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- [发明专利]自发光显示面板及其制造方法-CN202011405276.X在审
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冲川昌史;原田健史
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株式会社日本有机雷特显示器
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2020-12-04
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2021-06-08
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H01L51/52
- 本发明提供一种密封性优异、在图像显示区域的周缘部不产生图像噪声的自发光显示面板。自发光显示面板包括配置在下部基板上的绝缘树脂层、配置在绝缘树脂层的图像显示区域内的多个自发光元件、配置在多个自发光元件的上方的密封部、配置在密封部上的第二基板，绝缘树脂层被围绕图像显示区域的周向槽分成内侧树脂层与外侧树脂层，密封部形成为使由树脂材料形成的第二密封层介于由无机材料形成的第一密封层与第三密封层之间，并且在密封部的外缘部，形成为不存在第二密封层、第一密封层与第三密封层直接层叠，CF基板通过配置在其周缘部内侧的周边密封层与位于被间隔件包围的范围内的接合层粘附在密封部上，周边密封层的至少一部分位于外侧树脂层上方，在平面图中周边密封层的内侧端部比周向槽的内周缘部更靠外侧。
- 发光显示面板及其制造方法
- [发明专利]有机EL元件-CN201080068393.X有效
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原田健史;西山诚司;小松隆宏;竹内孝之;大内晓;冢本义朗;藤村慎也;坂上惠
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松下电器产业株式会社
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2010-08-06
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2013-04-17
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H01L51/50
- 本发明提供一种有机EL元件，能够耐受有机EL显示面板的量产工艺，且能实现优异的空穴注入效率，在低电压驱动下具有高发光效率。具体而言，在基板（10）的一面依次层叠阳极（2）、空穴注入层（3）、缓冲层（6A）、发光层（6B）、阴极（8）而构成有机EL元件（1000）。在空穴注入层（3）的表面形成堤（12）以使得包围所述缓冲层（6A）以上的结构。空穴注入层（3）通过溅射成膜氧化钨薄膜来形成。此时，将氧化钨成膜为在其电子态中使比价电子带最低的结合能低1.8～3.6eV的结合能区域内存在占有能级，降低对所述缓冲层（6A）的空穴注入势垒。在空穴注入层（3）的上面形成凹部（4a），使该凹部的内面与功能层（缓冲层（6A）或发光层（6B））接触。
- 有机el元件
- [发明专利]发光元件、显示装置以及发光元件的制造方法-CN201080007024.X有效
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原田健史;竹内孝之;西山诚司;小松隆宏
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松下电器产业株式会社
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2010-02-09
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2012-01-04
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H01L51/50
- 本发明的目的在于提供对发光层高精细地进行图案形成且可以低成本地制造的发光元件，为了达到该目的，关于将第1电极(2)、电荷注入输送层(4)、发光层(6)、第2电极(8)按该顺序层叠且至少对所述发光层(6)通过堤栏(5)进行规定的发光元件，所述电荷注入输送层(4)具有凹入部(4a)，所述凹入部(4a)具备与所述发光层(6)的底面(6a)接触的内底面(4c)和与所述内底面(4c)连续的内侧面(4d)；所述凹入部(4a)的内侧面(4d)具备与所述内底面(4c)连续的下部侧的端缘和与所述下部侧的端缘连续的上部侧的端缘(4e)；所述凹入部(4a)的内侧面(4d)在所述上部侧的端缘(4e)处是与所述堤栏(5)的所述发光层(6)侧的下端缘(5d)一致的形状或与所述堤栏(5)的底面(5a)接触的形状，且与所述发光层(6)的侧面(6b)的至少一部分接触。
- 发光元件显示装置以及制造方法
- [发明专利]场效应晶体管及使用该晶体管的显示器件-CN200580000408.8有效
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原田健史;竹内孝之;七井识成;小森一德
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松下电器产业株式会社
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2005-01-12
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2006-06-14
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H01L29/786
- 本发明提供了一种场效应晶体管，该场效应晶体管包括：包含有机物质的半导体层(15)，以及至少电路上互不接触的第一电极(16)、第二电极(12)和第三电极(14)。第一电极(16)配置在半导体层(15)的上面，第二电极(12)配置在半导体层(15)的下面，第三电极(14)则配置在半导体层(15)的侧面。半导体层(15)与选自第一电极(16)、第二电极(12)和第三电极(14)的两个电极电连接，而电绝缘层(13、17)插入在电极(12、14、16)之间。第一电极(16)位于半导体层(15)的上方以便延伸超出半导体层(15)的外围。通过这样构造，有可能提供一种场效应晶体管以及使用这种场效应晶体管的显示器件，该场效应晶体管具有高度的耐氧和耐水性能，因此即使其中使用有机半导体，仍具有长的寿命。
- 场效应晶体管使用显示器件
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