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[发明专利]蓄电元件、蓄电池及蓄放电系统-CN201980004184.X在审
发明人：伊达知秀;白方雅人;长谷川史彦;引地政明 -专利权人： 国立大学法人东北大学
申请日： 2019-06-12 - 公布日： 2021-01-08 - 主分类号： H01M50/528 文献下载
摘要：该蓄电元件具备：具有正极集电体和活性物质层的正极，具有负极集电体和活性物质层的负极，被所述正极和所述负极夹持的隔膜，与所述正极集电体的外周连接的充电用的第一端子，与所述负极集电体的外周连接、充电和放电中的至少一者使用的第二端子，以及与所述第一端子或所述第二端子分离地连接于所述正极集电体和所述负极集电体中的一者的外周的放电用的第三端子。
元件蓄电池放电系统

[发明专利]餐具清洗机-CN202010584462.8在审
发明人：澁谷昌树;菊川智之;小菅一弘;衣川润;迫田成正 -专利权人：松下电器产业株式会社;国立大学法人东北大学
申请日： 2020-06-23 - 公布日： 2020-12-29 - 主分类号： A47L15/50 文献下载
摘要：本发明涉及一种餐具清洗机，其提高餐具清洗机的便利性。餐具清洗机具备：清洗槽(2)，其在上方具有开口部；下筐(14)，其收纳于清洗槽(2)内，并载置被清洗物(8)；上筐(13)，其配置于比下筐(14)靠上方的位置，并载置被清洗物(8)；升降连杆(18)、(19)，其是使下筐(14)和上筐(13)升降的升降单元；以及移动单元，其与由升降单元进行的升降动作联动而使上筐(13)相对于下筐(14)向上方或沿水平方向相对移动。
餐具清洗

[发明专利]广视角高对比度光学补偿薄膜-CN201780040736.3有效
发明人：松本真典;野口哲央;藤掛英夫;石锅隆宏 -专利权人：电化株式会社;国立大学法人东北大学
申请日： 2017-01-20 - 公布日： 2020-12-29 - 主分类号： G02B5/30 文献下载
摘要：提供一种视角特性优异、且在斜方向上也具有高对比度的液晶显示装置。一种光学补偿薄膜，其是使满足(式1)～(式3)的薄膜A和满足(式4)及(式5)的薄膜B层叠而构成的，其中，薄膜B为包含芳香族乙烯基单体单元、不饱和二羧酸酐单体单元、(甲基)丙烯酸酯单体单元而构成的共聚物，Re(450)、Re(550)以及Re(650)表示在波长450nm、550nm以及650nm下的面内相位差，Rth(550)表示在波长550nm下的厚度方向相位差，设薄膜的慢轴方向的折射率为nx、薄膜的快轴方向的折射率为ny、薄膜的厚度方向的折射率为nz、薄膜的厚度为d，面内相位差Re是由(式6)定义的值，厚度方向相位差Rth是由(式7)定义的值。(式1)Re(450)＜Re(550)＜Re(650)；(式2)25nm≤Re(550)≤280nm；(式3)12nm≤Rth(550)≤95nm；(式4)0nm≤Re(550)≤140nm；(式5)‑140nm≤Rth(550)≤0nm；(式6)Re＝(nx‑ny)×d；(式7)Rth＝{(nx+ny)÷2‑nz}×d。
视角对比度光学补偿薄膜

[发明专利]超声波处理装置以及超声波处理方法-CN202010556783.7在审
发明人：林大和;泷泽博胤;古泽彰男;北浦秀敏;日根清裕 -专利权人： 国立大学法人东北大学;松下电器产业株式会社
申请日： 2020-06-17 - 公布日： 2020-12-22 - 主分类号： B08B3/12 文献下载
摘要：本发明提供一种超声波处理装置以及超声波处理方法，能够有效且均匀地对被处理物进行超声波处理。超声波处理装置，用于对被处理物进行超声波处理，包含：处理槽，其装入第1液体；流路，其被配置成在所述处理槽内与所述第1液体接触，并且流过被处理物以及第2液体；以及超声波谐振器，其被设置于所述处理槽，所述流路具有间隔地与从所述超声波谐振器发出的超声波的行进方向至少相交2次，该间隔是该超声波的波长的1/2的整数倍±5％以内。
超声波处理装置以及方法

[发明专利]臭氧水的制造方法-CN201980029833.1在审
发明人：白井泰雪;酒井健;自在丸隆行 -专利权人： 国立大学法人东北大学;野村微科学股份有限公司
申请日： 2019-04-26 - 公布日： 2020-12-15 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：对于以往的臭氧水而言，当今的半导体制造领域所要求的抗蚀剂去除速度/清洗力尚不充分，在食材的清洗、加工设备/器具的清洗、手指的清洗等领域、进而在消臭/脱臭/除菌/食材保鲜等领域中，也无法充分满足进一步提高杀菌/除菌/消臭/脱臭/清洗效果的期待。上述课题可通过将臭氧水的制造中的某些特定的多个制造参数的值规定为某一特定范围来解决。
臭氧制造方法

[发明专利]纸巾-CN201980029751.7在审
发明人：高桥祥子;堀切川一男;山口健;柴田圭 -专利权人：大王制纸株式会社;国立大学法人东北大学
申请日： 2019-06-03 - 公布日： 2020-12-11 - 主分类号： A47K10/16 文献下载
摘要：本发明的课题在于提供柔软感优异的非保湿高级型纸巾。该课题通过下述纸巾得到解决，该纸巾是未进行多元醇外添涂布的2层的纸巾，其中，每一层的基重为14.0～17.0g/m2，2层的纸厚为160～220μm，水分含量为4.0～9.0质量％，包含0.15～0.45质量％的利用二乙醚提取的油性成分，横向弯曲刚性小于0.006gf·cm/cm，横向弯曲回弹力小于0.005gf·cm/cm。
纸巾

[发明专利]π共轭系硼化合物、电子设备和三芳基硼烷及其中间体的制造方法-CN201780019281.7有效
发明人：北弘志;饭岛贵之;大井秀一;北本雄一 -专利权人：柯尼卡美能达株式会社;国立大学法人东北大学
申请日： 2017-03-17 - 公布日： 2020-12-08 - 主分类号： C07F5/02 文献下载
摘要：本发明的课题是提供硼原子与碳原子的键得到强化的新型π共轭系硼化合物。另外，本发明提供在有机功能层中含有该π共轭系硼化合物的具有高耐久性和高电子传导性的有机电致发光元件、光电转换设备及薄膜晶体管等电子设备。进而，本发明提供三芳基硼烷及其中间体的制造方法。本发明的π共轭系硼化合物是硼原子与3个芳香族基团介由3个硼－碳键键合而成的π共轭系硼化合物，特征在于上述3个硼－碳键的键长全部在以下。
共轭化合物电子设备三芳基硼烷及其中间体制造方法

[发明专利]输入装置、输入系统、电子装置和感觉呈现方法-CN201810011158.7有效
发明人：伊藤镇;川部英雄;昆阳雅司 -专利权人：索尼公司;国立大学法人东北大学
申请日： 2013-08-16 - 公布日： 2020-12-08 - 主分类号： G06F3/01 文献下载
摘要：本申请公开了输入装置、输入系统、电子装置和感觉呈现方法。一种输入装置包括用于接收使用者的输入操作的操作部、用于振动操作的振动部、用于检测输入操作的检测部，以及用于基于检测部检测的输入操作确定振动部的振动条件，并通过在预定振动条件下驱动振动部而对用户呈现弹性感的控制器。
输入装置系统电子感觉呈现方法

[发明专利]加热臭氧水的制造方法、加热臭氧水及半导体晶片洗涤液-CN201980028980.7在审
发明人：白井泰雪;酒井健;自在丸隆行 -专利权人： 国立大学法人东北大学;野村微科学股份有限公司
申请日： 2019-04-26 - 公布日： 2020-12-04 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：本发明提供能够抑制高浓度的加热臭氧水中的臭氧浓度的衰减而制造臭氧浓度极高的加热臭氧水的加热臭氧水的制造方法、加热臭氧水及使用了加热臭氧水的半导体晶片洗涤液。一种加热臭氧水的制造方法，其特征在于，其是在纯水中溶解臭氧而成的加热臭氧水的制造方法，其包括以下工序：pH调整工序，该pH调整工序向上述纯水中添加酸而将pH调整为3以下；溶解工序，该溶解工序在上述pH调整工序后的pH经调整的纯水中溶解臭氧气体；及加热工序，该加热工序将上述纯水、上述pH经调整的纯水或上述溶解工序后的臭氧水加热至60℃以上。
加热臭氧制造方法半导体晶片洗涤液

[发明专利]稀土磁体及其制造方法-CN201810640042.X有效
发明人：佐久间纪次;庄司哲也;芳贺一昭;杉本谕;松浦昌志 -专利权人：丰田自动车株式会社;国立大学法人东北大学
申请日： 2018-06-21 - 公布日： 2020-12-04 - 主分类号： H01F1/059 文献下载
摘要：本发明涉及稀土磁体及其制造方法。提供具有优异的矫顽力的稀土磁体及其制造方法。稀土磁体，其具有：含有Sm、Fe和N的磁性相、存在于上述磁性相的周围的Zn相、以及存在于上述磁性相与上述Zn相之间的中间相；上述中间相含有Zn，且上述中间相的氧含量高于上述Zn相的氧含量；稀土磁体的制造方法，其包括：将氧含量为1.0质量％以下的磁性材料原料粉末以及含有金属Zn和/或Zn合金的改良材料粉末混合，进行热处理。
稀土磁体及其制造方法

[发明专利]含有二肽的药物组合物-CN201980028106.3在审
发明人：山田耕太郎;樱井英知;佐藤健司;江岛晃佳;驹井三千夫;白川仁;佐久间航 -专利权人：志瑞亚新药工业株式会社;国立大学法人京都大学;国立大学法人东北大学
申请日： 2019-04-25 - 公布日： 2020-12-01 - 主分类号： A61K38/05 文献下载
摘要：本发明提供一种新的抗炎剂。本发明的抗炎剂以选自(D)Ile‑(D)Pro、(D)Leu‑(D)Pro、(D)Pro‑(D)Ile、(D)Pro‑(D)Leu、(D)Val‑(D)‑Pro、(D)Pro‑(D)Val、(D)Leu‑(D)Hyp、(D)Ile‑(D)Hyp、(D)Val‑(D)Hyp、(D)Asp‑(D)Ile、(D)Asp‑(D)Val、(D)Asp‑(D)Leu、(D)Asp‑(D)Phe、(D)Ile‑(L)Pro、(D)Leu‑(L)Pro、(D)Pro‑(L)Ile、(D)Pro‑(L)Leu、(D)Val‑(L)‑Pro、(D)Pro‑(L)Val、(D)Leu‑(L)Hyp、(D)Ile‑(L)Hyp、(D)Val‑(L)Hyp、(D)Asp‑(L)Ile、(D)Asp‑(L)Val、(D)Asp‑(L)Leu和(D)Asp‑(L)Phe中的二肽为有效成分。
含有二肽药物组合

[发明专利]导电性支持构件及其制造方法-CN201780041135.4有效
发明人：后藤孝;且井宏和;村松尚国;中岛崇成 -专利权人：日本碍子株式会社;国立大学法人东北大学
申请日： 2017-11-28 - 公布日： 2020-12-01 - 主分类号： C22C9/00 文献下载
摘要：本发明的焊接臂(10)具有尖端电极(11)、保持件(12)和柄(20)。作为导电性支持构件的柄(20)具有外周部(22)和存在于外周部(22)的内周侧的内周部(21)，所述外周部(22)含有Cu母相和分散在Cu母相内且含有Cu‑Zr系化合物的第二相，并且为Cu‑xZr(其中，x是Zr的原子％，且满足0.5≦x≦16.7)的合金组成，所述内周部(21)为含有Cu的金属，且导电性比外周部(22)高。
导电性支持构件及其制造方法

[发明专利]多孔非晶硅、多孔非晶硅的制造方法及二次电池-CN201980017973.7在审
发明人：冈田纯平;中山幸仁;和田武 -专利权人： 国立大学法人东北大学
申请日： 2019-09-13 - 公布日： 2020-11-27 - 主分类号： C01B33/02 文献下载
摘要：本发明提供一种在用作负极材料时能够提高充放电效率和电池容量等电池性能的多孔非晶硅、能够以较低成本并以短时间制造整体由非晶硅构成的多孔非晶硅的多孔非晶硅的制造方法、及将该多孔非晶硅用作负极材料的二次电池。通过以106K/秒以上的冷却速度将包含金属与硅的熔体冷却，从而形成由该金属与硅构成的共晶合金，利用酸或碱选择性地使金属从共晶合金中溶出，由此得到多孔非晶硅。多孔非晶硅具有平均粒径或平均柱径为1nm～100nm的片层结构或柱状结构。
多孔非晶硅制造方法二次电池

[发明专利]溅射靶-CN201980023830.7在审
发明人：金光谭;栉引了辅;镰田知成;青野雅广;石桥毅之;沼崎健志;齐藤伸 -专利权人：田中贵金属工业株式会社;国立大学法人东北大学
申请日： 2019-01-17 - 公布日： 2020-11-20 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明提供可以在使磁记录层颗粒膜层叠于Ru基底层的上方的情况下能够使磁记录层颗粒膜中的磁性晶粒彼此良好地分离的缓冲层的形成中使用的溅射靶。一种含有金属和氧化物的溅射靶，其中，所含有的所述金属在使其整体为单一的金属时成为含有hcp结构的非磁性金属，该非磁性金属中含有的所述hcp结构的晶格常数a为以上且以下，并且，所含有的所述金属中含有相对于该金属的整体为4原子％以上的金属Ru，并且，含有20体积％以上且50体积％以下的所述氧化物，所含有的所述氧化物的熔点为1700℃以上。
溅射

[发明专利]发电电池用的负极、胃酸电池、金属离子二次电池、系统及电池的使用方法-CN201980025154.7在审
发明人：本间格 -专利权人： 国立大学法人东北大学
申请日： 2019-06-05 - 公布日： 2020-11-17 - 主分类号： H01M4/42 文献下载
摘要：本发明提供一种能够抑制氢气的产生及电池性能的下降，可长时间进行稳定的发电的发电电池用的负极、胃酸电池、金属离子二次电池、系统及电池的使用方法。本发明的发电电池用的负极材料由含有负极粉末与导电性聚合物的混合物组成，所述负极粉末由标准电极电位低于标准氢电极电位的金属、合金或化合物组成。负极粉末例如由锌或镁的粉末组成。导电性聚合物例如含有丙烯酸树脂或环氧树脂与导电助剂。混合物含有60重量％～90重量％的负极粉末，除此以外由导电性聚合物及导电助剂组成。
发电电池负极胃酸金属离子二次系统使用方法