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[发明专利]晶圆压头及半导体抛光设备-CN202311041601.2有效
发明人：陈晓丹;高志明 -专利权人： 北京特思迪半导体设备有限公司
申请日： 2023-08-18 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： B24B41/06 文献下载
摘要：本申请公开了一种晶圆压头及半导体抛光设备，包括压头过渡座，压头过渡座上形成有气路通道以及容纳腔；压头组件；弹性胶膜，设于压头组件和压头过渡座之间，弹性胶膜包括胶膜外圈部、胶膜中圈部和胶膜内圈部；胶膜外圈部与压头过渡座的外圈固定连接，胶膜内圈部与压头过渡座的内圈固定连接，胶膜中圈部与容纳腔对应并与压头组件固定连接，胶膜中圈部用于在容纳腔内充气加压后鼓出形成气囊并推动压头组件移动；限位件，限位件的第一端与压头过渡座固定连接，其第二端穿过胶膜内圈部并延伸入压头组件内，限位件与压头组件滑动连接。本申请解决了因限位件距离压头轴心的距离较远，导致与限位件匹配的孔的孔径较大，降低了扭矩传递效果的问题。
压头半导体抛光设备

[实用新型]半导体抛光设备的晶圆压头-CN202321346300.6有效
发明人：寇明虎 -专利权人： 北京特思迪半导体设备有限公司
申请日： 2023-05-30 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： B24B41/06 文献下载
摘要：本申请公开一种半导体抛光设备的晶圆压头，包括：陶瓷基板，包括背离面以及与晶圆接触的工作面；内圈加压结构，与所述陶瓷基板同轴设置并与所述背离面连接；用于为内圈加压结构加压的第一气路管，设置于所述内圈加压结构的中心部分。外圈加压结构，所述内圈加压结构设置于外圈加压结构与所述陶瓷基板之间，所述背离面的边缘部分与所述外圈加压结构接触，所述外圈加压结构中心部分形成有供所述第一气路管通过的外圈通道。实现对陶瓷基板区域加压的同时，防止气路管排布造成的气路管弯折。
半导体抛光设备压头

[发明专利]一种聚二甲基硅氧烷双疏涂层、制备方法及应用-CN202311129901.6在审
发明人：薛芳;蒋继乐 -专利权人： 北京特思迪半导体设备有限公司
申请日： 2023-09-04 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： C09D183/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种聚二甲基硅氧烷双疏涂层、制备方法及应用。一种聚二甲基硅氧烷双疏涂层，聚二甲基硅氧烷双疏涂层包括原料：羟基聚二甲基硅氧烷、巯基化合物、含氟丙烯酸酯、固化剂和引发剂。聚二甲基硅氧烷双疏涂层的制备方法，包括如下步骤：（1）将羟基聚二甲基硅氧烷、巯基化合物、固化剂和溶剂I配置成混合液I，将混合液I涂覆于基材表面，固化；（2）将含氟丙烯酸酯、引发剂和溶剂II配置成混合液II，将步骤I固化后的基材浸渍于混合液II中，光照，老化后得到聚二甲基硅氧烷双疏涂层。本发明制备的聚二甲基硅氧烷涂层具有优异的双疏性能。
一种聚二甲基硅氧烷涂层制备方法应用

[发明专利]一种改性聚二甲基硅氧烷双疏涂层及其制备方法、应用-CN202311129879.5在审
发明人：薛芳;蒋继乐 -专利权人： 北京特思迪半导体设备有限公司
申请日： 2023-09-04 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： C09D183/04 文献下载
摘要：本发明提供一种改性聚二甲基硅氧烷双疏涂层及其制备方法、应用。改性聚二甲基硅氧烷双疏涂层包括含氟丙烯酸酯改性的聚二甲基硅氧烷和填料粒子。涂层的制备方法，包括：（1）将聚二甲基硅氧烷、填料粒子和溶剂I混合得到混合液I，将混合液I涂敷于预处理后的基材表面、固化，得到聚二甲基硅氧烷涂层；（2）将聚二甲基硅氧烷涂层进行等离子处理，使聚二甲基硅氧烷产生羟基基团；（3）将含氟丙烯酸酯、催化剂和溶剂II混合得到混合液II，将步骤（2）处理后的聚二甲基硅氧烷涂层浸入混合液II中反应，取出，老化后得到聚二甲基硅氧烷双疏涂层。本发明提供的聚二甲基硅氧烷双疏涂层具备疏水和疏油性能，可以应用于抛光设备的自清洁过程中。
一种改性聚二甲基硅氧烷涂层及其制备方法应用

[发明专利]修整盘及用于晶圆抛光的装置-CN202311149912.0在审
发明人：曾星明;陈晓丹;郝元龙;孙清浩;蒋继乐 -专利权人： 北京特思迪半导体设备有限公司
申请日： 2023-09-07 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： B24B53/017 文献下载
摘要：本申请公开了一种修整盘及用于晶圆抛光的装置，包括：盘体、磨片、毛刷、气囊和回拉机构；其中，磨片设于盘体下端的边缘，盘体的下端设置有凹槽，毛刷和气囊均设于凹槽内，且气囊设于盘体和毛刷之间，以使在气囊隆起时，气囊向凹槽外推动毛刷，使得毛刷的刷毛至少部分裸露在磨片的下方；回拉机构的第一端连接于盘体上，第二端连接于毛刷上，回拉机构的第二端用于向毛刷施加朝向气囊收缩方向运动的作用力。本申请解决了相关技术中修整盘的毛刷和磨片只能同时对抛光垫表面进行修整维护，导致修整维护效率较差，且作为耗材的毛刷消耗的会比较快的问题。
修整用于抛光装置

[发明专利]用于晶圆薄膜磨削的厚度在线检测方法及设备-CN202311060076.9有效
发明人：孟炜涛;蒋继乐 -专利权人： 北京特思迪半导体设备有限公司
申请日： 2023-08-22 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： B24B37/013 文献下载
摘要：本发明涉及半导体领域，具体涉及一种用于晶圆薄膜磨削的厚度在线检测方法及设备，该方法包括在对晶圆薄膜进行磨削过程中，获取晶圆薄膜的反射率与波长关系的实测光谱曲线；在所述实测光谱曲线中分别根据两个预设波长范围选取第一波段和第二波段；计算所述第一波段与所述第二波段的实测积分面积比；根据所述实测积分面积比和参考积分面积比与厚度的对应关系曲线确定所述晶圆薄膜的当前厚度，其中所述对应关系曲线是根据不同厚度的所述晶圆薄膜下的参考光谱中。
用于薄膜磨削厚度在线检测方法设备

[发明专利]用于加热晶圆的烘箱以及下蜡机-CN202310959710.6有效
发明人：寇明虎;黄肖雄 -专利权人： 北京特思迪半导体设备有限公司
申请日： 2023-08-01 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本申请提供的用于加热晶圆的烘箱及下蜡机，烘箱包括：支撑架，设置在所述加热腔内部，并位于所述箱体入口的两侧；纵向传递机构，对应安装在所述支撑架上，所述纵向传递机构包括若干承载部，所述纵向传递机构相邻的一侧形成承托区，所述承载部用以在所述承托区对陶瓷盘进行支撑，并带动所述陶瓷盘沿高度方向移动；纵向驱动机构，设置在所述加热腔中，用以带动所述纵向传递机构进行移动。能够将进入到箱体内部的晶圆在高度方向进行运送，可以有效地利用烘箱内部的高度空间，从而避免现有技术中在平面上对晶圆进行运输时占用空间过大的缺陷。
用于加热烘箱以及下蜡机

[发明专利]晶圆清洗机构及晶圆清洗系统-CN202310965570.3有效
发明人：周博伦;谭志亮;寇明虎 -专利权人： 北京特思迪半导体设备有限公司
申请日： 2023-08-02 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： H01L21/677 文献下载
摘要：本发明提供的晶圆清洗机构及晶圆清洗系统，属于集成电路设备技术领域，其中，晶圆清洗机构包括：传送带、晶圆夹持组件、调节组件和限位组件，传送带具有平行间隔设置的两条，通过传送带对晶圆进行输送时，晶圆水平架设在相邻两条传送带之间，调节组件与传送带连接，用于调整相邻两条传送带之间的间隔，以使两条传送带能够水平承载晶圆或者使晶圆穿过该间隔浸泡在清洗槽内；本发明的晶圆清洗机构，由于采用传送带进行输送，因此无需设置机械手装置，传送带安装在机构内部，在与其他机构配合安装时，可提高各机构之间的紧密性，节省安装占地空间。
清洗机构系统

[实用新型]用于减薄半导体基板的装置及其对刀仪防水结构-CN202320558756.2有效
发明人：蒋继乐;寇明虎 -专利权人： 北京特思迪半导体设备有限公司
申请日： 2023-03-21 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： B23Q11/08 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种用于减薄半导体基板的装置及其对刀仪防水结构，其包括：防水壳，封装在底座上，防水壳内具有腔室，防水壳上端设有与该腔室连通的开口；第一防水盖，滑动连接在开口的一侧，第二防水盖密封在开口的另一侧；驱动机构和对刀仪，均固定在底座上，且两者都设置在腔室中；驱动机构的输出端与第一防水盖连接，以驱动第一防水盖远离第二防水盖，使对刀仪通过开口裸露出防水壳，或者驱动第一防水盖与第二防水盖搭接，对刀仪通过开口裸露出防水壳；第一导流槽，设置在第一防水盖和第二防水盖之间的搭接缝隙下，第一导流槽的两端连通到防水壳的外侧。本实用新型能避免对刀仪的锈蚀，提高对刀仪的维护周期和使用寿命。
用于半导体装置及其防水结构

[发明专利]晶圆上料组件及下蜡机-CN202310959698.9在审
发明人：寇明虎;黄肖雄 -专利权人： 北京特思迪半导体设备有限公司
申请日： 2023-08-01 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： B24B37/34 文献下载
摘要：本申请提供一种晶圆上料组件及下蜡机，支架上设置有适于卡塞盒升降的升降通道；升降组件设置在支架上，用以带动卡塞盒在升降通道进行升降；翻转传送机构设置在支架上，其上设置有传送部，翻转传送机构具有翻转状态以及非翻转状态，在翻转状态，传送部转动至卡塞盒下方，使传送部带动卡塞盒上的陶瓷盘进行移动；在非翻转状态，传送部离开升降通道；输送机构设置在翻转传送机构的一侧，用以驱动朝向陶瓷盘烘箱部位移动。升降组件用来带动陶瓷盘在高度方向进行上升，翻转传送机构用来在水平方向将陶瓷盘从升降组件上移出，输送机构进一步将陶瓷盘在水平方向进行输送，然后转移到烘箱中。通过上述的操作，在高度方向进行升降，可以高效地利用高度空间。
晶圆上料组件下蜡机

[发明专利]用于晶圆薄膜磨削的终点检测方法及设备-CN202311002718.X在审
发明人：孟炜涛;蒋继乐 -专利权人： 北京特思迪半导体设备有限公司
申请日： 2023-08-10 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： B24B37/013 文献下载
摘要：本发明涉及半导体领域，具体涉及一种用于晶圆薄膜磨削的终点检测方法及设备，该方法包括：在对晶圆薄膜进行磨削过程中，获取晶圆薄膜的反射率与波长关系的实测光谱曲线；在实测光谱曲线中确定多个特征点；基于多个特征点的波长值，分别在各个参考光谱曲线中确定相应的参考点；利用多个特征点与多个参考点，计算实测光谱曲线与各个参考光谱曲线的余弦相似度；根据余弦相似度确定与实测光谱数据匹配的参考光谱曲线；根据匹配的参考光谱曲线对应的厚度确定晶圆薄膜的当前厚度。本发明选用余弦相似度作为得分函数评价在多层介质情况下的相似性，提高了晶圆薄膜厚度在线检测的准确性。
用于薄膜磨削终点检测方法设备

[发明专利]减薄机砂轮主轴输出功率不确定度的确定方法及设备-CN202310645256.7有效
发明人：周惠言;蒋继乐;寇明虎 -专利权人： 北京特思迪半导体设备有限公司
申请日： 2023-06-02 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： G01L3/24 文献下载
摘要：本发明提供一种减薄机砂轮主轴输出功率不确定度的确定方法及设备，所述方法包括：获取砂轮扭矩和砂轮转速的测量数据；利用所述测量数据，确定砂轮扭矩和转速的相关系数和砂轮转速扭矩共同作用的相对测量不确定度；计算砂轮扭矩相对测量不确定度和砂轮转速相对测量不确定度；利用所述砂轮转速扭矩共同作用的相对测量不确定度、砂轮扭矩相对测量不确定度、砂轮转速相对测量不确定度和相关系数确定减薄机砂轮主轴输出功率的合成标准不确定度。
减薄机砂轮主轴输出功率不确定确定方法设备

[发明专利]一种抛光垫开槽装置-CN201810133423.9有效
发明人：寇明虎 -专利权人： 北京特思迪半导体设备有限公司
申请日： 2018-02-09 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： B24D13/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种抛光垫开槽装置，其包括主轴、固定圈、锯片固定杆、锯片和紧固螺母；所述主轴的输出端上穿设有所述固定圈，所述固定圈上活动连接有所述微调结构；且所述主轴输出端与所述锯片固定杆传动连接；位于所述锯片固定杆的端部通过所述紧固螺母与所述锯片固定连接。本发明对开槽深度可以进行微调，保证排屑顺畅，降低粉尘污染。
一种抛光开槽装置

[发明专利]一种晶圆抛光设备-CN202310653791.7有效
发明人：郝元龙;寇明虎 -专利权人： 北京特思迪半导体设备有限公司
申请日： 2023-06-05 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： B24B29/02 文献下载
摘要：本发明提供一种晶圆抛光设备，通过传力件、传动组件以及第二驱动装置的组合，使得第二驱动装置可以放置在传力件的下方部位，当需要带动驱动环进行转动时，第二驱动装置将动力从机壳的下方通过传动组件传递到传力件上，传力件进一步带动驱动环进行转动，外力直接作用在驱动环的下部位置，从而实现承载盘带动晶圆的旋转。在本发明中，外力直接作用在驱动环上，驱动环进一步带动承载盘进行转动，而并不是现有技术中所采用的外力作用在驱动销时，驱动销进一步带动承载盘进行转动的方式。将现有技术中原有的驱动装置与驱动环之间的水平布置方式，调整为沿高度方向布置。这样的布置方式可以大大减小整个抛光设备在水平方向所占用的空间。
一种抛光设备

[发明专利]晶圆激光改制中改制深度测量不确定度的确定方法及设备-CN202310723802.4有效
发明人：蒋继乐;周惠言;寇明虎 -专利权人： 北京特思迪半导体设备有限公司
申请日： 2023-06-19 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明涉及半导体加工设备领域，具体涉及一种晶圆激光改制中改制深度测量不确定度的确定方法及设备，该方法根据晶圆激光改制装置及改制深度测量设备，确定需计算的改制槽晶圆改制深度测量不确定度的分量，包括静态不确定度分量和动态不确定度分量；计算所述静态不确定度分量和所述动态不确定度分量；利用所述静态不确定度分量和动态不确定度分量确定合成标准不确定度。本发明通过对晶圆激光改制的结构进行分解，形成了较为完善的不确定度来源分析，由此综合全部的不确定度分量得到合成标准不确定度，通过对上述不确定度分量进行评估和分析，可以获取影响不确定度的主要分量，进而对其主要分量进行控制，从而可以用于对晶圆改制深度进行精确控制。
激光改制深度测量不确定确定方法设备

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