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[发明专利]一种超薄芯片背面金属溅射的方法-CN201811107550.8有效
发明人：孙喆禹;夏忠财;赵忠剑;唐宇;叶武阳 -专利权人：吉林华微电子股份有限公司
申请日： 2018-09-21 - 公布日： 2021-04-06 - 主分类号： H01L21/285 文献下载
摘要：本发明涉及微电子芯片领域，具体而言，涉及一种超薄芯片背面金属溅射的方法。所述方法至少包括以下步骤：(a)制作的片托用于承片，制作的机械手臂用于DCM传动，改造片筐适用于超薄芯片；(b)更换三个腔室的靶材，设定好预设的工艺条件，使用程序做设备PM恢复后验证；(c)将清洗后的超薄芯片放置于片托上；(d)将装有超薄芯片的片托放入溅射台片筐内，调整放片方向防止超薄芯片在传动过程出现位移；(e)调整片筐升降台角度，以便有利于超薄芯片传动；(f)选择相应片齿及程序运行设备；(g)将完成溅射的超薄芯片从片托上取下放入传片筐待传。
一种超薄芯片背面金属溅射方法

[发明专利]半导体硅基光波导器件及其制备方法-CN201811528791.X有效
发明人：孙喆禹;邢文超;孙宣;夏忠财;杨寿国 -专利权人：吉林华微电子股份有限公司
申请日： 2018-12-13 - 公布日： 2020-12-15 - 主分类号： G02B6/12 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体硅基光波导器件及其制备方法，涉及光波导芯片生产制造领域，所述半导体硅基光波导器件的制备方法包括以下步骤：(a)单面抛光硅片非抛光面淀积底包层；(b)在单面抛光硅片抛光面依次层叠淀积下包层、芯层以及掩膜层；(c)刻蚀芯层后形成波导通道并去除掩膜层；(d)在刻蚀后的芯层上淀积上包层，即得到半导体硅基光波导器件；优选地，所述掩膜层为金属掩膜层，解决了常规波导器件使用石英衬底片，对衬底片质量依赖性大且需订制专门的石英加工设备进行制造的技术问题，本发明提供的半导体硅基光波导器件的制备方法采用半导体硅为衬底片，与硅半导体制造设备兼容性好，不受衬底片折射率的影响，设计与制造更加灵活。
半导体硅基光波导器件及其制备方法

[实用新型]一种夹具及机械手-CN201821075247.X有效
发明人： 夏忠财 -专利权人：吉林华微电子股份有限公司
申请日： 2018-07-02 - 公布日： 2018-12-28 - 主分类号： H01L21/687 文献下载
摘要：一种夹具及机械手，属于半导体元器件领域。夹具包括底层和夹片层。其中，底层被构造来支撑所述芯片，夹片层被构造来约束放置于所述底层的所述芯片的边缘。夹片层的断面呈阶梯状结构，且夹片层与底层之间构成夹片槽。利用前述夹具能够是芯片被限制而不至于在传片过程中产生滑移。
夹具夹片层机械手芯片半导体元器件阶梯状结构夹片槽滑移支撑