专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]汽车用运算系统-CN202080018188.6有效
  • 堀笼大介;坂下真介;石桥真人;宝神永一;三谷明弘;土山净之 - 马自达汽车株式会社
  • 2020-03-03 - 2023-08-18 - B62D6/00
  • 汽车用运算系统(SY)包括主运算装置(100)和备用运算装置(300)。主运算装置(100)根据来自车外信息获取装置(M1)的输出,决定汽车沿根据车外环境生成的路径行驶时的目标运动,车外环境是利用深度学习推测出的,备用运算装置(300)决定供行驶中的汽车行驶到符合预设基准的停车位置停车的行驶路径,行驶路径是根据来自车外信息获取装置(M1)的输出生成的。当主运算装置(100)发生故障时,汽车用运算系统(SY)会优先于控制信号将备用控制信号输出给各执行装置。
  • 汽车运算系统
  • [发明专利]汽车用运算系统-CN202080018122.7有效
  • 堀笼大介;坂下真介;石桥真人;宝神永一;三谷明弘;土山净之 - 马自达汽车株式会社
  • 2020-03-03 - 2023-07-18 - B62D6/00
  • 汽车用运算系统(SY)包括:主运算部(110),其根据来自车外信息获取装置(M1)的输出,利用深度学习生成行驶路径;副运算部(120),其不利用深度学习而在自由空间生成基于规则的行驶路径;安全路径生成部(300),其不利用深度学习而生成汽车行驶到安全停车位置停车的安全路径;以及超控处理部(410),其使由主运算部(110)生成的行驶路径、由副运算部(120)生成的基于规则的行驶路径、由安全路径生成部(300)生成的安全路径中的任意一路径优先于其他路径,并决定目标运动以便使汽车沿着该一路径行驶。
  • 汽车运算系统
  • [发明专利]汽车用运算装置-CN202080012380.4有效
  • 堀笼大介;坂下真介;石桥真人;宝神永一;三谷明弘;土山净之 - 马自达汽车株式会社
  • 2020-03-03 - 2023-05-16 - B60W30/08
  • 汽车用运算装置包括第一路径计算部(113)、安全区域设定部(122)以及目标运动决定部(130)。第一路径计算部(113)根据利用深度学习推测出的车外环境,计算第一候选路径;静态安全区域设定部(122)根据按照规定的规则认定车外对象物的结果,设定静态安全区域(SA2);目标运动决定部(130)决定汽车(1)的目标运动。当第一候选路径全部在第二安全区域(SA2)内时,目标运动决定部(130)选择第一候选路径作为汽车(1)的行驶路径,而当第一候选路径的至少一部分脱离了第二安全区域(SA2)时,目标运动决定部(130)不选择第一候选路径作为汽车(1)的行驶路径。
  • 汽车运算装置
  • [发明专利]车辆行驶控制装置-CN202080011217.6在审
  • 坂下真介;堀笼大介;石桥真人;宝神永一 - 马自达汽车株式会社
  • 2020-03-09 - 2021-11-05 - B60W50/14
  • 车辆行驶控制装置(100)包括运算装置(110)和控制搭载在车辆上的行驶用部件工作的部件控制装置(200~500)。运算装置(110)包括车外环境认定部(111)、路径设定部(112~115)、车辆运动决定部(116)以及驾驶辅助影像生成部(150),车外环境认定部(111)认定车外环境,路径设定部(112~115)设定车辆应行驶的路径,车辆运动决定部(116)决定车辆的目标运动,该目标运动用于跟踪所设定的路径,驾驶辅助影像生成部(150)使用摄像头(70)的拍摄图像和由车外环境认定部(111)认定的车外环境的信息,生成用于辅助驾驶的显示影像。
  • 车辆行驶控制装置
  • [发明专利]车辆行驶控制装置-CN202080011212.3在审
  • 坂下真介;堀笼大介;石桥真人;宝神永一 - 马自达汽车株式会社
  • 2020-03-06 - 2021-11-02 - B60W50/00
  • 车辆行驶控制装置(100)包括运算装置(110)和控制搭载在车辆上的行驶用部件工作的部件控制装置(200、300、400、500)。运算装置(110)包括车外环境认定部(111)、路径设定部(112、113、114、115)、车辆运动决定部(116)以及车身系部件控制部(140),车外环境认定部(111)认定车外环境,路径设定部(112、113、114、115)设定车辆应行驶的路径,车辆运动决定部(116)决定用于跟踪所设定的路径的车辆的目标运动,车身系部件控制部(140)根据车辆运动决定部(116)的输出,设定车辆的车身系部件的动作,生成控制车身系部件的控制信号。
  • 车辆行驶控制装置
  • [发明专利]车辆行驶控制装置-CN202080012699.7在审
  • 坂下真介;堀笼大介;石桥真人;宝神永一 - 马自达汽车株式会社
  • 2020-03-06 - 2021-11-02 - B60W30/02
  • 包括运算装置(110)和多个车载装置用控制装置,多个车载装置用控制装置分别控制多个行驶用车载装置工作,运算装置(110)具有车外环境认定部(111)、路径设定部(112~115)、车辆运动决定部(116)以及物理量计算部(117~119),车外环境认定部(111)认定车外环境,路径设定部(112~115)设定车辆应行驶的路径,车辆运动决定部(116)决定车辆的目标运动,物理量计算部(117~119)为了实现目标运动,计算各行驶用车载装置分别应生成的各目标物理量,各物理量计算部(117~119)构成为能够互相通信且能够计算各目标物理量,各目标物理量用于执行使各行驶用车载装置配合工作的控制。
  • 车辆行驶控制装置
  • [发明专利]车辆行驶控制装置-CN202080012708.2在审
  • 坂下真介;堀笼大介;石桥真人;宝神永一 - 马自达汽车株式会社
  • 2020-03-06 - 2021-11-02 - B60W30/02
  • 包括运算装置(110)和控制车辆的行驶用车载装置工作的车载装置用控制装置(200~500),运算装置(110)具有车外环境认定部(111)、路径设定部(112~115)、车辆运动决定部(116)以及物理量计算部(117~119),车外环境认定部(111)认定车外环境,路径设定部(112~115)设定车辆的行驶路径,车辆运动决定部(116)决定车辆的用于按照所设定的路径行驶的目标运动,物理量计算部(117~119)为了实现目标运动,计算行驶用车载装置应生成的目标物理量,车载装置用控制装置(200~500)为了实现目标物理量而计算对行驶用车载装置的控制量,并向该行驶用车载装置输出控制信号。
  • 车辆行驶控制装置
  • [发明专利]汽车用行驶控制系统-CN202080018148.1在审
  • 坂下真介;堀笼大介;石桥真人;宝神永一 - 马自达汽车株式会社
  • 2020-03-06 - 2021-11-02 - B60W50/08
  • 汽车用行驶控制系统(100)包括运算装置(110)及部件控制装置,运算装置(110)根据来自车外信息获取装置的输出,计算用于实现目标运动的行驶用部件的物理运动量,该目标运动是沿着已生成出的行驶路径而行驶时的汽车的目标运动,部件控制装置根据运算装置(110)的运算结果,生成对汽车的行驶用部件的工作进行控制的工作控制信号并输出。而且,驾驶员的驾驶操作信息并行输入运算装置(110)及部件控制装置这两者,在运算装置(110)中,驾驶操作信息反映在目标运动的决定过程中,在部件控制装置中,驾驶操作信息反映在对所述行驶用部件的工作的控制中。
  • 汽车行驶控制系统
  • [发明专利]半导体装置的制造方法及半导体装置-CN201310424493.7有效
  • 坂下真介;川原孝昭;由上二郎 - 瑞萨电子株式会社
  • 2009-02-25 - 2014-01-08 - H01L21/8238
  • 本发明涉及一种半导体装置的制造方法及半导体装置。本发明提供一种多个半导体元件分别具有所期望的特性且可靠性高的半导体装置、以及可容易地制造该半导体装置的半导体装置的制造方法。在栅极绝缘膜6的上表面上,遍及整个表面形成厚度为3~30nm的栅电极用金属膜M。接着,在栅电极用金属膜M的上表面中仅属于nFET区域Rn内的部分上,遍及整个表面形成与栅电极用金属膜M为不同种材料、且厚度为10nm以下的n侧盖层8A。其后进行热处理,使n侧盖层8A向其正下方的栅电极用金属膜M内扩散并反应,从而在nFET区域Rn内形成n侧栅电极用金属膜MA。此后,堆积多晶Si层,并实施栅电极加工。
  • 半导体装置制造方法
  • [发明专利]半导体装置的制造方法及半导体装置-CN200910009597.5有效
  • 坂下真介;川原孝昭;由上二郎 - 株式会社瑞萨科技
  • 2009-02-25 - 2009-09-02 - H01L21/8238
  • 本发明提供一种多个半导体元件分别具有所期望的特性且可靠性高的半导体装置、以及可容易地制造该半导体装置的半导体装置的制造方法。在栅极绝缘膜6的上表面上,遍及整个表面形成厚度为3~30nm的栅电极用金属膜M。接着,在栅电极用金属膜M的上表面中仅属于nFET区域Rn内的部分上,遍及整个表面形成与栅电极用金属膜M为不同种材料、且厚度为10nm以下的n侧盖层8A。其后进行热处理,使n侧盖层8A向其正下方的栅电极用金属膜M内扩散并反应,从而在nFET区域Rn内形成n侧栅电极用金属膜MA。此后,堆积多晶Si层,并实施栅电极加工。
  • 半导体装置制造方法

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