陈烽;孔惠慧 -专利权人：南昌大学
申请日： 2011-03-29 - 公布日： 2011-10-19 - 主分类号： C01B33/021 文献下载
摘要：一种单原子厚度纳米硅带的制备方法，方法步骤为：第一步，进行除气处理；第二步，实现硅表面的清洁；第三步，通过分子束淀积技术在清洁的硅表面上生长0.5纳米厚的银层；第四步，使银原子均匀的分布在硅样品的表面；第五步，将样品升温至500摄氏度，放置15分钟将温度降下来，在升高温度，将温度增加50摄氏度，重复该过程，直到使银原子全部脱吸附掉，从而实现单原子厚度硅纳米带的制备。本发明的技术效果是：其一，首次制备出了大面积单原子厚度硅纳米带；其二，所需设备简单，易于产业化。
原子厚度纳米制备方法

[发明专利]制备低缺陷大面积硅(100)- 2x1重构表面的方法-CN201110030510.X无效
发明人：王立;张学富;欧阳洪萍;陈烽;孔惠慧;陈秀 -专利权人：南昌大学
申请日： 2011-01-28 - 公布日： 2011-08-17 - 主分类号： C30B33/00 文献下载
摘要：一种制备低缺陷大面积硅(100)-2x1重构表面的方法，其特征是方法步骤为：第一步，通过直流电源对硅（100）样品实现击穿；第二步，实现硅表面的清洁；第三步，通过分子束淀积技术在清洁的硅表面上生长0.5纳米厚的银层；第四步，使银原子均匀分布在Si样品的表面；第五步，将样品迅速升温至1200摄氏度，使银原子全部脱吸附掉，从而实现低缺陷大面积硅(100)-2x1重构表面的制备。本发明的技术效果是：1、在制备硅(100)-2x1重构表面时，采用阶梯式的升温清洁的方法，避免了升温过快导致的样品断裂的问题；2、利用高温促使吸附在硅表面的银原子脱吸附过程，极大地降低了硅(100)-2x1重构表面的缺陷。
制备缺陷大面积 100 x1 表面方法

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