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专利名称

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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]功率器件的立体封装结构和封装方法-CN202210313033.6在审
发明人：曾健忠 -专利权人： 天狼芯半导体（成都）有限公司
申请日： 2022-03-28 - 公布日： 2022-08-02 - 主分类号： H01L23/495 文献下载
摘要：本申请属于半导体技术领域，尤其涉及一种功率器件的立体封装结构和封装方法，其中，功率器件的立体封装结构包括：引线框架，设置有用于连接功率器件的焊盘；第一功率器件，通过倒装方式设置于所述引线框架上；第二功率器件，堆叠设置在所述第一功率器件之上；其中，所述第一功率器件的底部端子与所述引线框架的焊盘固定连接，所述第一功率器件的顶部端子与所述第二功率器件相靠近的底部端子以铜条带键合的方式电性连接，所述第一功率器件的底部端子还与所述第二功率器件的顶部端子以铜条带键合的方式电性连接。通过将功率器件堆叠设置，减少封装需要的打线数量，降低寄生效应的影响，提高功率器件的性能，大大提升产品良率。
功率器件立体封装结构方法

[发明专利]混合式垂直功率器件、制备方法及电子设备-CN202210286889.9在审
发明人：曾健忠 -专利权人： 天狼芯半导体（成都）有限公司
申请日： 2022-03-23 - 公布日： 2022-07-22 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本申请属于半导体器件技术领域，提供了一种混合式垂直功率器件、制备方法及电子设备，混合式垂直功率器件包括漂移层、第一半导体区、第一隔离区、第二半导体区、第一掺杂半导体柱、第二掺杂半导体柱、功函数金属、介电层、第三半导体区、第四半导体区，其中，第一半导体区、第一隔离区、第二半导体区依序形成于漂移层的下表面，介电层的上表面形成第三半导体区和第四半导体区，第三半导体区通过第一掺杂半导体柱与第一漂移区连接，第四半导体区通过第二掺杂半导体柱与第二漂移区连接，从而在节省大量水平方向的器件面积的情况下，采用同一套工艺实现IGBT和MOS器件的功能，不仅节省成本，还提升了器件的性能。
混合式垂直功率器件制备方法电子设备

[发明专利]垂直结构功率器件、制备方法及电子设备-CN202210286890.1在审
发明人：曾健忠 -专利权人： 天狼芯半导体（成都）有限公司
申请日： 2022-03-23 - 公布日： 2022-07-22 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本申请属于半导体器件技术领域，提供了一种垂直结构功率器件、制备方法及电子设备，垂直结构功率器件包括漏极掺杂层、漂移层、反型超级结、掺杂半导体柱、表面功函数金属、介电层以及源极掺杂层，由较低掺杂的漂移层提高功率器件的反向耐压，然后通过将反型超级结设于漂移层内，改变漂移层内的电场分布，降低通道与漂移层界面的最大电场，避免接入反偏电压时由于高电场引起雪崩效应导致器件可靠性降低的问题。
垂直结构功率器件制备方法电子设备

[发明专利]一种可程式化功率器件、制备方法及逻辑电路-CN202210449757.3在审
发明人：曾健忠 -专利权人： 天狼芯半导体（成都）有限公司
申请日： 2022-04-24 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： H03K19/0944 文献下载
摘要：本申请属于半导体技术领域，提供了一种可程式化功率器件、制备方法及逻辑电路，可程式化功率器件包括多个呈阵列设置的单元器件以及用于在镭射状态下熔断的电熔丝阵列；电熔丝阵列用于将相邻的单元器件的连接端一一对应连接，并在镭射状态下断开对应的单元器件之间的连接状态。通过电熔丝将多个单元器件呈阵列设置连接起来，使得单元器件不同的连接方式可以实现不同的功能，以应对不同的应用场景；并且，本申请的不同单元器件之间连接的电熔丝可以通过镭射的方式熔断，使得在针对不用的应用场需要实现不同的功能时，将相应的电熔丝熔断，实现其功能，提升了单元器件的利用率。
一种程式化功率器件制备方法逻辑电路

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