“妹尾真言”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网_中国专利网

首页在售求购查询申请展会资讯专利榜企服商城升级VIP

立即登录免费注册

在售专利
求购专利
查询专利
新闻资讯
技术展会
招商加盟
专利榜

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

专利名称

专利名称
专利号码
专利分类
申请人
公布日期

农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

专利下载VIP

公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

钻瓜专利网为您找到相关结果24个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]半导体存储器装置与半导体存储器装置的操作方法-CN201811344896.X有效
发明人： 妹尾真言;村上洋树;山内一贵 -专利权人：华邦电子股份有限公司
申请日： 2018-11-13 - 公布日： 2021-04-27 - 主分类号： G11C16/22 文献下载
摘要：本发明提供了一种可执行高可靠度的上电程序的半导体存储器装置与半导体存储器装置的操作方法。本发明的快闪存储器的控制器于外部的电源被提供时，通过与时脉信号同步读取ROM所储存的代码以执行上电程序。此外，当检测出电源的电压于上电程序过程中下降至临界值以下时，控制器还将时脉信号去活化，以停止上电程序，并且当检测出电源的电压超过临界值时，将时脉信号活化，以恢复上电程序。藉由上述操作，可提高上电程序的可靠性，并且可防止诱发不稳定的操作或者错误的操作。
半导体存储器装置操作方法

[发明专利]半导体存储装置以及读出方法-CN201811323630.7有效
发明人：山内一贵;妹尾真言;村上洋树 -专利权人：华邦电子股份有限公司
申请日： 2018-11-08 - 公布日： 2021-02-26 - 主分类号： G11C7/10 文献下载
摘要：本发明提供一种芯片尺寸与现有相比更小的半导体存储装置以及读出方法。本发明的快闪存储器(100)具有：存储单元阵列(110)；页面缓冲器/感测电路(160)，包含：感测节点(SNS)，对自存储单元阵列(110)的所选择的页面读出的数据进行感测；及锁存电路，保持由感测节点(SNS)而感测到的数据；以及控制器(140)，控制自存储单元阵列(110)的读出或对存储单元阵列(110)的程序化等操作；且感测节点(SNS)包括NMOS电容器。
半导体存储装置以及读出方法

[发明专利]半导体装置及连续读出方法-CN202010493554.5在审
发明人： 妹尾真言;水藤克年;谷口务;冈部翔 -专利权人：华邦电子股份有限公司
申请日： 2020-06-03 - 公布日： 2021-02-02 - 主分类号： G11C16/26 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体装置及连续读出方法，在读出存储单元阵列的选择页的高速缓存(C0)的数据时，利用三条非选择位线屏蔽选择位线(BL0、BL4、BL8、BL12)，进而在读出同一选择页的高速缓存(C1)的数据时，利用三条非选择位线屏蔽选择位线(BL2、BL6、BL10、BL14)，从而能够实现连续地输出在多个选择页中读出的各第一页数据与第二页数据。
半导体装置连续读出方法

[发明专利]半导体装置及连续读出方法-CN202010494007.9在审
发明人： 妹尾真言;水藤克年;谷口务;冈部翔 -专利权人：华邦电子股份有限公司
申请日： 2020-06-03 - 公布日： 2021-02-02 - 主分类号： G11C16/26 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体装置及连续读出方法，闪存等半导体装置的连续读出方法包括：在输出保持于页面缓冲器/感测电路的锁存器(L1)的高速缓存(C0)的数据之后，从存储单元阵列读出下一页的高速缓存(C0)的数据，并将所读出的高速缓存(C0)的数据保持于锁存器(L1)，且在输出保持于锁存器(L1)的高速缓存(C1)的数据之后，从存储单元阵列读出相同的下一页的高速缓存(C1)的数据，并将所读出的高速缓存(C1)的数据保持于锁存器(L1)。
半导体装置连续读出方法

[发明专利]非易失性半导体存储装置-CN201710454452.0有效
发明人： 妹尾真言;林小峰 -专利权人：华邦电子股份有限公司
申请日： 2017-06-15 - 公布日： 2020-09-15 - 主分类号： G11C7/10 文献下载
摘要：本发明的非易失性半导体存储装置(10)包括：存储器阵列(20)，包含多个存储元件；选择部件，基于地址数据来选择所述存储器阵列的存储元件；模式选择部(30)，选择RAM模式与快闪模式中的任一个，所述RAM模式是根据写入数据而使存储元件的数据能够覆写的模式，所述快闪模式是当写入数据为第1值时使存储元件的数据能够覆写，而为第2值时禁止重写的模式；以及写入控制部件，根据由动作模式选择部(30)所选择的RAM模式或快闪模式来对选择存储元件进行写入数据的写入。因此能够对其他种类的半导体存储装置的规格或写入获得兼容性。
非易失性半导体存储装置

[发明专利]半导体存储装置-CN201710248647.X有效
发明人： 妹尾真言;须藤直昭 -专利权人：华邦电子股份有限公司
申请日： 2017-04-17 - 公布日： 2020-07-14 - 主分类号： G11C16/34 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体存储装置，改善数据的高温保持特性。本发明的闪速存储器包括擦除存储单元阵列的选择存储单元的擦除部件，擦除部件还包含：施加部件，在开始选择存储单元的擦除动作之前，对监控用存储单元施加监控用擦除脉冲；校验部件，进行施加有监控用擦除脉冲的监控用存储单元的校验；以及决定部件，基于校验部件的校验结果来决定ISPE条件。擦除部件依照所决定的ISPE条件来擦除存储单元。
半导体存储装置

[发明专利]半导体存储装置及擦除方法-CN201410097177.8有效
发明人： 妹尾真言 -专利权人：华邦电子股份有限公司
申请日： 2014-03-17 - 公布日： 2020-04-03 - 主分类号： G11C16/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种可靠性高的数据擦除的半导体存储装置及擦除方法。擦除方法是用以擦除形成有具有NAND串的存储器阵列的半导体存储装置。对NAND串的选择晶体管的栅极施加预定电平，且对NAND串的存储单元的字元线施加预定电平。对形成有NAND串的基板区域，在第1时刻施加擦除电压，且在自第1时刻起固定时间后的第2时刻，使选择晶体管的栅极浮置。本发明可减小电场对与选择晶体管邻接的存储单元的影响。
半导体存储装置擦除方法

[发明专利]半导体存储装置-CN201410054180.1有效
发明人： 妹尾真言 -专利权人：华邦电子股份有限公司
申请日： 2014-02-18 - 公布日： 2019-01-08 - 主分类号： G11C16/06 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体存储装置。本发明的闪存包括：页面缓冲器/感测电路，包括可保持大小与存储阵列的页面对应的数据的易失性存储元件；及高速缓冲寄存器，包括可保持大小与存储阵列的页面对应的数据的非易失性存储元件。页面缓冲器/感测电路包括感测电路、数据寄存器、传输栅极，数据寄存器可与输入输出缓冲器进行数据的收发。高速缓冲寄存器包括RRAM，RRAM可经由传输栅极而与输入输出缓冲器进行数据的收发，且可经由传输栅极而与数据寄存器进行数据的收发。
半导体存储装置

[发明专利]非易失性半导体存储器装置及其写入方法-CN201210272156.6有效
发明人： 妹尾真言;荒川秀贵;白田理一郎 -专利权人：力晶科技股份有限公司
申请日： 2012-08-01 - 公布日： 2013-07-10 - 主分类号： G11C16/06 文献下载
摘要：一种非易失性半导体存储器装置及其写入方法。该非易失性半导体存储器装置包括：一非易失性的存储器单元阵列；以及一控制电路，用以控制该存储器单元阵列的写入。在擦除已写入存储器单元的数据的擦除处理之前或之后，上述控制电路检测写入至上述存储器单元阵列时的写入速度，决定每区块或每字线的对应该写入速度的写入开始电压，存储上述所决定的写入开始电压于上述存储器单元阵列，以及从上述存储器单元阵列读出写入开始电压以写入预定数据。
非易失性半导体存储器装置及其写入方法

首页
«上一页
1
2
共 24 条

友情链接：交换友情链接需要网站权重大于4，网站收录10W以上，如符合条件，请联系QQ：76009968。

关于我们寻求报道投稿须知广告合作版权声明网站地图友情链接企业标识联系我们

在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

版权所有钻瓜科技（天津）有限公司津ICP备15000985号津公网安备 12019202000206号http://www.vipzhuanli.com/公布日期

咨询在线客服

咨询在线客服

tel code back_top