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[发明专利]半导体器件及其形成方法-CN202310797613.1在审
发明人：李旭峯;曾于平;黄立贤;庄曜群;卢胤龙 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2023-06-30 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L23/538 文献下载
摘要：一种形成半导体器件的方法包括在第一器件管芯的第一衬底上沉积第一介电层，蚀刻第一介电层以形成沟槽，在沟槽中和第一介电层的顶表面上沉积金属材料，以及执行化学机械抛光(CMP)工艺，以从第一介电层的顶表面去除金属材料的部分来形成第一金属焊盘。在CMP工艺的执行之后，该方法选择性地蚀刻第一金属焊盘，以在第一金属焊盘的边缘部分处形成凹槽，在第二器件管芯的第二衬底上沉积第二介电层，在第二介电层中形成第二金属焊盘，以及将第二器件管芯接合至第一器件管芯。第二介电层接合至第一介电层，并且第二金属焊盘接合至第一金属焊盘。本发明的实施例还提供了半导体器件。
半导体器件及其形成方法

[发明专利]半导体装置的测试方法及制造方法-CN201910027494.5有效
发明人：谢泓达;史巴蒂普·穆卡法利;李宜玟;黄鼎盛;陈东贤;陈瓀懿;李仁豪;卢胤龙 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-01-11 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本揭示实施例涉及半导体装置的测试方法及制造方法。根据本发明的一些实施例，一种半导体装置的制造方法，包含：提供半导体衬底；形成鳍片结构在半导体衬底；形成闸极结构在鳍片结构；分别形成汲极区域及源极区域在鳍片结构；取得汲极区域及源极区域之间的通道区以及鳍片结构的热时间常数；以及根据热时间常数，对通道区以及鳍片结构进行热模拟。
半导体装置测试方法制造

[发明专利]晶片级测试方法及装置-CN202110710654.3在审
发明人：何军;林裕庭;林威勋;郭永良;卢胤龙 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-06-25 - 公布日： 2022-04-19 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明实施例涉及晶片级测试方法及装置。本发明实施例提供一种用于测试半导体装置的方法及系统。所述方法包含：提供具有输入端子及输出端子的受测试装置DUT；在第一周期期间将具有第一电压电平的电压施加到所述DUT的所述输入端子；在所述第一周期之后的第二周期期间将应力信号施加到所述DUT的所述输入端子；响应于所述DUT的所述输出端子处的所述应力信号获得输出信号；及将所述输出信号与所述应力信号进行比较。所述应力信号包含多个序列，每一序列具有斜升阶段及斜降阶段。所述应力信号具有第二电压电平及第三电压电平。
晶片测试方法装置

[发明专利]集成电路及其形成方法-CN202110579205.X在审
发明人：林建宏;张新君;谢明宏;王明义;卢胤龙 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-05-26 - 公布日： 2021-09-07 - 主分类号： H01L23/522 文献下载
摘要：公开了具有贯穿电路通孔(TCV)的集成电路(IC)及其形成方法。IC包括：半导体器件；分别设置在半导体器件的第一和第二表面上的第一和第二互连结构；分别设置在衬底的前表面和后表面上的第一和第二层间电介质(ILD)层；以及设置在第一和第二互连结构、第一和第二ILD层以及衬底内的TCV。TCV通过衬底的部分以及第一和第二ILD层的部分与半导体器件间隔开。布置在衬底的前表面上的TCV的第一端连接到第一互连结构的导线，布置在衬底的后表面上的TCV的第二端连接到第二互连结构的导线。
集成电路及其形成方法

[发明专利]半导体结构-CN202010177673.X在审
发明人：吴东骏;卢胤龙;张敏妮;王明义 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-03-13 - 公布日： 2020-12-25 - 主分类号： H01L23/522 文献下载
摘要：本发明实施例涉及半导体结构。一种包含金属‑绝缘体‑金属MIM电容器的半导体结构包含：衬底；MIM电容器，其安置于所述衬底上方；第一绝缘层，其安置于所述MIM电容器上方；氧化物‑氮化物‑氧化物‑氮化物ONON堆叠，其安置于所述第一绝缘层上方；连接通路，其安置于所述第一绝缘层中；及连接垫，其安置于所述ONON堆叠中且与所述连接通路接触。所述ONON堆叠覆盖所述连接垫的侧壁及所述连接垫的顶面的部分。
半导体结构

[发明专利]一种气电协调的多能互补系统优化方法-CN202010244029.X在审
发明人：张立寒;胡瑛;陈乐;王天翔;卢胤龙;汤羹;钟怡 -专利权人：上海燃气工程设计研究有限公司
申请日： 2020-03-31 - 公布日： 2020-07-28 - 主分类号： G06Q10/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种气电协调的多能互补系统优化方法，涉及能源供应领域，包括如下步骤：区域用能负荷处理；搭建面向区域式能源需求的多能互补能源供应系统物理模型；建立兼顾装机与运行的多能互补系统优化模型；计算优化模型。本发明提供的气电协调的多能互补系统优化方法，以投资计算周期内的总利润最大化为目标，兼顾多能互补系统的装机方案与运行策略，为逐时负荷提供合理的气电匹配供能方案，达到系统用能高效以及经济运行的效果。
一种协调多能互补系统优化方法

[发明专利]一种基于气电耦合的区域分布式能源系统及优化方法-CN202010201760.4在审
发明人：孙永康;胡瑛;陈乐;王天翔;卢胤龙;汤羹;钟怡 -专利权人：上海燃气工程设计研究有限公司
申请日： 2020-03-20 - 公布日： 2020-07-14 - 主分类号： G06Q10/04 文献下载
摘要：本发明提出一种基于气电耦合的区域分布式能源系统及其优化方法，优化方法包括以下步骤：步骤1：建立优化目标函数；步骤2：获取所述系统设计和运行的约束条件；步骤3：对模型进行优化，获取最佳装机和运行方案；步骤4：实施优化得出的方案；依上述优化方法建立的系统包括以下设备：燃气内燃机组、吸收式制冷机组、电制冷机组、热泵、双效蓄能罐。本发明的有益效果是，能够充分利用系统内联供设备和蓄能设备的枢纽调节作用，发挥气电协调和削峰填谷的优势，从而降低装机和运行成本；从用户的能源需求出发，将运行策略与负荷需求充分匹配，从而保障供能的稳定可靠性；设备的容量设计和运行是分不开的，优化模型协同系统的装机和运行优化，使优化结果更具合理性。
一种基于耦合区域分布式能源系统优化方法

[发明专利]一种冷热电联产与有机朗肯循环联合系统-CN201711297516.7有效
发明人：任洪波;周奥林;吴琼;卢胤龙 -专利权人：上海电力学院
申请日： 2017-12-08 - 公布日： 2020-06-26 - 主分类号： F01K27/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种冷热电联产与有机朗肯循环联合系统，包括冷热电联产装置和与冷热电联产装置相连的有机朗肯循环装置，所述有机朗肯循环装置还与变频控制装置连接；所述变频控制装置包括相互连接的变频控制模块和电动机，所述变频控制模块与工频电网连接，所述电动机与有机朗肯循环装置连接。与现有技术相比，本发明具有热电输出动态可调、能源利用率高、控制灵活性强以及运行成本低等优点。
一种热电联产有机循环联合系统

[发明专利]晶片级测试方法和系统-CN201910751987.3在审
发明人：军·何;林裕庭;林威勋;郭永良;卢胤龙 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-08-15 - 公布日： 2020-03-17 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明实施例涉及晶片级测试方法和系统。本公开提供用于测试半导体装置的方法和系统。所述方法包含以下操作。提供上面形成有IC的晶片。通过使所述IC的电压在第一周期期间升高到第一电压电平来为所述IC供能。将应力信号施加到所述IC。在第一周期之后的第二周期期间，所述应力信号包含多个序列。所述序列中的每一者具有斜升阶段和斜降阶段。所述应力信号致使所述IC的所述电压在第二电压电平与第三电压电平之间变动。在施加所述应力信号之后，确定所述IC是否符合测试准则。
晶片测试方法系统

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